沈阳碳化硅晶片项目申请报告模板参考.docx

MACRO 泓域咨询 /沈阳碳化硅晶片项目申请报告沈阳碳化硅晶片项目申请报告xx（集团）有限公司目录第一章 项目背景分析8一、 影响行业发展的主要因素8二、 行业发展现状11第二章 市场预测13一、 行业竞争情况13二、 行业发展前景14三、 行业进入壁垒15第三章 总论17一、 项目名称及项目单位17二、 项目建设地点17三、 可行性研究范围17四、 编制依据和技术原则18五、 建设背景、规模19六、 项目建设进度20七、 原辅材料及设备20八、 环境影响20九、 建设投资估算21十、 项目主要技术经济指标21主要经济指标一览表22十一、 主要结论及建议23第四章 建筑工程方案25一、 项目工程设计总体要求25二、 建设方案25三、 建筑工程建设指标27建筑工程投资一览表27第五章 选址分析29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 创新驱动发展32四、 社会经济发展目标32五、 产业发展方向33六、 项目选址综合评价35第六章 产品规划方案36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第七章 SWOT分析38一、 优势分析（S）38二、 劣势分析（W）39三、 机会分析（O）40四、 威胁分析（T）40第八章 法人治理48一、 股东权利及义务48二、 董事50三、 高级管理人员55四、 监事57第九章 发展规划分析58一、 公司发展规划58二、 保障措施64第十章 进度规划方案66一、 项目进度安排66项目实施进度计划一览表66二、 项目实施保障措施67第十一章 组织架构分析68一、 人力资源配置68劳动定员一览表68二、 员工技能培训68第十二章 安全生产71一、 编制依据71二、 防范措施73三、 预期效果评价76第十三章 环保分析77一、 编制依据77二、 环境影响合理性分析78三、 建设期大气环境影响分析80四、 建设期水环境影响分析82五、 建设期固体废弃物环境影响分析83六、 建设期声环境影响分析83七、 营运期环境影响85八、 环境管理分析85九、 结论及建议87第十四章 投资方案89一、 投资估算的依据和说明89二、 建设投资估算90建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表94固定资产投资估算表95四、 流动资金96流动资金估算表97五、 项目总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表99第十五章 项目经济效益分析101一、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表105二、 项目盈利能力分析106项目投资现金流量表108三、 偿债能力分析109借款还本付息计划表110第十六章 风险风险及应对措施112一、 项目风险分析112二、 项目风险对策114第十七章 总结分析116第十八章 附表附录118建设投资估算表118建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表125项目投资现金流量表126本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目背景分析一、 影响行业发展的主要因素1、有利因素针对碳化硅行业的终端应用，国际及国内市场投资及开发正在逐渐加大，碳化硅单晶材料行业的市场在快速增长，因此碳化硅单晶材料的市场将会在近5年有爆发式的增长。2012年5月30日，国务院通过了“十二五”国家战略性新兴产业发展规划，提出了节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等七大战略性新兴产业的重点发展方向和主要任务，指出新一代信息技术的突破方向是“超高速光纤与无线通信、先进半导体和新型显示等新一代信息技术”。由此先进半导体历史性纳入国家重点发展战略，成为战略新兴产业的重点发展方向。2012年7月，科技部出台半导体照明科技发展“十二五”专项规划中将“半导体照明用碳化硅衬底制备技术研究”明确列为“前沿技术研究”，并计划推出半导体照明应用产品中央财政补贴政策以及推进“十城万盏”试点示范工程应用。2012年7月，科技部出台智能电网重大科技产业化工程“十二五”专项规划中，将突破大规模间歇式新能源电源并网与储能、智能配用电、大电网智能调度与控制、智能装备等智能电网核心关键技术列为总目标。要实现该总目标，关键之一就是电网设备制造产业升级，如新型电力电子器件等。SiC基电力电子器件具有低能耗、高转换效率特征，将成为新型电力电子器件优先发展方向。2012年7月，国务院出台节能与新能源汽车发展规划(2011年至2020年)指出：“到2020年，纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆、累计产销量超过500万辆”。规划要求加强新能源汽车关键零部件研发，重点支持驱动电机以及电动空调、电动转向、电动制动器等电动化附件的研发。