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HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Security Level: 华为华为LTELTE产品培训交流产品培训交流HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Security Level: 目录目录产品介绍产品介绍规格介绍规格介绍12配置介绍配置介绍3HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 3共平台双模 BBU8通道单通道2通道DRRU3161-faeDRRU3172-fadDRRU3182-FADSingleRAN平台单/双通道、Lampsite双通道、天线RRU一体化八通道、天线RRU一体化八通道、天线RRU一体化双通道、微站DRRU3152-eRRU3182-eRRU3273RRU3277(D频段)微站BTS3205E微站(D频段)Lampsite（E频段）pRRU3901pRRU3902RRU3275DRRU3168e-faRelayRRN3201AAU3240BBU3900BBU3910BladeBBU3910AAAU3215(D频段)DRRU3172mini-fadRRU3235E2015年年TD-LTE集采华为无线投标产品集采华为无线投标产品皮站HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 4序号产品分类频段设备型号输出功率支持载波数推出时间1BBU-BBU3900-老设备2-BBU3910-老设备3-BBU3910A-新设备48通道RRUDRRU32738 * 25 WD: 3*20M 17L老设备5DRRU32778 * 30 WD: 3*20M 17L新设备6FDRRU3168e-fa8 * 22 WFA: 1*20M +15C 20LF改频7双通道RRUFA+D DRRU3172-fadFA:2*30W; D: 2*40WFA:20M + 15C ; D:3*20M 12LF改频8FA+D DRRU3182-FADFA:2*35W; D: 2*60WFA:20M + 15C ; D:3*20M 18L新设备9DRRU32752 * 60 WD: 3*20M 12L老设备10EDRRU3152-e2 * 50 WE: 2*20M +6C 11L老设备11ERRU3182-e2 * 60 WE: 2*20M + 10M 11L新设备12单通道RRUFA+EDRRU3161-faeFA:1*30W; E:1*50WFA:1*20M +15C; E:2*20M +6C 11LF改频产品一览表产品一览表HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 5序号产品分类频段设备型号输出功率支持载波数推出时间13天线RRU一体化DAAU32158 * 30 WD: 3*20M 新设备FA+DAAU3240FA:2*15W; D: 2*30WFA:1*20M + 15C; D: 3*20M 13LF改频1415微站DBTS3205E2 * 5 WD: 2*20M 6L老设备16RelayFRRN3201回传模块：24dBm回传模块：F：1*20M 4LF改频，回传模块单独投标17DRRN3201回传模块：24dBm回传模块：D：1*20M 4L老设备，回传模块单独投标18微RRUFADRRU3172-miniFA：2*10W， D：2*10W8L老设备19DRRU3235E2 * 5 WD: 3*20M 4L新设备20分布式皮站EpRRU39012 * 125 mWE: 1*20M 2.6L老设备21EpRRU39022 * 125 mWE: 2*20M 1.2L新设备产品一览表（续）产品一览表（续）HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 6Blade SiteBBU3910ABlade SiteBBU3910A主要规格主要规格单基带板规格(合一板卡)UMDU=UMPT+UBBPd96*20M 8T8R/12*20M 2T2R（仅TDL）Ir接口速率6*9.8G传输接口FE/GE一光一电对外供电1POE(60W)回传时钟GPS、北斗和1588v2尺寸12L(400 