雪崩击穿和齐纳击穿的区别.docx

精品文档，仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除雪崩击穿和齐纳击穿的区别一雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产.

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直流击穿电压.pptx

第3讲回顾流注理论不均匀电场的放电特点电晕极不均匀场中的放电过程第1页共44页主放电通道主放电和先导通道的交界区先导通道 第2页共44页先导的发展正棒负板间隙中先导通道的发展先导和其头部的流注;流注头.

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气体击穿理论.pptx

会计学1气体击穿理论气体击穿理论气体击穿理论气体击穿理论气体介质是电力系统和电气设备中常用的绝缘介质,气体介质是电力系统和电气设备中常用的绝缘介质,如,如,空气,空气,CO2,N2,SF6,混合气体等.

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气隙的击穿特性.ppt

气隙的击穿特性一气隙的击穿特性一主要内容主要内容n气隙的击穿时间气隙的击穿时间n伏秒特性伏秒特性n持续作用电压下空气的击穿电压持续作用电压下空气的击穿电压n雷电冲击电压下空气的击穿电压雷电冲击电压下空.

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雪崩击穿与齐纳击穿的区别与误区.doc

雪崩击穿与齐纳击穿的区别首先我们需要了解什么是雪崩击穿什么是齐纳击穿1 雪崩击穿随着反向电压的提高,空间电荷区内电场增强,通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加.当反向电压接近击穿电压UB时,这些有较.

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软化击穿试验仪.docx

仪器名称:软化击穿试验仪1产品主要用途型软化击穿试验仪适用于各漆包圆线检测漆包线的性能.2主要技术参数2.1 检测范围标称直径: 0. 02mni以上3. OOnini及以下;2.2 电源电压:AC2.

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氧化层击穿原理.ppt

任娜weeklyreport20121110氧化层击穿原理研究Outline1.氧化硅的结构和性质2.SiSiO2系统3.氧化硅的击穿模型4.检测氧化硅质量的方法1.氧化硅的结构和性质1二氧化硅的结构.

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固体介质的击穿.ppt

第三节固体介质的击穿固体介质的击穿理论电击穿理论热击穿理论电化学击穿影响固体介质击穿电压的主要因素电压作用时间电场均匀程度温度受潮累积效应电过程,电击穿,电过程,电击穿,热过程,热击穿,热过程,热击穿.

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《气体击穿理论》PPT课件.pptx

高电压绝缘技术高电压绝缘技术第二章第二章气体击穿理论气体击穿理论齐齐 波波Tel:80798601办公室:办公室:教教5楼楼B413Email:HVEMC Laboratory North China.

上传时间：2023-02-06   |   页数：36   |   格式：PPTX   |   浏览：0

《气体击穿理论》PPT课件.ppt

高电压绝缘技术高电压绝缘技术l第二章第二章气体气体击击穿理穿理论论HVEMC Laboratory North China Electric Power University概述概述1 1:电力系统和.

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齐纳击穿教案课件.docx

齐纳击穿和雪崩击穿在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通如图。这个突然的反向导通就是反向.

上传时间：2022-08-07   |   页数：6   |   格式：DOCX   |   浏览：0

电容被击穿的原因.docx

电容被击穿的原因电容击穿的概念电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的,当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电,就破坏了绝缘性能,这一现象称为电介质的击穿.电容器被击穿的条件电容器被击穿的条件.

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稳态电压下的击穿.ppt

第一节 稳态电压下的击穿一均匀直流电场的击穿特性均匀电场只有一种,那就是消除了电极边缘效应的平板电极之间的电场.如果平板间距很大,则为了消除电极边缘效应,必须将电极的尺寸选得很大,这是不现实的.因此工.

上传时间：2022-12-19   |   页数：24   |   格式：PPT   |   浏览：0

气体间隙的击穿强.pptx

电场情况电场情况均匀电场稍不均匀电场极不均匀电场均匀电场稍不均匀电场极不均匀电场影响气体间隙击穿电压的主要因素:影响气体间隙击穿电压的主要因素:高电压工程基础 电压形式电压形式稳态电压直流电压与交流.

上传时间：2023-03-22   |   页数：80   |   格式：PPTX   |   浏览：0

n结击穿PPT课件.ppt

LOGOPN结击穿结击穿LOGO什么是什么是pn结击穿结击穿当对当对pn结施加的反向偏压增大到某一数值结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时,时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为反向电流密度突然.

上传时间：2023-04-16   |   页数：17   |   格式：PPT   |   浏览：0

真空击穿特征考虑.docx

真空击穿特征考虑电子器件杂志2014年第三期1真空击穿机理大气压下的电击穿很多是由于气体放电击穿引起的，但是当真空度较高时，空间里面的气体分子已经很少，气体分子的平均自由程很大，以致于dd为间隙的距离.

上传时间：2022-05-26   |   页数：8   |   格式：DOCX   |   浏览：0

气体间隙的击穿强度.ppt

第二章 气体间隙的击穿强度,电场情况 均匀电场、稍不均匀电场、极不均匀电场,影响气体间隙击穿电压的主要因素：,高电压工程基础,电压形式 稳态电压（直流电压与交流电压）、雷电冲击电压、操作冲击电压,大气.

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mos管雪崩击穿分析.pdf

mos 管雪崩击穿分析本页仅作为文档封面，使用时可以删除This document is for reference onlyrar21year.March功率 MOSFET 雪崩击穿问题分析2008.

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PN结反向击穿原理.doc

作者xxxx日期xxxxPN结反向击穿原理精品文档当PN结上加的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然剧增，这种现象称为PlN结的反向击穿。PN结出现击穿时的反向电压称为反向击穿电压，用u。表示。反向.

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电介质击穿特性.ppt

徐州工程学院 高电压技术第一张,PPT共八十五页,创作于2022年6月电气绝缘2第二章第二章 电介质的击穿特性电介质的击穿特性当绝缘间隙的电压过高时,电介质会由绝缘状态转变为良导体,这种状态称为电介质.

上传时间：2022-10-19   |   页数：85   |   格式：PPT   |   浏览：0