由于SiC基功率器件（如整流器、转换器、逆变器等）在节能方面有着其他衬底材料不可比拟的优势，因此可以预见未来几年SiC基器件产业在国内也将迅速发展。2013年，科技部正式启动“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项，将“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化”作为专项的主要任务之一。科技部在“国家高技术研究发展计划（863计划）、国家科技支撑计划制造领域2014年度备选项目征集指南”中也提出要加强高端装备和关键技术的研制，完成面向高压电力电子器件的大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究，以及针对电网、机车、风电等领域的需求，开展高压SiC电力电子器件制造所需的4-6寸SiC单晶生长炉、外延炉等关键装备研制，并开展1200、1700、3300和8000V的相关器件制造工艺技术验证，2015年达到中试水平。2016年3月，第十二届全国人民代表大会表决通过了关于国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要，提出国家将大力支持新一代信息技术、新能源汽车、生物技术、绿色低碳、高端装备与材料、数字创意等领域的产业发展壮大，并大力推进先进半导体、机器人、增材制造、智能系统、新一代航空装备、空间技术综合服务系统、智能交通、精准医疗、高效储能与分布式能源系统、智能材料、高效节能环保、虚拟现实与互动影视等新兴前沿领域创新和产业化，形成一批新增长点。2、不利因素目前全球具备量产碳化硅晶体能力的只有Cree、Rohm、新日铁等少数几家公司，同时由于Cree在SiC领域注册了大量的专利，因此上述少数几家公司占据了SiC单晶市场较大份额，这在一定程度上会抑制国内相关行业的发展速度。另外，GaN与SiC材料都属于第三代半导体材料，两者在性能上各有千秋，处于竞争态势。目前，碳化硅单晶材料发展比GaN材料成熟，已正式实现产业化，GaN单晶材料处于研究开发阶段，未来GaN单晶材料行业的发展也会在一定程度上制约碳化硅单晶材料行业的发展。二、 行业发展现状碳化硅（SiC）是继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）之后发展起来的第三代宽禁带半导体（即SiC、GaN、ZnO、AlN、金刚石等）的代表，也是目前发展最成熟的第三代宽禁带半导体。相比于第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs，第三代半导体SiC具有更高的热导率（热导率约是Si的3倍、GaAs的10倍），更高的击穿电场（击穿电场约是Si的10倍、GaAs的5倍）、更高的饱和电子漂移速率（饱和电子漂移速率约是Si和GaAs的2倍）、更宽的带隙（禁带宽度约是Si的3倍、GaAs的2倍）以及更好的热稳定性和化学稳定性。由于SiC材料优异的物理电学性能，用SiC材料替代Si材料，将从根本上提升现有电力电子器件功率模块的工作效率、降低功率损耗、实现节能减排，减少散热装置、减小系统体积和重量，提高工作温度，实现集高功率、高温、高效率和高可靠性于一身的电力电子器件：（1）SiC的击穿电场强度比Si大一个数量级，可减薄器件中耐压层的厚度，使得通态电阻小于Si器件，达到降低功率损耗，实现节能减排；与Si基器件相比，SiC基器件可降低能耗约70%；（2）SiC的热导率优于Si，可大幅度减少Si基器件的庞大散热系统；（3）SiC的禁带宽度约是Si的3倍，并且熔点高，可在600以下温度长时间工作，远高于Si材料的180工作温度。SiC材料被认为是制造高温、高频、大功率电子器件的理想半导体材料，在家用电器、风能光伏、汽车电子、智能电网、轨道交通、航天航空、石油勘探、微波通讯、军事等领域具有广阔应用前景。此外，SiC在制备高亮度发光二极管（LED）方面具有显著的优势。首先，SiC与氮化镓（GaN）的晶格失配率仅为3.5，并且两者的热膨胀系数非常接近；其次，SiC良好的导热性可有效解决大功率、高亮度LED的散热问题；再次，导电型SiC单晶衬底（电阻率小于0.03cm）可制作低功耗电极，大大降低LED的功率损耗。第二章 市场预测一、 行业竞争情况目前全球碳化硅行业企业主要有美国Cree公司、II-VI公司、Dow-Corning公司，德国SiCrystal公司（2009年被日本Rohm公司收购），日本NipponSteel（新日铁）公司。目前国际碳化硅市场仍被美国Cree公司垄断，但其市场份额正在逐年下降，从2008年的75%下降到2015年的50%左右；包括II-VI公司、SiCrystal公司、天科合达和Dow-Corning公司的市场份额则逐年递增。国际碳化硅行业企业除美国Cree、II-VI公司、SiCrystal公司外，其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够有效缩短产品研发周期，但如此布局也面临着在整条产业链与上、下游各公司激烈竞争的弊端。SiCrystal公司已经被日本Rohm公司收购，产品将主要应用于Rohm公司的器件生产。