x100 x300mm)、24L(备电)重量12kg，33kg(备电)供电DC -48V功耗150W电源功率容量3000W(满足1BBU+3RRU)，备电20AH防护自然散热，IP65BBU电源（选配）备电（选配）应用场景：公路、郊区、农村特点：“0”站址，2小时安装，MIN故障率HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 78T8R RRU（ RRU3273/RRU3277）RRU 小型态BBU性能优部署快 全新一代ASIC芯片，内置serdes接口，集成度更高，功耗小 首次采用氮化镓功放技术，功放效率显著提升，支持更大输出功率 优化电源等电路，提升效率型号RRU3273RRU3277（三期新产品）配置2.6G 8T8R2.6G 8T8R功率8*25W8*30W载波/带宽3*20M/60M3*20M/60M重量17Kg17Kg尺寸17L17L工作温度-40C55C-40C55C安装方式 抱杆抱杆功耗460W560W型号RRU3273RRU3277（三期新产品）HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 8性能优 新增D频段不需要新增天线和RRU部署快 零馈损，相比FA&D独立电条合入方式，性能提升将近3dB FA&D独立电调FAD天线& D频段RF原FA RRU天线天线RRU一体化设备（一体化设备（ AAU3215）RRU 小型态BBU型号AAU3215（三期新产品）AAU3213配置2.6G 8T8R（有源）+FA 8T8R（无源） 2.6G 8T8R（有源）+FA 8T8R（无源） 功率8*30W8*25W载波/带宽3*20M/60M3*20M/60M天线增益16dBi16dBi电调双频独立电调双频独立电调重量/尺寸35Kg，1400*320*23035Kg，1400*320*230工作温度-40C55C-40C55C安装方式 抱杆抱杆功耗560W460WHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 9双通道双通道FAD RRU 效率更高的新功放管 提升电源的输出功率，并提升效率 优化硬件电路，使用性能更好的器件RRU 小型态BBU设备型号DRRU3172-fadDRRU3182-fad（三期新产品）通道数2通道2通道工作频带宽度F+A+DF+A+D容量F+A：30M+15MD：3*20MF+A：30M+15MD：3*20M输出功率FA:2*30WD:2*40WFA:2*35WD:2*60W光纤接口2*9.8G2*9.8G级联情况6级6级功耗350W560W尺寸（L）12L18L重量（Kg）12kg18kgHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 10室内双通道室内双通道E频段频段RRU 采用效率更高的新功放管 提升电源的输出功率，并提升效率 优化硬件电路，使用性能更好的器件RRU 小型态BBU设备型号DRRU3152-eRRU3182-e（三期新产品）通道数2通道2通道工作频带宽度EE容量2*20M TDL + 6C TDS2*20M +10M TDL输出功率2*50W2*60W光纤接口2*9.8G2*9.8G级联情况6级6级功耗365W375W尺寸（L）11L11L重量（Kg）10kg10kgHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 11室外双通道室外双通道D频段微频段微RRU 易 部 署：书本式造型，Pad大小，天线内/外置按需选择，部署更灵活 高 集 成：依托华为最新一代自研中射频芯片，业界最高集成度，业界一半，更易部署 宏微协同：与宏站共BBU，支持多小区合并，宏微协同效果，网络性能更优异设备型号RRU3235E通道数2通道工作频带D 3*20MHz输出功率2*5W光纤接口2*9.8G级联情况6级功耗90W尺寸（L）4L重量（Kg）4.5kg天线10dBi，支持外接供电AC/DCRRU 小型态小型态BBUHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 12宿主基站 DBS3900RRN中继基站中继站方案一： 回传模块+小站ATOM体积小，利于部署方案二： 回传模块+宏站宏站功率大，覆盖更远RRN灵活部署的华为Relay ，回传模块可与中继基站灵活组合，满足不同覆盖需求RelayRelay延伸延伸LTELTE覆盖覆盖设备型号RRN3201R频率支持 （D频段）2575MHz2635MHz频段 （F频段）1885MHz1915MHz频段 带宽规格20MHz发射功率24dBm， 1T2R天线规格D频段：15dBi，F频段：12dBi体积重量 3.5Kg尺寸4.0L安装方式抱杆/ 挂墙供电方式PoE 供电防护等级IP65RRU 小型态小型态BBUHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 13室内覆盖室内覆盖LampSiteLampSite(pRRU3901/pRRU3902)(pRRU3901/pRRU3902)BBU3900RHUB3908pRRU3902RRU 小型态小型态BBU设备型号pRRU3901pRRU3902（三期新产品）频段1.8(2T2R)+2.3(2T2R)输出功率1*50mW for 1.8G GSM2*125mW for 2.3G TDL1*50mW for 1.8G GSM2*125mW for 2.3G TDLIBWGSM: 20MHzTDL: 20MHz20MHz for GSM2*20MHz for TDL载波数1.8: 4GSM2.3G: 1TDL1.8: 4GSM or 1FDL2.3G: 2TDL(单RF卡)天线内置：2dBi，支持外接天线体积重量2.6L/3Kg1.2L/1.2Kg传输电口千兆以太网电口千兆以太网HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 14目录目录产品介绍产品介绍规格介绍规格介绍12配置介绍配置介绍3HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 15名称名称单板说明单板说明备注备注WMPT4E1主控板，含高灵敏度星卡。提供1个4E1接口+1个FE电口+1个FE光口。UMPTb7含高灵敏度星卡。提供1个4E1接口+1个FE/GE电口+1个FE/GE光口。LCR8.0新增UBBPUBBPb：支持24C的基带处理能力，提供6个CPRI/IR光口，支持2.5/6.144G速率。仅slot2、slot3槽位上的单板提供接口功能。UBBPc：支持12C的基带处理能力，提供6个CPRI/IR光口，支持2.5/6.144G速率。仅slot2、slot3槽位上的单板提供接口功能。LCR6.0新增UBBP(a)：支持12C的基带处理能力，提供3个CPRI/IR光口，支持2.5速率。仅2、3槽位的单板提供接口功能。不新发货UTRPUTRP2：提供2个FE/GE光口。IP组网，需增加FE或GE光口时配发。UTRP3：支持8E1传输，提供2个4E1接口。ATM组网时根据客户需求确认配发数量。FANc/FANd风扇模块，主要用于风扇的转速控制及温度检测。LCR6.0/8.0新增UPEUc/UPEUd电源环境监控模块，支持电源均流，提供8路干结点信号接口和2路RS485信号接口。但注意：ILC29/ILC29 Ver.D中每个机柜风扇会占用一路485端口。LCR6.0/8.0新增部件介绍-BBU-单板功能说明TDS单板功能说明名称名称单板说明单板说明备注备注UMPTUMPTb4：含高灵敏度星卡，提供1个FE/GE电口+1个FE/GE光口。2.0新增UMPTb3：不含星卡，提供1个FE/GE电口+1个FE/GE光口。2.0新增LBBPd/UBBPd9 不支持跨基带板合并（8+2、4+2场景除外），提供6个CPRI/IR光口，支持2.5G/4.9G/6.144G/9.8G速率。双模F/单E/双D频段（3172）仅slot2槽位上的单板提供接口功能，双E（3152-e）、纯D频段(32533257AAU3210RRU3275)、700M RRU（RRU3250）时仅slot4、slot2、slot5、slot1、slot0槽位上的基带板提供接口功能。SRAN3.0新增UBBBPd9FANc/FANd风扇模块，主要用于风扇的转速控制及温度检测。2.0新增UPEUc/UPEUd电源环境监控模块，支持电源均流，提供8路干结点信号接口和2路RS485信号接口。但注意：ILC29/ILC29 Ver.D中每个机柜风扇会占用一路485端口。