半导体物理试卷b答案.doc

如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流半导体物理试卷b答案精品文档第 6 页一名词解释本大题共5题 每题4分，共20分1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复.

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2022年半导体物理试卷答案B .pdf

第 1 页共 6 页南京理工大学紫金学院课程考试试卷学生考试试卷课程教学大纲编号：04020201 课程名称：半导体物理学分：3 试卷编号：B 考试方式：闭卷考试时间：120 分钟满分分值：100 组.

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半导体物理试卷b答案.docx

优质文本一名词解释本大题共5题 每题4分,共20分1. 直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直接复合.2.本征半导体:不含任何杂质的纯洁半导体称为本征半.

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半导体物理试卷b答案(7页).doc

半导体物理试卷b答案第 6 页一名词解释本大题共5题 每题4分,共20分1. 直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合,这样的复合过程称为直接复合.2.本征半导体:不含任何杂质.

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半导体物理试卷b答案(6页).doc

一名词解释本大题共5题 每题4分，共20分1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。2.本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体称为本征半导体，它.

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半导体物理试卷a答案.doc

如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流一二三四五六 半导体物理试卷a答案精品文档第 5 页七 名词解释本大题共5题 每题4分，共20分1. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情.

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半导体物理试卷b答案(共6页).docx

精选优质文档倾情为你奉上一名词解释本大题共5题 每题4分，共20分1. 直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。2.本征半导体：不含任何杂质的纯净.

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半导体物理试卷a答案(5页).doc

一二三 半导体物理试卷a答案第 5 页四 名词解释本大题共5题 每题4分,共20分1. 受主能级:通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级.正常情况下,此能级为空穴所占据,这个被受主杂质束缚的空穴的能.

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半导体物理试卷答案朱俊.doc

电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 卷 120分钟 考试形式: 闭卷 考试日期 2010年 12月 日课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 .

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半导体物理试卷及答案.docx

一名词解释本大题共 5 题 每题 4 分,共 20 分1. 直接复合:导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带,与价带中的空穴复合, 这样的复合过程称为直接复合.2. 本征半导体:不含任何杂质的纯洁半导体称.

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《半导体器件物理》试卷(二)答案.pdf

半导体器件物理试卷二标准答案及评分细则 一填空共 24 分,每空 2 分1PN 结电击穿的产生机构两种;答案:雪崩击穿隧道击穿或齐纳击穿.2双极型晶体管中重掺杂发射区目的;答案:发射区重掺杂会导致禁带.

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半导体物理试卷a答案(共4页).docx

精选优质文档倾情为你奉上一 名词解释本大题共5题 每题4分，共20分1. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主.

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2022年《半导体器件物理》试卷答案 .pdf

半导体器件物理试卷二标准答案及评分细则一填空共 24 分，每空 2 分1PN 结电击穿的产生机构两种；答案：雪崩击穿隧道击穿或齐纳击穿。2双极型晶体管中重掺杂发射区目的；答案：发射区重掺杂会导致禁带变.

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半导体物理试卷答案-朱俊.doc

电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 卷 120分钟 考试形式: 闭卷 考试日期 2021年 12月 日课程成绩构成:平时 10 分, 期中 5 .

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2009半导体物理试卷-A卷答案.pdf

学院 姓名 学号 任课老师 选课号座位号 密封线以内答题无效 第 1 页 共 10页 电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 A 卷120 分钟考试.

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2022年半导体物理试卷a答案 .pdf

一名词解释本大题共5 题每题 4 分，共 20 分1. 受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级。正常情况下，此能级为空穴所占据，这个被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。2. 直接复.

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2022年《半导体器件物理》试卷答案.docx

名师归纳总结 精品学习资料 半导体器件物理试卷二标准答案及评分细就 一填空共 24 分,每空 2 分1PN 结电击穿的产生气构两种;答案:雪崩击穿隧道击穿或齐纳击穿;2双极型晶体管中重掺杂发射区目的;.

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2022年《半导体器件物理》试卷答案 2.pdf

半导体器件物理试卷一标准答案及评分细则一填空共 32 分，每空 2 分1PN 结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放.

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2022年《半导体器件物理》试卷答案3.docx

名师归纳总结 精品学习资料 半导体器件物理试卷一标准答案及评分细就一填空共 32 分,每空 2 分1 PN 结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种,它们之间的主要区分在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散.

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2010半导体物理试卷答案B(word文档良心出品).pdf

第 1 页共 6 页南京理工大学紫金学院课程考试试卷学生考试试卷课程教学大纲编号:04020201 课程名称:半导体物理学分:3 试卷编号:B 考试方式:闭卷考试时间:120 分钟满分分值:100 组.

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