其余几家公司包括美国II-VI公司、DowCorning公司以及日本NipponSteel公司的主营业务都不是SiC单晶晶片的生产与制造。我国SiC材料研发工作始于上世纪90年代末期，国内开展SiC晶体生长的研究单位主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。二、 行业发展前景1、全球行业发展前景碳化硅半导体是近年来国际研究的热点。2013年日本政府将碳化硅纳入了“首相战略”，认为未来50%的节能要通过它来实现；2014年1月，美国总统奥巴马也亲自主导成立了由18家企业和6所大学共同组成的美国碳化硅产业联盟，协同美国联邦政府共同提升美国制造业。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体获得联邦和地方政府的合力支持，1.4亿美元的总支持额将用于提升美国在该新兴产业方面的国际竞争力。第一代元素半导体材料Si晶体一直以来都在半导体领域占据统治地位。随着电子技术的发展，人们对超高频光电子器件的要求越来越高，但由于Si本身的性质导致了其很难在高频、高温、大功率和强辐射环境等极端条件下正常工作。以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比，SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显优势。目前，碳化硅产品已经成功应用在电力电子器件领域、微波通信领域、LED照明领域。如今，人们正在研究基于碳化硅单晶的石墨烯材料制备、非线性光学晶体开发，未来碳化硅晶体的应用领域将进一步扩大。2、国内行业发展前景我国在SiC单晶生长方面的研究起步较晚，但国内几家科研发力量很强的单位在SiC单晶材料制备研究已具有一定的基础，并取得了较大的突破。国内开展SiC晶体生长研究的单位有中国科学院物理研究所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有天科合达、山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。天科合达在国内首次建立了一条完整的从生长、切割、研磨到化学机械抛光（CMP）的SiC晶片中试加工线，建成了百级超净室，开发出SiC晶片表面处理、清洗封装工艺技术。目前，中国制造2025以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业，国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域的应用开始陆续加大投资，碳化硅行业在国内方兴未艾。三、 行业进入壁垒碳化硅晶体材料属于第三代半导体材料，属于资金密集型投资行业，具有一定的投资壁垒；同时行业属于新兴行业，技术积累较少，技术门槛很高，具有较高的技术壁垒。第三章 总论一、 项目名称及项目单位项目名称：沈阳碳化硅晶片项目项目单位：xx（集团）有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约82.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）技术原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。五、 建设背景、规模（一）项目背景目前SiC单晶晶片工业化应用领域包括高亮度LED（以美国Cree、德国欧司朗等公司为代表），家用电器如空调、冰箱、微波炉等（以东芝、松下、日立等公司为代表），风力发电（以三菱、住友等公司为代表），混合动力汽车（以日产、丰田等公司为代表）。在美国，采用SiC晶片的射频微波器件已经在通讯基站、军用通讯市场大规模使用。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积54667.00（折合约82.00亩），预计场区规划总建筑面积95885.70。其中：生产工程59217.49，仓储工程18984.42，行政办公及生活服务设施11604.00，公共工程6079.79。项目建成后，形成年产xx万片碳化硅晶片的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xx（集团）有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 原辅材料及设备（一）项目主要原辅材料该项目主要原辅材料包括硅片、磷纸、石英杆舟、电子清洗液、哈摩粉、异丙醇、硅单晶片、预扩石英管、主扩SIC管、热电偶、高纯洗净剂、高纯液态磷源、抛光液。（二）主要设备主要设备包括：减薄机、贴膜机、划片机、粘片机、焊线机、测试设备、分选机、烘箱。八、 环境影响本项目符合国家产业政策，符合宜规划要求，项目所在区域环境质量良好，项目在运营过程应严格遵守国家和地方的有关环保法规，采取切实可行的环境保护措施，各项污染物都能达标排放，将环境管理纳入日常生产管理渠道，项目正常运营对周围环境产生的影响较小，不会引起区域环境质量的改变，从环境影响角度考虑，本评价认为该项目建设是可行的。