2.0新增TDL单板功能说明HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 16部件介绍-BBU-单板功能说明TDL基带板规格说明注：由于LBBPd/UBBPd9不支持跨基带板合并(8/4+2除外)，小区合并不同的组合可能导致需要的基带板数量不一样，详细请参见下页的LBBPd/UBBPd9单板资源碎片说明。LBBPd单板规格UBBPd9单板规格HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 17RRU小区合并资源碎片示意图返回主目返回主目录录RRU小区合并资源碎片说明：1. LBBPd/UBBPd9不支持跨基带板合并(8/4+2除外)，也就意味着，LBBPd/UBBPd9的基带碎片资源不能跨基带板共用，小区合并不同的组合可能导致需要的基带板数量不一样。例如：某站点配置20个1T1R 的RRU，当要求小区1、小区2和小区3分别要求配置8个，8个和4个RRU合并时，则2块基带板可以满足要求。当要求小区1、小区2和小区3分别要求配置7个，7个和6个RRU合并时，则需要3块基带板才能满足。因此，一线在进行小区合并操作时需注意LBBPd/UBBPd9 单板的资源碎片问题，避免小区建立不成功。部件介绍-BBU-单板功能说明LBBPd/UBBPd9单板资源碎片问题，以LBBPd 1T1R为例说明：HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 18部件介绍-BBU-单板配置原则名称名称选配选配/ /必配必配最大配置最大配置槽位槽位配置说明配置说明WMPT必配1Slot7TDS 主控板UMPTb7UMPTb4UMPTb3必配1Slot6TDL主控板UBBP必配3Slot05三期TDS基带板，不新发货。槽位优先级：30145UBBPb必配3Slot05TDS基带板。TDS单模时从Slot3出光口。槽位优先级：30145UBBPc必配3Slot05TDS基带板。TDS单模时从Slot3出光口。槽位优先级：30145LBBPd必配4Slot05TDL基带板单F/单E/FA/FAE频段：Slot2Slot0Slot1Slot4Slot5（Slot2出光口）双E/D频段：Slot4Slot2Slot5Slot1Slot0（Slot4，Slot2，Slot5，Slot1和Slot0出光口，每槽位最多6个光口）UBBPd9FANc必配1FAN风扇模块，仅配套BBU3900。FANd必配1FAN风扇模块，仅配套BBU3910。UPEUc必配2PWR2、PWR1BBU3900电源环境监控模块，仅配套BBU3900。槽位优先级：PWR2PWR1UPEUd必配1PWR2电源环境监控模块，仅配套BBU3910。UTRP选配2Slot5、Slot4传输扩展板。槽位顺序：Slot5Slot4BBU单板配置原则返回主目返回主目录录注： TDS基带板：支持各种基带板的混插，BBI优先级：UBBPbUBBPcUBBPa。 TDL基带板：支持各种基带板的混插，BBI优先级：UBBPd9LBBPd。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 19部件介绍-BBU-配置规格说明l光口使用原则：RRU包括DRRU3168(e)-fa、DRRU3162-fa、DRRU3161-fae、 DRRU3172-fad、 DRRU3158(e)-fa、DRRU3152-fa、DRRU3151(e)-fae 、DRRU3151-fa ，有LTE业务时从Slot2的LTE基带板出光口。RRU包括DRRU3152-e 、RRU3253 、 RRU3257 、 RRU3275 、 RRU3250 、 AAU3210，从Slot4/2/5/1/0的LTE基带板出光口。l时钟方案：现网TDS存量向TDS-TDL双模演进时，新增LTE制式的时钟同步方式借用现有TDS的时钟同步系统（共享方式）， TDS-TDL双模共用时钟源，无需新增GPS或功分器。SRAN 2.0/3.0 GPS可接在TDS或TDL主控板上， 当接在TDS主控板上时，TDL可共享TDS的时钟源，当接在TDL主控板上时，TDS可共享TDL的时钟源；双模新建站，TDS主控板使用带星卡主控板，TDL主控板使用不带星卡的主控板，GPS接在TDS主控板上，TDL共享TDS时钟源；SRAN 2.0/3.0仅支持GPS的共享和互锁和1588V2的互锁，不支持1588V2的共享以及1pps+TOD时钟源，其中GPS也仅支持部署在主控板上，不支持部署在USCUb上。