AEC-Q200试验条件.doc

+说明：AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但是在高温工作寿命就需要，温度循环与温度冲击，其试验目的与手法不一样，在温度循环中高低温变化需控制温变率，温冲击则不用，偏高湿度就是俗称的高温高湿试验，而湿度抵抗就是湿冷冻试验试验条件注意事项：1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测高温储存(MIL-STD-202-108)：适用设备：THS 薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85/1000h电感、变压器、电阻：125/1000h变阻器：150/1000h钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：最大额定温度/1000h高温工作寿命(MIL-STD-202-108)：适用设备：THS 网络低通滤波器、网络电阻：85/1000hEMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85/1000h/施加额定IL钽电容、陶瓷电容：最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压 铝电解电容、电感、变压器：105/1000h薄膜电容：1000h/(85/125%额定电压、105&125/100%额定电压)自恢复保险丝：125/1000h电阻、热敏电阻、可变电容：125/1000h/额定电压可变电阻：125/1000h/额定功率变阻器：125/1000h/额定电压85+ma电流陶瓷共鸣器：85/1000h/额定VDD+1M，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容石英震荡器：125/1000h/额定VDD+1M，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容温度循环(JEDEC22A-104)：适用设备：TSR、ESS 薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：-55(30min)85(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles铝电解电容：-40(30min)105(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40(30min)125(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles网络低通滤波器、网络电阻：-55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles温度冲击(MIL-STD-202-107)：适用设备：TC、TSK自恢复保险丝：-40(15min)125(15min)/300cycles 偏高湿度(MIL-STD-202-103)：适用设备：THS 钽电容、陶瓷电容：85/85%R.H./1000h/电压1.31.5V电感&变压器：85/85%R.H./1000h/不通电铝电解电容：85/85%R.H./1000h/额定电压EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85/85%R.H./1000h/额定电压电流电阻、热敏电阻：85/85%R.H./1000h/工作电源10%自恢复保险丝：85/85%R.H./1000h/额定电流10%可变电容、可变电阻：85/85%R.H./1000h/额定功率10%网络低通滤波器&网络电阻：85/85%R.H./1000h/电压网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)变阻器：85/85%R.H./1000h/额定电压85+ma电流石英震荡器、陶瓷共鸣器：85/85%R.H./1000h/额定VDD+1M，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容薄膜电容：40/93%R.H./1000h/额定电压湿度抵抗(MIL-STD-202-106)：适用设备：THS薄膜电容：(2565/90%R.H.*2cycle)/18h-10/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电AEC-Q200专有名词整理：简称中文英文说明8D解决问题方法AEC汽车电子设备协会Automotive Electronic Council由车厂克赖斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽车(GM)发起并创立于1994年，目前会员遍及全球各大汽车厂、汽车电子与半导体厂商。AEC-Q001零件平均测试指导原则AEC-Q002统计式良品率分析的指导原则AEC-Q003芯片产品的电性表现特性化的指导原则AEC-Q005无铅测试要求AEC-Q100基于集成电路应力测试认证的失效机理规范了零件供货商所必须达成的产品质量与可靠度，试验条件多仍以JEDEC或MIL-STD为主，外加上其它独立建置的测试手法。AEC-Q100-001邦线切应力测试AEC-Q100-002人体模式静电放电测试AEC-Q100-003机械模式静电放电测试AEC-Q100-004集成电路闩锁效应测试AEC-Q100-005可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试AEC-Q100-006热电效应引起的寄生闸极漏电流测试AEC-Q100-007故障仿真和测试等级AEC-Q100-008早期寿命失效率（ELFR）AEC-Q100-009电分配评估AEC-Q100-010锡球剪切测试AEC-Q100-011带电器件模式的静电放电测试AEC-Q100-01212V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述AEC-Q101汽车级半导体分立器件应力测试认证AEC-Q200无源器件应力测试标准AEC-Q200-001阻燃测试AEC-Q200-002人体模式静电放电测试AEC-Q200-003横梁负载、断裂强度AEC-Q200-004自恢复保险丝测量程序AEC-Q200-005板弯曲度测试AEC-Q200-006表面贴装后的剪切强度测试AEC-Q200-007电涌测试汽车等级认证Automotive Grade QualificationDWV耐压DPM百万缺陷数defect per million半导体组件的缺陷率EIA-469破坏性的物理分析EIA-198陶瓷电介质电容器EIA-535钽电容ESD静电放电EWS电性晶圆测试Eletrical Wafer SortFIT故障时间HRCF高可靠性认证流程High Reliability Certified FlowIEC 10605静电放电人体模式ISO-26262车辆机能安全ISO-7637-1道路车辆电子干扰JEDEC-STD-002可焊性规格JEDEC-STD-121测量锡和锡合金表面涂层的锡须生长测试方法JEDEC-STD-201锡和锡合金表面涂层的锡须环境验收要求JEDEC22A-104温度循环MIL-PRF-27电感/变压器的测试方法MIL-STD-202国防部标准电子及电气组件测试方法NEMI东京锡须会议PPAT参数零件平均测试Parametric Part Average TestingPPB十亿分之一Parts Per Billion筛选方法Screening MethodSYA统计性良率分析Statistical yield analysis应力测试Stress TestUL-STD-94塑料材料可燃性测试