九、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资36166.47万元，其中：建设投资29656.31万元，占项目总投资的82.00%；建设期利息414.60万元，占项目总投资的1.15%；流动资金6095.56万元，占项目总投资的16.85%。（二）建设投资构成本期项目建设投资29656.31万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用26152.30万元，工程建设其他费用2630.29万元，预备费873.72万元。十、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入68100.00万元，综合总成本费用53332.22万元，纳税总额6951.70万元，净利润10806.68万元，财务内部收益率24.17%，财务净现值22298.09万元，全部投资回收期5.23年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积54667.00约82.00亩1.1总建筑面积95885.701.2基底面积32253.531.3投资强度万元/亩355.012总投资万元36166.472.1建设投资万元29656.312.1.1工程费用万元26152.302.1.2其他费用万元2630.292.1.3预备费万元873.722.2建设期利息万元414.602.3流动资金万元6095.563资金筹措万元36166.473.1自筹资金万元19244.163.2银行贷款万元16922.314营业收入万元68100.00正常运营年份5总成本费用万元53332.22""6利润总额万元14408.91""7净利润万元10806.68""8所得税万元3602.23""9增值税万元2990.60""10税金及附加万元358.87""11纳税总额万元6951.70""12工业增加值万元23708.57""13盈亏平衡点万元24434.24产值14回收期年5.2315内部收益率24.17%所得税后16财务净现值万元22298.09所得税后十一、 主要结论及建议经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细规划及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。第四章 建筑工程方案一、 项目工程设计总体要求（一）设计原则本设计按照国家及行业指定的有关建筑、消防、规划、环保等各项规定，在满足工艺和生产管理的条件下，尽可能的改善工人的操作环境。在不额外增加投资的前提下，对建筑单体从型体到色彩质地力求简洁、鲜明、大方，突出现代化工业建筑的个性。在整个建筑设计中，力求采用新材料、新技术，以使建筑物富有艺术感，突出时代特点。（二）设计规范、依据1、建筑设计防火规范2、建筑结构荷载规范3、建筑地基基础设计规范4、建筑抗震设计规范5、混凝土结构设计规范6、给排水工程构筑物结构设计规范二、 建设方案（一）混凝土要求根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）之规定，确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，本工程上部主体结构采用C30混凝土，上部结构构造柱、圈梁、过梁、基础采用C25混凝土，设备基础混凝土强度等级采用C30级，基础混凝土垫层为C15级，基础垫层混凝土为C15级。（二）钢筋及建筑构件选用标准要求1、本工程建筑用钢筋采用国家标准热轧钢筋：基础受力主筋均采用HRB400，箍筋及其它次要构件为HPB300。2、HPB300级钢筋选用E43系列焊条，HRB400级钢筋选用E50系列焊条。3、埋件钢板采用Q235钢、Q345钢，吊钩用HPB235。4、钢材连接所用焊条及方式按相应标准及规范要求。（三）隔墙、围护墙材料本工程框架结构的填充墙采用符合环境保护和节能要求的砌体材料（多孔砖），材料强度均应符合GB50003规范要求：多孔砖强度MU10.00，砂浆强度M10.00-M7.50。（四）水泥及混凝土保护层1、水泥选用标准：水泥品种一般采用普通硅酸盐水泥，并根据建（构）筑物的特点和所处的环境条件合理选用添加剂。2、混凝土保护层：结构构件受力钢筋的混凝土保护层厚度根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）规定执行。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积95885.70，其中：生产工程59217.49，仓储工程18984.42，行政办公及生活服务设施11604.00，公共工程6079.79。