l传输方案： TDS-TDL双模改造时， Iub接口采用分路传输：TDS传输不改动，TDL新增IP传输，采用GE光或GE电接口， 推荐采用GE光传输。双模新建站时， Iub、S1/X2接口采用分路传输，Iub推荐采用FE光传输。 S1/X2推荐采用GE光传输。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 20部件介绍-RRU-配置规格说明lRRU双光纤原则：对于DRRU3158(e)-fa的双模场景，单小区当大于20M+6C场景采用双光纤方案(6.144G) 。对于DRRU3168(e)-fa的双模场景，单小区当大于20M+6C场景采用双光纤方案(6.144G)或单光纤方案(9.8G)，建议采用9.8G单光纤方案。LCR 8.0及后续版本不支持TDS单模双光纤组网规格。lRRU级联原则：考虑实际应用的约束、容量、工程便利性、可靠性以及双模演进，8通道RRU不允许级联，特殊情况请联系研发。考虑双模室分系统光口数量限制，建议室分RRU级联时尽量把推荐的级联数用满，不推荐星型连接。DRRU3151/3161系列与DRRU3152系列允许在同一个BBU内混用，但不允许级联。 不推荐不同规格的RRU级联，如果非要级联，则高规格RRU的规格下降，与低规格RRU相同。在非压缩场景，采用UBBPd9单板，组网规格为3*20M/8T8R+3*20M/2T2R，2T2R RRU的拉远规格最大20km，对一线可以约束最大两级级联，或者三级级联的总拉远距离小于20km。返回主目返回主目录录HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 21部件介绍-RRU-配置规格说明返回主目返回主目录录RRU类型站型光口速率SRAN 2.0级联数（推荐级联/最大级联）SRAN 3.0级联数（推荐级联/最大级联）压缩压缩RRU3151-faRRU3151-fae1*20M+9C6.144G4/64/6RRU3151e-faeRRU3161-fae2*20M+12C2*20M+15C(SRAN3.0)6.144G4/44/49.8G4/6注：前3个光口最大6级，此时后3个光口无法使用。4/6注：配套LBBPd时前3个光口最大6级，此时后3个光口无法使用。配套UBBPd9时6个光口都可以支持6级。1*20M+12C1*20M+15C(SRAN3.0)6.144G4/64/69.8G4/64/6RRU3152-faRRU3162-fa1*20M+9C6.144G2/32/31*20M+6C6.144G2/42/4RRU3152-e2*20M4.9G2/22/29.8G2/3注：前3个光口最大3级，此时后3个光口无法使用。2/4注：配套LBBPd时前3个光口最大3级，此时后3个光口无法使用。配套UBBPd9时6个光口都可以支持4级。1*20M4.9G2/42/49.8G2/42/4RRU级联规格表HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 22部件介绍-RRU-配置规格说明返回主目返回主目录录RRU类型站型光口速率SRAN 2.0级联数（推荐级联/最大级联）SRAN 3.0级联数（推荐级联/最大级联）压缩压缩RRU3172-fad3*20M+12C(SRAN3.0)6.144G1/11/19.8G2/22/22*20M+12C2*20M+15C(SRAN3.0)2*20M+6C6.144G2/22/29.8G2/3注：前3个光口最大3级，此时后3个光口无法使用。2/3注：配套LBBPd时前3个光口最大3级，此时后3个光口无法使用。配套UBBPd9时6个光口都可以支持3级。1*20M+12C1*20M+15C(SRAN3.0)1*20M+6C6.144G2/32/39.8G2/42/4RRU32753*20M9.8G2/22/22*20M9.8G2/3注：前3个光口最大3级，此时后3个光口无法使用。2/3注：配套LBBPd时前3个光口最大3级，此时后3个光口无法使用。配套UBBPd9时6个光口都可以支持3级。1*20M9.8G2/42/4RRU级联规格表（续)注：1.因为LBBPd规格是6*20M/2T2R，所以RRU3152-e在2*20M组网规格时无法实现4级级联，UBBPd9可以支持在2*20M组网规格时实现4级级联。2.