W25Q64的中文资料汇总.doc
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1、W25Q64BV 出版日期:2010 年 7 月 8 日 - 1 - 版本 E 64M 位 与串行闪存 双路和四路 SPI W25Q64BV - 2 - 目录 1,一般 DESCRIPTION.5 2。 FEATURES.5 3 引脚配置 SOIC208-MIL. . 6 4,焊垫配置 WSON8X6-MM. .6 5,焊垫配置 PDIP300-MIL. .7 6 引脚说明 SOIC208 密耳,PDIP300 密耳和 WSON8X6-MM. 7. 7 引脚配置 SOIC300mil 的. . 8 8 引脚 SOIC 封装说明 300-MIL.8 8.1 包装 Types.9 8.2 片选 (
2、/CS).9 8.3 串行数据输入,输出和 IO(DI,DO 和 IO0,IO1,IO2,IO3). 9. 8.4 写保护 (/WP).9 8.5 控股 (/HOLD).9 8.6 串行时钟 (CLK).9 9 座 DIAGRAM.10 10 功能 DESCRIPTION.11 10.1 SPI OPERATIONS.11 10.1.1 标准 SPI Instructions.11 10.1.2 双 SPI Instructions.11 10.1.3 四路 SPI Instructions.11 10.1.4 保持功能 .11 10.2 写保护 .12 10.2.1 写保护 Features
3、.12 11,控制和状态寄存器. .13 11.1 状态 REGISTER.13 11.1.1 BUSY.13 11.1.2 写使能锁存 (WEL).13 11.1.3 块保护位(BP2,BP1,BP0). .13 11.1.4 顶/底块保护(TB). . .13 11.1.5 部门/块保护 (SEC).13 11.1.6 状态寄存器保护(SRP,SRP0). .14 11.1.7 四路启用 (QE).14 11.1.8 状态寄存器内存保护. .16 11.2 INSTRUCTIONS.17 11.2.1 制造商和设备标识. .17 11.2.2 指令集表 1.18 W25Q64BV 11.2
4、.3 指令表 2(阅读说明书). .19 出版日期:2010 年 7 月 8 日 - 3 - 修订版 E 11.2.4 写使能 (06h).20 11.2.5 写禁止 (04h).20 11.2.6 读状态寄存器 1(05H)和读状态寄存器 2(35H). .21 11.2.7 写状态寄存器(01H). . .22 11.2.8 读取数据 (03h).23 11.2.9 快速阅读 (0Bh).24 11.2.10 快速读双输出(3BH). . 0.25 11.2.11 快速读四路输出(6BH). . 26 11.2.12 快速读双 I / O (BBh).27 11.2.13 快速读取四 I/
5、 O (EBh).29 11.2.14 八进制字读取四 I/ O(E3H). .31 11.2.15 页编程 (02h).33 11.2.16 四路输入页编程(32H). .34 11.2.17 扇区擦除(20H) .35 11.2.1832KB 的块擦除(52H) .36 11.2.1964KB 的块擦除 (D8h).37 20 年 2 月 11 日芯片擦除(C7H/ 60h). .38 21 年 2 月 11 日擦除挂起 (75h). .39 22 年 2 月 11 日擦除恢复 (7Ah). .40 23 年 11 月 2 日掉电 (B9h). .41 24 年 2 月 11 日高性能模式
6、(A3H). .42 25 年 2 月 11 日发布掉电或高性能模式/设备 ID(ABH).42 26 年 2 月 11 日读制造商/设备 ID(90H). .44 27 年 2 月 11 日阅读唯一的 ID 号(4BH). .45 28 年 2 月 11 日读 JEDEC 的 ID (9Fh). .46 29 年 2 月 11 日连续读取模式复位(FFH 或 FFFFH). .47 12,电气特性. .48 12.1 绝对最大 Ratings.48 12.2 操作范围 .48 12.3 上电时序和写抑制阈值. .49 12.4 直流电气 Characteristics.50 12.5 AC
7、测量条件. .51 12.6 AC 电气 Characteristics.52 12.7 AC 电气特性(续). .53 12.8 串行输出 Timing.54 12.9 输入 Timing.54 12.10 持有 Timing.54 13 包装 SPECIFICATION.55 W25Q64BV 13.18 引脚 SOIC208 密耳(包装代号 SS). .55 - 4 - 13.28 引脚 PDIP300 密耳(封装代码 DA). .56 13.38 触点 WSON8x6 毫米(封装代码 ZE). .57 13.416 引脚 SOIC300 密耳(封装代码 SF). .58 14 订货 I
8、NFORMATION.59 14.1 有效的部件号和顶端标记. .60 15 版本 HISTORY.61 W25Q64BV 出版日期:2010 年 7 月 8 日 - 5 - 修订版 E 1 概述 该 W25Q64BV(64M 位)串行 Flash 存储器提供了有限的系统存储解决方案 空间,引脚和电源。该 25Q 系列提供了灵活性和性能远远超过普通的串行 闪存器件。他们是理想的阴影到 RAM 中的代码,直接从双路/四路 SPI 执行代码 (XIP)和存储的语音,文本和数据。该器件在 2.7V 至 3.6V 单电源工作 电流消耗低至 4 毫安主动和 1A 的关机。所有器件均提供节省空间 保存包。
9、 该 W25Q64BV 阵列是由每 256 字节可编程 32,768 页。最多 256 个字节 可以在一个时间被编程。网页可以在 16(扇区擦除)组,128 组(32KB 被删除 块擦除) ,256(64KB 块擦除组)或整个芯片(芯片擦除) 。该 W25Q64BV 有 2,048 可擦除扇区和 128 可擦除块分别。小 4KB 扇区允许更大的灵活性 在需要的数据和参数的存储的应用程序。 (见图 2) 该 W25Q64BV 支持标准串行外设接口(SPI)和一个高性能 双核/四输出以及双/四 I/ O SPI:串行时钟,片选,串行数据 I / O0(DI) ,I / O1 (DO)的 I / O
10、 2(/ WP)和 I/ O 3(/ HOLD) 。高达 80MHz 的 SPI 时钟频率被支持,允许 160MHz 的等效时钟频率为使用快速时双输出和 320MHz 的为四路输出 读双核/四输出指令。这些传输率可以超越标准的异步 8 16 位并行 Flash 存储器。连续读取模式允许与高效的内存访问 尽可能少的 8 个时钟的指令开销读取 24 位地址,允许真正的 XIP(执行到位) 操作。 一抱脚,写保护引脚和可编程写保护,与顶部或底部阵列控制, 提供进一步的控制灵活性。此外,该器件支持 JEDEC 标准的制造商和 设备标识与 64 位唯一序列号。 2,特点 家庭 SpiFlash 的回忆
11、- W25Q64BV:64M 比特/8M 字节(8,388,608) - 每可编程页 256 字节 标准,双路或四路 SPI - 标准的 SPI:CLK,/ CS,DI,DO,/ WP,/保持 - 双 SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1/ WP,/保持 - 四通道 SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1,IO2,IO3 最高性能的串行闪存 - 截至普通串行闪存的 6 倍 - 80MHz 的时钟运行 - 160MHz 的等效双 SPI - 320MHz 的相当于四 SPI - 40MB/ S 的连续数据传输率 高效“连续读取模式” - 低开销指令 - 仅仅在 8 个时钟周期,以解决内存
- 配套讲稿:
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- 特殊限制:
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- 关 键 词:
- W25Q64 中文 资料 汇总
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