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程17416.9159217.497154.541.11#生产车间5225.0717765.252146.361.22#生产车间4354.2314804.371788.631.33#生产车间4180.0614212.201717.091.44#生产车间3657.5512435.671502.452仓储工程8708.4518984.421756.082.11#仓库2612.545695.33526.822.22#仓库2177.114746.10439.022.33#仓库2090.034556.26421.462.44#仓库1828.773986.73368.783办公生活配套1983.5911604.001689.723.1行政办公楼1289.337542.601098.323.2宿舍及食堂694.264061.40591.404公共工程4192.966079.79593.44辅助用房等5绿化工程7308.98124.67绿化率13.37%6其他工程15104.4968.337合计54667.0095885.7011386.78第五章 选址分析一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况沈阳，简称“沈”，古称奉天、盛京，是辽宁省辖地级市、省会、副省级市、特大城市、沈阳都市圈核心城市，差异化培育提升不同类型城市发展新动能提出打造成为高能级的国家中心城市之一、先进装备制造业基地和国家历史文化名城。全市下辖10个区、2个县、代管1个县级市，总面积1.286万平方千米。根据第七次全国人口普查结果，截至2020年11月1日，沈阳市常住人口为907.0093万人。沈阳地处中国东北地区、辽宁中部，位于东北亚经济圈和环渤海经济圈的中心，是东北亚的地理中心，中国北部战区司令部驻地、沈阳联勤保障中心驻所，长三角、珠三角、京津冀地区通往关东地区的综合交通枢纽，一带一路向东北亚、东南亚延伸的重要节点。沈阳是东北地区政治、经济、文化中心和交通枢纽的中心。沈阳是国家历史文化名城，清朝发祥地，素有“一朝发祥地，两代帝王都”之称。1625年，清太祖努尔哈赤迁都于此，皇太极建盛京城，并在此建立中国清朝，这是沈阳历史的转折，从军事卫所一跃变为清代两京之一的盛京皇城，开始成为东北的中心城市。新中国建立后，沈阳成为中国重要的以装备制造业为主的重工业基地，被誉为“共和国装备部”，有着“共和国长子”和“东方鲁尔”的美誉。沈阳先后获得全国文明城市、国家环境保护模范城市、国家森林城市、国家园林城市”、国家卫生城市、中国十佳冰雪旅游城市等称号。“十三五”时期是沈阳振兴发展极不平凡的五年。面对错综复杂的宏观环境、艰巨繁重的振兴任务和突如其来的新冠肺炎疫情，在中央及省委的坚强领导下，全市上下不忘初心、牢记使命，奋力开创了各项事业发展新局面。在主动做实经济数据的基础上，经济发展质量和效益持续向好，新的增长动能更加强劲，一批重大项目建成投产；结构调整取得重要进展，先进制造业加快发展，粮食生产连年丰收，民营经济不断壮大；全面深化改革纵深推进，营商环境明显改观，机构改革成效明显，国资国企改革稳步推进，创新创业活力不断迸发，科技创新能力显著增强，一批“国字号”创新平台在沈布局，对外开放水平不断提升，区域合作取得积极进展；三大攻坚战成效显著，现行标准下农村贫困人口全部脱贫，生态环境质量明显提升，防范化解重大风险取得积极成效；城市面貌明显改善，城乡人居环境和功能品质进一步优化，文明城市建设成果持续巩固；教育、医疗、文化、就业和社会保障等公共服务均等化优质化步伐加快，新冠肺炎疫情防控取得重要阶段性成果，人民群众幸福感不断增强；全面依法治市扎实推进，社会治理体系和治理能力现代化水平不断提高，社会保持和谐稳定；党的建设全面加强，全面从严治党不断深化，政治生态持续优化，党员干部的观念作风深入转变，干事创业精神状态更加振奋，抓发展谋发展氛围愈发浓厚。“十三五”规划目标任务即将基本完成，全面建成小康社会胜利在望，为推动新时代全面振兴全方位振兴取得新突破、建设国家中心城市奠定了坚实基础。世界正经历百年未有之大变局，我国已进入高质量发展阶段，正在形成以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局，辽宁加快构建“一圈一带两区”区域发展格局，沈阳振兴发展面临着重大机遇。但同时应该看到，沈阳仍处于滚石上山、爬坡过坎的关键阶段，一些深层次矛盾刚刚破题，巩固和扩大向上向好的发展态势，还需在调整经济结构、转换新旧动能、实施创新驱动、深化改革开放、优化营商环境、完善城市功能、提高治理效能等方面聚焦发力、持续用力。全市上下必须胸怀中华民族伟大复兴战略全局和世界百年未有之大变局，更加深刻认识我国社会主要矛盾发生变化带来的新特征新要求，更加深刻认识错综复杂国际环境带来的新矛盾新挑战，牢牢把握进入新发展阶段、贯彻新发展理念、构建新发展格局的丰富内涵和实践要求，增强机遇意识和风险意识，把握发展规律、顺应发展大势，紧密结合实际、认清差距不足，坚定信心决心、发扬斗争精神，开拓创新、真抓实干、奋勇前进，在危机中育先机、于变局中开新局。三、 创新驱动发展展望二三五年，沈阳与全国、全省同步基本实现社会主义现代化，实现新时代全面振兴全方位振兴，成为在国家战略布局中具有重要地位的中心城市。