如果采用单载波+多级联的组网方式（以上蓝色背景），进行载波扩容时需要进行RRU拓扑改造。3.上表1*20M+6C、2*20M+6C中的级联规格适用于高铁、N+M方案。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 23部件介绍-RRU-配置规格说明返回主目返回主目录录RRU个数规格表（TDL单模/TDS-TDL双模）站型与RRU类型SRAN 1.0规格SRAN 2.0规格SRAN 3.0规格1*20M1T1RRRU3151(e)-faeRRU3161-fae24 光口：6光口*6级=36个 基带：6 RRU*4基带板=24个36 光口：6光口*6级=36个 基带：12 RRU*1 BBI+10 RRU*3 BBP=42个36 光口：6光口*6级=36个 基带：12 RRU*4基带板=48个2T2RRRU3152-faRRU3162-fa18 光口：6光口*3级=18个 基带：6 RRU*1BBI+5 RRU*3 BBP=21个18（16） 光口：6光口*3级=18个 基带：6 RRU*1BBI+5 RRU*3 BBP=21个18（16） 光口：6光口*3级=18个 基带：12 RRU*1BBI+8 RRU*3 BBP=36个2T2RRRU3152-e24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个48 光口：分散出纤，不受限 基带：12 RRU*4基带板=48个2T2RRRU3172-fadNA18（高铁12） 光口： 6光口/6.144G*3级=18个 6光口/9.8G*4级=24个 基带：6 RRU*1 BBI+5 RRU*3 BBP=21个18（高铁12） 光口：6光口/6.144G*3级=18个6光口/9.8G*4级=24个 基带：12 RRU*1 BBI+8 RRU*3 BBP=36个 2T2RRRU3275NA24光口：分散出纤，不受限基带：6 RRU*4基带板=24个48 光口：分散出纤，不受限 基带：12 RRU*4基带板=48个HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 24部件介绍-RRU-配置规格说明返回主目返回主目录录RRU个数规格表（TDL单模/TDS-TDL双模）注：1.单BBU最大支持的RRU个数取决与光口级联能力和基带资源规格中的较小值，单BBU最多支持4块LTE基带板。2.如果采用”小载波（比如单载波扩容双载波，或双载波扩容三载波等）+多RRU”的组网方式，进行载波扩容时需要进行BBU拆分，必须提前知会客户。站型与RRU类型SRAN 1.0规格SRAN 2.0规格SRAN 3.0规格2*20M1T1RRRU3151e-faeRRU3161-fae12 光口：6光口/6.144G*4级=24个 基带：3 RRU*4基带板=12个18 光口：6光口/6.144G*4级=24个 3光口/9.8G*6级=18个 基带：6 RRU*1 BBI+5 RRU*3 BBP=21个24 光口：6光口/9.8G*6级=36个 基带：6 RRU*4基带板=24个2T2RRRU3152-e12 光口：分散出纤，不受限 基带：3 RRU*4基带板=12个12 光口：分散出纤，不受限 基带：3 RRU*4基带板=12个24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个2T2RRRU3172-fadNA9 光口： 6光口/6.144G*2级=12个 3光口/9.8G*3级=9个 基带：3 RRU*1 BBI+2 RRU*3 BBP=9个12 光口： 6光口/6.144G*2级=12个 6光口/9.8G*3级=18个 基带：6 RRU*1 BBI+4 RRU*3 BBP=18个2T2RRRU3275NA12光口：分散出纤，不受限基带：3 RRU*4基带板=12个24 光口：分散出纤，不受限 基带：6 RRU*4基带板=24个HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 25部件介绍-RRU-配置规格说明(续)小区合并规格：uTDS小区合并原则lTDS的RRU合并小区和TDL的RRU合并小区相互独立。lTDS支持跨基带板合并小区，普通模式推荐最大使用8path合并，最大支持16Path合并。uTDL小区合并原则l同一LBBPd基带板上的12个1T1R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区， RRU数量超过6个需要双拼。或6个2T2R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区，高铁场景最大支持3个小区， RRU数量超过3个需要双拼。l同一UBBPd9基带板上的12个1T1R/2T2R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区， RRU数量超过6个需要双拼。l不支持跨基带板小区合并。1path场景 UBBPd9 BBI和BBP都支持12个1T1R RRU(1*20M)、6个小区或6个1T1R RRU(2*20M)、6个小区的室分小区合并； BBI槽位的LBBPd支持12个1T1R RRU(1*20M)、6个小区或6个1T1R RRU(2*20M)、6个小区的室分小区合并， BBP槽位的LBBPd支持10个1T1R RRU(1*20M)、6个小区或5个1T1R RRU(2*20M)、5个小区的室分小区合并。 SRAN2.0单BBU最大支持18个小区， SRAN3.0单BBU最大支持36个小区。2path场景 BBI槽位的UBBPd9支持12个2T2R RRU(1*20M)、6个小区或6个2T2R RRU(2*20M)、6个小区的室分小区合并； BBP槽位的UBBPd9支持8个2T2R RRU(1*20M)、6个小区或4个2T2R RRU(2*20M)、6个小区的室分小区合并； BBI槽位的LBBPd支持6个2T2R RRU(1*20M)、 6个小区或3个2T2R RRU(2*20M)、 6个小区的室分小区合并， BBP槽位的LBBPd支持5个2T2R RRU(1*20M)、 5个小区或2个2T2R RRU(2*20M)、 5个小区的室分小区合并。 SRAN2.0单BBU最大支持18个小区， SRAN3.0单BBU最大支持36个小区。注：同频点时，支持同通道数不同RRU类型的双拼。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 26产品规格和限制说明物理小区及其数量计算方法物理小区及其数量计算方法1、物理小区的概念物理小区：是站在基带的角度看到的一个逻辑小区的基带处理的最小单位，对应1个小区扇区设备。小区扇区设备（EuSectorCellEqm）：指小区使用的扇区设备以及基带设备。2、物理小区数量的计算方法物理小区数量 = EuCellSectorEqm（小区扇区设备）的数量，可以通过 LSTEUCELLSECTOREQM 查询。计算方法：l不双拼场景：物理小区数量 = SUM（每个小区RRU数量）；l双拼场景：物理小区数量 = SUM（每个小区RRU数量/2向上取整）；l举例：以宏站/室分的双拼场景为例说明。组网信息组网信息扩容前扩容前扩容后扩容后基站类型基站类型基带板数量基带板数量小区中的小区中的RRURRU数量数量小区数量小区数量物理小区数物理小区数小区数量小区数量物理小区数物理小区数宏站宏站1 11/1/11/1/1（均为（均为1 1个）个）3 33 36 66 6室分室分1 14/2(4/2(一个一个4 4个，另一个个，另一个2 2个个) )2 22+1=32+1=34 46 6室分室分1 13/3(3/3(均为均为3 3个个) )2 22+2=42+2=44 48 8HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 27产品规格和限制说明小区合并规格介绍小区合并规格介绍TDL小区合并规格（以下描述的小区，均指物理小区）：l同一LBBPd基带板上的12个1T1R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区，单载波时RRU数量超过6个需要双拼。双载波时RRU数量超过3个需要双拼。或6个2T2R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区，高铁场景最大支持3个小区，RRU数量超过3个需要双拼。l同一UBBPd9基带板上的12个1T1R/2T2R RRU可以合并为一个小区，最大支持6个小区，单载波时RRU数量超过6个需要双拼；双载波时RRU数量超过3个需要双拼。l不支持跨基带板小区合并。lSRAN2.0单BBU最大支持18个小区， SRAN3.0单BBU最大支持36个小区。