城市综合实力不断提升，经济总量迈上新台阶，产业转型升级取得重要进展，新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化步伐加快，对外开放水平持续提高，现代化经济体系趋于成熟，创新沈阳、数字沈阳、智造强市建设走在全省前列；城市辐射力、带动力、影响力明显增强，沈阳现代化都市圈基本形成；各项社会事业蓬勃发展，市民素质和社会文明程度不断提高；各方面制度更加完善，法治建设、平安建设达到更高水平，市域治理体系和治理能力现代化基本实现；生态环境建设取得重大成效，绿色生产生活方式广泛形成，美丽沈阳基本建成；城乡发展差距和居民生活水平差距显著缩小，城乡居民人均收入水平不断提高，人民群众生活更加美好，人的全面发展、全体人民共同富裕取得新成效。四、 社会经济发展目标围绕推动沈阳新时代全面振兴全方位振兴取得新突破、努力建设国家中心城市的总目标，建设好沈阳现代化都市圈，在打造数字辽宁智造强省、“一网通办”和“一网统管”、解决“老字号”问题上为全省作出示范，建设国家现代综合枢纽、国家先进制造中心、综合性国家科学中心、区域性金融中心、区域性文化创意中心。五、 产业发展方向坚持创新驱动发展，加快建设创新沈阳坚持创新在振兴发展全局中的核心地位，围绕积极打造综合性国家科学中心，加快建设区域创新体系，全面提高科技创新和产业创新能力水平，实现依靠创新驱动的内涵式增长。强化企业创新主体地位。大力引进、培育、壮大科技型中小企业，健全定制化支持政策，不断完善“科技型中小企业高新技术企业雏鹰企业瞪羚独角兽企业大企业平台化”梯度培育体系，引导扶持企业技术创新、模式创新和业态创新，鼓励“专精特新”发展，打造一批高成长性企业、“隐形冠军”和创新型领军企业。鼓励企业加大研发投入，支持企业建设技术研发中心和产业创新中心等，发挥大型骨干企业带动作用，提升自主创新能力。围绕重点产业链建立产业技术创新联盟，鼓励头部企业平台化转型，推动产业链上中下游、大中小企业融通创新。建设科技创新重大平台体系。依托沈大国家自主创新示范区，加快建设沈阳材料科学国家研究中心、中科院机器人与智能制造创新研究院等国字号平台，争取建设区域综合性实验室，推进国家重大科技基础设施落地建设。推动高校院所和企业围绕重点领域打造一批基础性、共享型、专业化的国家级创新平台。大力推动协同创新，聚焦人工智能、新一代信息技术、生物医药与数字医疗、新能源汽车、航空航天等重点领域，支持企业、高校院所、行业协会等建设产业技术研究院、协同创新中心、国际研发机构，加快沈阳产业技术研究院建设。创新新型研发机构绩效评价，全面提高产业技术供给能力。加快科技成果转化。深化科技成果使用权、处置权、收益权“三权”改革，健全科技成果转化收益合理分配机制，完善东北科技大市场等技术交易市场功能，支持高校院所和各区、县（市）建设一批成果转化基地。聚焦产业链关键核心技术需求，加大研发投入，增强财政投入的引导放大效应，形成多元投入机制。围绕重点创新链和重点领域关键共性技术开展攻关，滚动实施重大科技研发项目和重大科技成果转化项目，推进产学研用金深度融合。激发人才创新活力。促进人才链与产业链、创新链有机衔接，深入实施高精尖优才集聚、盛京工匠培养等重大人才工程，健全“人才+项目+基地”机制，引进一批科技领军人才、创新团队、管理人员和急需紧缺人才。加强创新型、应用型、技能型人才培养，实施知识更新工程、技能提升行动，壮大高技能人才队伍，深化产业工人队伍建设改革。推进人才管理改革试验，健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系，完善创新激励和保障机制。优化创新创业生态。推进国家级“双创”示范基地建设，发挥创新创业孵化联盟作用，因地制宜推进众创空间、孵化器、加速器、产业园区等载体建设，构建孵化服务生态体系。强化知识产权保护和运用，开展协同保护和联合惩戒，完善专业化裁决调解机制，建立区域性知识产权运营服务平台。促进科技开放合作，加强科普工作，大力弘扬科学精神和劳模精神、劳动精神、工匠精神，营造崇尚创新创业的社会氛围。六、 项目选址综合评价项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。第六章 产品规划方案一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积54667.00（折合约82.00亩），预计场区规划总建筑面积95885.70。（二）产能规模根据国内外市场需求和xx（集团）有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx万片碳化硅晶片，预计年营业收入68100.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1碳化硅晶片万片xxx2碳化硅晶片万片xxx3碳化硅晶片万片xxx4.万片5.万片6.万片合计xx68100.00碳化硅（SiC）是继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）之后发展起来的第三代宽禁带半导体（即SiC、GaN、ZnO、AlN、金刚石等）的代表，也是目前发展最成熟的第三代宽禁带半导体。第七章 SWOT分析一、 优势分析（S）（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面