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 28LTE载波扩容站点实施原则站点实施原则站点实施原则1、LTE载波扩容方案评估要素考虑基带板规格：物理小区数，20M的数量；考虑RRU级联规格：RRU类型、光模块速率、载波数量；考虑背板通道规格：组网场景（高铁/非高铁）、基带板类型；考虑RRU能力：如3151-fae不支持双载波；考虑电源和风扇能力：主要新增C板或者替换A板；考虑传输带宽：载波数量；考虑网管管理能力影响：基站数量、载波数量；考虑硬件License：RRU支持多载波有硬件License控制；2、基站硬件扩容原则基带板：l根据基带板实际能力，评估是否需要新增UBBPd9以及新增的数量；lLBBPd4回收原则：各局点跟客户沟通，单BBU满配置不超过4块基带板；主控板：保证主控板和基带板的配套（eRAN7.0禁止UMPTa+UBBPd9 配套使用，eRAN8.0以后版本不受限）；RRU：3151-fae不支持双载波，需要更换为3161-fae；风扇板：使用FANc或者FANd类型，否则需要更换；电源板：配置两块UPEUc或者一块UPEUd（具体类型和机框类型相关），否则新增或者更换；RRU级联级数和光模块：核查是否超过规格，超过的站点进行整改。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 29Opt1:BBU Only架构(适用UMTS /LTE-FDD /LTE-TDD+LTE-FDD)Opt3:集成WiFi架构(适用UMTS /LTE-FDD /LTE-TDD/WiFi)（带WiFi）以太网交换机Cate5eACOpt2:BBU+DCU架构LAMPSITE组网HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 30LAMPSITE单单双网线所支持的带宽配置双网线所支持的带宽配置网线数量网线数量 CPRI压缩比压缩比(2：1)CPRI压缩比压缩比(3：1) CPRI压缩比压缩比(4：1)G+U1根 2U+GSM 201根B. 1*L10+GSM 10B. 1*L10+GSM 10 B.1*L20+GSM 10 C.1*L20+GSM 8C+1*L1根同上同上 同上 G+2*L2根2*L必须在一根网线上2*L必须在一根网线上2*L必须在一根网线上类别类别序号序号组网限制说明组网限制说明入口功率入口功率1DCU的RFC射频板端口不能不能输入总功率大于20dBm的射频信号，信源为RRU时，需要根据RRU的发射功率选择2030dB的衰减器/耦合器，不可不可直接将RRU信号接入RFC端口，会造成RFC单板损坏。 光模块光模块4BBU-DCU-RHUB之间的光纤链路，光模块必须为9.8G。拉远拉远5GSM/CDMA组网时，BBU-DCU-末级RHUB光纤拉远距离不超过10KM，DCU-末级RHUB光纤拉远距离不超过3KM；涉及到DCU与BBU混合组网，取DCU和BBU的组网限制交集。 BBU和DCU之间各个光口的光纤长度尽量保持一致，最大长度差小于30m（确保BBU到DCU的基带数据时延对齐）。6BBU+DCU联合双网线组网时，BBU侧配置为负荷分担方式；不允许配置为单链方式。BBU+DCU双网线组网时，pRRU上的网线优先占用RHUB的01/23/45/67网口，配对使用，pRRU的供电口E0口优先插在偶数口，E1口优先插在奇数口，DCU配置在E1口对应的RHUB GE口。组网规格组网规格7不支持不支持：多个BBU接入一个DCU的场景；支持：一个BBU接入一个DCU、一个BBU接入多个DCU。建议组网设计时按照1：1设计。8DCU的一条光纤上通过 4级RHUB级联，最多可以连接16个pRRU，系统最大规格为96个pRRU。9禁止禁止GSM信源与DCU+Lampsite共覆盖共覆盖相同区域。LAMPSITE组网限制HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 31光口CPRI压缩模式BBU-RHUB间光口CPRI压缩模式由CELL.CPRICompression决定，压缩模式可配置为“不压缩”或“普通压缩”。电口CPRI压缩模式RHUB-pRRU间电口CPRI压缩模式由CELL.CpriEthCompressionRatio决定，配置为“2:1压缩”、“3