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/江江苏苏省省 技技工工 院院校校教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题：晶体二极管晶体二极管 教学目的要求： 1熟识二极管的外形和符号 2掌握二极管的单向导电性教学重点、难点： 二极管的单向导电性 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体课件 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容引入引入1观察二极管的外形 2得出共性特征：具有两个电极，将其拉入电路中会 出现何种特性呢？ 3演示实验 （1）实验电路 （2）现象 灯亮或不亮，说明电路导通或不通。 结论：有一类器件能单方向导电，这类器件是晶体二极 管。课程导入主要内容/授授 课课 教教 案案 No:/授课内容1.1.1 晶体二极管的单向导电性晶体二极管的单向导电性1结构：一个是正极，一个是负极2符号：3文字：V 4结论： a外加电压为正极高电位，负极低电位时二极管导通， 正偏。 b外加电压为负极高电位，正极低电位时，二极管截 止，反偏。 单向导电性：晶体二极管加一定正向电压时导通，加反 向电压时截止。随堂练习随堂练习判断二极管是否导通 1.1.2 PN 结结1本征半导体：不加杂质的纯净半导体，如硅、锗。 2载流子：半导体中存在的两种导电的带电物体。 （1）自由电子：带负电。 （2）空穴：带正电。 特性：在外电场的作用下具有定向移动的效应，能形成 电流。 3P 型半导体：在本征半导体中掺三价元素。 空穴数大于自由电子数。 即：多数载流子为空穴，少数载流子为电子。 4N 型半导体：在本征半导体中掺入五价元素。 即：多数载流子为电子，少数载流子为空穴。注意：无论是 P 型、N 型半导体，其正、负电荷总是相等的，整个半导体保持电中性。5PN 结 采用掺杂工艺，使硅或锗的一边形成 P 型半导体，另一边形成 N 型半导体区域，在 P 区和 N 区的交界面形成一个具有特/授授 课课 教教 案案 No:授课内容殊电性能的薄层，称为 PN 结。 将 PN 结加封装成二极管，从 P 区引出为正极，N 区引 出为负极。结论： （1）PN 结正向偏置时，电阻很小，导通。（2）PN 结反向偏置时，电阻很大，截止。/江江苏苏省省技技工工院院校校教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题：二极管的伏安特性、简单测试、分类、参数二极管的伏安特性、简单测试、分类、参数 教学目的要求： 1熟悉二极管的伏安特性 2会简单测试二极管 3理解二极管的分类、型号及参数 教学重点、难点： 伏安特性、测试方法 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体课件 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容A复习复习1二极管的特性是 ，具体体现为加 电压导通，加 电压截止。 2判断下列电路中二极管导通情况。 课程导入主要内容授授 课课 教教 案案 No:/授课内容B引入引入 从以上第 1 题来看，V 是否能导通，需进一步研究二极 管的伏安特性。 C新授课新授课1.1.3 伏安特性伏安特性 实验：二极管伏安特性测试 目的：得出二极管电流随二极管电压的变化关系 实验电路：调节触头，使加于二极管两端的电压变化，观察毫安表 的变化情况有以下结论： (1)当正向电压较小时，正向电流极小，称为死区，死区 电压：硅 0.5 V，锗 0.2 V。 (2)当正向电压大于死区电压时，电流随电压增大而急剧 增大，二极管导通。 (3)二极管导通后，两端电压基本稳定，一般硅为 0.7 V，锗为 0.3 V。 反向特性： (1)当加反向电压时，二极管反向电阻很大，电流极小， 此时电流为反向饱和电流。 (2)当反向电压不超过反向击穿电压时，反向饱和电流几 乎与反向电压无关。 (3)当反向电流在反向电压增大到一定时突然增大，此时 反向电压为反向击穿电压。 击穿：电击穿可恢复； 热击穿不可恢复。 注意：二极管正向电流不能过大，为限制电流，应在二 极管电路中加串联电阻起限流作用。1.1.4 二极管的简单测试二极管的简单测试一、测试基本原理 （1）二极管的伏安特性：正向时，电阻小，导通；反向时，电阻大，截止。授授 课课 教教 案案 No:/授课内容（2）万用表电阻挡用万用表内部电源。 注意：表内电池的正极与黑表笔相连，不能与万用表面 板的“” 、 “”相混。 二、测试方法 1选用万用表 R×100、R×1k 挡 问题：为什么不选用 R×1 挡（电流较大）R×10k 挡（电压较高，二极管损坏） 2接线3结论 （1）一次电阻较大（大于几百千欧） ，一次电阻较小 （几百欧、几千欧） ，说明二极管正常。 （2）阻值小的，与黑笔相接的为二极管的正极。1.1.5 二极管的分类、型号和参数二极管的分类、型号和参数1分类 （1）材料：硅二极管、锗二极管 （2）结面积：点接触型、面接触型 （3）用途：整流、稳压、发光、光电、变容 2主要参数 （1）最大整流电流 IFM：二极管允许通过的最大正向工 作电流平均值。 （2）最高反向工作电压 VRM：二极管允许承受的反向工作电压峰值，反向击穿电压。3121 RMV（3）反向漏电流 IR：规定的反向电压和环境温度下的二极管反向电流值。IR越小，二极管的单向导电性能越好。江江苏苏省省技技工工院院校校/教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题： 晶体二极管整流电路晶体二极管整流电路 教学目的要求： 1能理解整流的概念 2掌握单相半波，会计算负载的整流二极管上的电压和电流 教学重点、难点： 整流电路中二极管的电压、整流电路的工作原理和波形分析 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体课件 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容A复习复习1硅二极管的门坎电压为 V，导通电压为 V。 锗二极管的门坎电压为 V，导通电压为 V。 2比较硅二极管和锗二极管的反向漏电流。 3说出以下电路中硅二极管能否导通及二极管上的电 压。导通 Vv0.7 V 截止 Vv3 V（反向） B引入引入利用二极管的单向导电性，可将交流电转成直流电，电 路如何构成，工作原理怎样？课程导入主要内容/授授 课课 教教 案案 No:授课内容C新授课新授课整流：将交流电转换成直流电的过程。整流电路：利用晶体二极管的单相导电性，将单相交流 时间性转换成直流电的电路。1.2.1 单相半波整流电路单相半波整流电路一、工作原理 1电路构成2工作分析 （1）单相交流电压 v1经变压器降压后输出为 v2； （2）当 v2正半周时，A 为正，B 为负。 二极管承受正向电压导通，电路有电流。 问题：a标出电流方向。 b若二极管电压为 0，vL与 v2的关系如何？ （3）当 v2负半周时，B 为正，A 为负。 二极管随反向电压截止，电路中几乎无电流。 结论：负载 RL上只有自上而下的单方向电流，即 RL的 电流为直流电流。 3波形分析 av2与 v1是变压关系，波形为正弦波。 b正向导通时，vL与 v2几乎相等，即 vL随 v2同步变化。c负载上的电流与电压波形类似，因为是阻性负载。 d反向截止时，v2的电压加于二极管，二极管反向电压 与 v2负半周相同。 （引导学生作出波形。（引导学生作出波形。 ）授授 课课 教教 案案 No:/授课内容二、负载和整流二极管上的电流 1负载两端电压以平均值表示VL0.45 V2 V2为变压器二次电压有效值，用欧姆定律计算 2负载电流平均值LLLL L45. 0RV RVI3二极管的正向电流 IV与流过负载 RL的电流 IL相等 （提示二极管与负载的串联关系）（提示二极管与负载的串联关系）L2 LV45. 0RVII4二极管反向电压截止时承受反射峰值电压22RM41. 12VVV5选择二极管 额定电压反向峰值电压二极管额定整流电流实际流过电流江江苏苏省省技技工工院院校校/教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题： 全波整流电路全波整流电路 教学目的要求： 1能理解单相全波整流电路的工作原理，波形分析 2会计算负载和整流二极管上的电压和电流 3会分析桥式单相全波整流电路，会计算 教学重点、难点： 桥式整流电路、负载上和整流二极管上的电压和电流 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体课件 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容A复习复习半波整流电路和相关公式 （1）VL0.45V2（2）LLLL L45. 0RV RVI（3），IvIL22RM41. 12VVVB引入引入从半波整流波形中可知，单相半波整流电路电源利用一半将电路改变，可以提高电源利用率。C新授课新授课1.2.2 单相全波整流电路单相全波整流电路 一、变压器中心抽头式单相全波整流电路 1电路 课程导入主要内容/授授 课课 教教 案案 No:/授课内容变压器二次若为正半电压，则 A 端为正，B 端为负，且 VAVCVB 2工作原理问题： （1）当输入电压为正半周时，A、B、C 三点电位高低 如何？ VAVCVB （2）V1、V2哪个导通？ V1 （3）作出电流通路。 （4）若输入电压为负半周时，回答以上三个问题。 归纳结论：RL的电流在电源正负半周时均为同方向，说 明 RL的电流是直流电。问题： 当 V1导通时，V2承受电压为多少？V2的反向最大电压为。222V3负载和二极管上的电压和电流V2aV2bV2 （1）VL负载全波脉动直流电压平均值VL0.9V2V2为变压器二次绕组两个部分各自交流电压有效值/授授 课课 教教 案案 No:授课内容（2）负载电流 ILL2LL L9 . 0RV RVI（3）二极管的平均电流 每个二极管的平均电流为负载电流的一半，即IvIL21（4）二极管的反向最高电压VRM222V二、单相桥式全波整流电路 1电路 2工作原理 问题： （1）v2为正时，导通的二极管是 V1，V3，截止的是 V2，V4。 （2）画出 v2为正时的导通电路。 （3）标出 RL上的电流方向。（4）截止二极管承受的反向电压为。22V（5）v2为负时，讨论以上问题。 3负载和二极管的电压和电流 （1）VL0.9V2（2）L2 L9 . 0RVI（3）IVIL21（4）VRM 22V/江江苏苏省省技技工工院院校校教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题：滤波器和稳压器滤波器和稳压器 教学目的要求：1了解滤波和滤波电路的概念 2理解电容滤器的作用原理，说明它们的使用场合 3了解电感滤波器的作用，了解复式滤波的形式 教学重点、难点： 电容滤波器的工作原理 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体课件 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容A引入引入整流电路输出的是脉动直流电，方向虽然不变，但它的 大小量值有较大波动。 电子设备很多场合需要比较稳定的电压，故必须将脉动 大的直流电变为较为平缓的直流电。 B新课新课1.3.1 滤波器滤波器一、滤波 1将脉动较大的直流电变为变化平缓的直流电的过程。2滤波电路：能实现滤波作用的电路。 3滤波器件：电容器、电感器。 形式：电容滤波器、电感滤波器、复式滤波器。/授授 课课 教教 案案 No:/授课内容二、电容滤波器 1电路图2工作分析及波形（1）0t1，v2上正下负，V 导通，对 C 充电，vC上升， 因为R C 很小，所以 vC上升很快，vC随 v2几乎同时达到相等，在 t1时，vC。22v（2）t1后，v2下降，所以 vCv2，V 截止，VC通过 RL 放电，RL中有电流。 t1t2：iRLC，vC下降。 （3）v2负半周，V 仍截止，vC仍为放电。 （4）第二个正半波时，v2由 0 上升但 v2vC时 V 仍截 止。（5）到 t2后时，v2vC，v2对 C 充电，至 vC，v222v又下降，vC对 RL放电，重复第二步。 由上可知：半波整流电路输出电压 vL的脉动程度减弱， 波形平滑。 3全波整流滤波的工作分析 （1）全波整流结果是全波脉动直流电 v2正、负半周均 有二极管导通。 （2）v2对 C 充电两次，充电方向相同，电容 C 对负载 放电时间缩短。 （3）波形 /授授 课课 教教 案案 No:授课内容4输出电压（平均值） 半波：vLv2 全波：vL1.2 v2 5适用场合 用于负载电流小、负载电阻大的场合。 三、电感滤波器 1电路：电感与负载串联 2滤波原理 电感直流电阻小，交流阻抗大，在电流脉动时，将产生 感应电动势。 （1）当电流上升时，电感线圈中将产生与电流相反的 感应电动势，阻止电流增加。 （2）当电流下降时，将阻止电流减小。 （3）脉动程度变小。3适用场合 负载电流大并经常变化的场合。 四、复式滤波器 1特点： （1）两种或以上滤波器组合 （2）效果比单一的好 2电路形式：（1）L 形（2） 形（3）RC 形VL/江江苏苏省省技技工工院院校校教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题：硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 教学目的要求： 1熟悉硅稳压二极管的符号，理解其稳压原理 2了解稳压二极管的参数 3能阐述硅稳压二极管稳压电路的工作原理 教学重点、难点： 稳压二极管的特性 、稳压原理 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体课件 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容A复习复习1电容滤波器的工作原理。 电路形式、波形、输出电压 2电感滤波器的作用。 3二极管的单向导电性。B引入引入交流电网电压的波动和负载变化使输出直流电压不稳定， 通常在电路中要有稳定输出电压的电路。C新授课新授课1.3.2 硅稳压二极管稳压电路硅稳压二极管稳压电路 一、硅稳压二极管正向特性 1硅稳压二极管正向特性 与普通二极管类似，大于死区电压后导通，导通后为 0.7 V。 2稳压工作在反向击穿状态/授授 课课 教教 案案 No:授课内容（1）反向电压小于击穿电压，电流很小。 （2）反向电压增大到击穿电压 VA时，反向电流开始急 剧增大，产生电击穿。 （3）经特殊处理，只要反向电流小于它的最大允许值， 管子仅为电击穿，外电压撤除后，可恢复，不损坏二极管。 （4）在击穿区内，反向电流的变化很大，但 VZ很小。（5）可近似认为稳定电压就是略大于击穿电压。 二、稳压二极管的主要参数 1稳定电压 VZ。 粗略认为是反向击穿电压，VZVA。 但每个稳压管只有一个稳定电压，同型号的是稳定电压 的范围。 2稳定电流：对应于 VZ的电流值。 3最大稳定电流 Imax：稳压管允许长期通过的最大反向 电流。 4动态电阻：VZVE/IE。 （把稳压管比喻成一个可膨胀的管子，当电压稍改变，管（把稳压管比喻成一个可膨胀的管子，当电压稍改变，管 中流过较大电流，说明稳压管中电流可变。中流过较大电流，说明稳压管中电流可变。 ） 动态电阻小的，稳压性能好。三、硅稳压二极管稳压电路的工作原理1电路 整流滤波稳压注意：二极管工作在反向状态。/授授 课课 教教 案案 No:授课内容2稳压过程 当 VI、RL变化，VO波动 设 VO下降：VOIEIR（IZ+IL）VR VO 由于 V 和 RL并联，V 管总要限制 V的变化，所以能稳 定输出电压。 问题：如果 R0，还能稳压吗？（否） R 在电路中起限流作用。/江江苏苏省省技技工工院院校校教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题：晶体三极管 教学目的要求：掌握半导体三极管中的电流分配关系；理解半导体三极管的放大作用，共发射极电路的输入、输出特性曲线，主要参数及温度对参数的影响 教学重点、难点：三极管的电流分配关系、放大作用，输入、输出特性曲线 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体课件 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲/授课内容一、晶体三极管的基本结构和符号有 3 个区发射区、基区、集电区；2 个结发射结( BE 结 )、集电结( BC 结 )；3 个电极发射极 e (E)、基极 b (B)和集电极 c ( C )；2 种类型PNP 型管和 NPN 型管。工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比 发射区体积大且掺杂少。晶体三极管的符号 箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。二、三极管工作电压和基本连接方式三极管的基本作用是放大电信号；工作在放大状态的外部条授授 课课 教教 案案 No:/授课内容件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。晶体三极管有三种基本连接方式：共发射极、共基极和晶体三极管有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。共集电极接法。最常用的是共发射极接法。三、三极管内电流的分配和放大作用三极管中电流分配关系如下：因 很小，则 四、三极管的输入和输出特性 输入特性曲线：输入特性曲线：集射极之间的电压 一定时，发 射结电压 与基极电流 之间的关系曲线，如图 2.1.7 所示。特性曲线有如下特点：1当 2V 时，特性曲线基本重合。2当 很小时， 等于零，三极管处于截止状态。3当 大于门坎电压(硅管约 0.5 V，锗管约 0.2 V ) 时， 逐渐增大，三极管开始导通。4三极管导通后， 基本不变。硅管约为 0.7 V，锗管约 为 0.3 V，称为三极管的导通电压。5 与 成非线性关系。输出特性曲线：输出特性曲线： 在基极电流 一定时，集、射极之间的电压与集电极电流 的关系曲线 1截止区外部条件：发射结反偏或两端电压为零。工作特点：， ，管子工作在截止 状态。 2饱和区外部条件：发射结和集电结均为正偏。 工作特点： ，管子工作在饱和状态。称为饱和管压降，小功率硅管约 0.3 V，锗 管约为 0.1 V。 3、放大区外部条件：发射结正偏和集电结反偏。 授授 课课 教教 案案 No:/授课内容工作特点：Ic 保持恒定五、三极管的主要参数1集电极最大允许电流三极管工作时，当集电极电流超过时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。2集电极最大允许耗散功率当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。3集电极发射极间反向击穿电压管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子六、三极管的简单测试 1、硅管或锗管的判别（测 Vbe）当 V0.60.7V 时，为硅管；当 V0.10.3V 时，为锗管2、估计比较的大小3、估测ICEO 4、NPN 管型和 PNP 管型的判断 将万用表设置在 R1k或 R100挡如图 2.1.14(a) 所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所 连接的是 PNP 管的基极。如图 2.1.14(b)所示。图 2.1.14 基极b的判断/授授 课课 教教 案案 No:授课内容5、e、b、c 三个管脚的判断首先确定三极管的基极和管型，然后采用估测值的方法判断 c、e 极。方法是先假定一个待定电极为集电极(另一个假定为发射极)接入电路，记下欧姆表的摆动幅度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下欧姆表的摆动幅度。摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极 c，红表笔所连接的管脚为发射极 e /江江苏苏省省技技工工院院校校教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题： 场效晶体管 教学目的要求： 掌握结型场效应管和绝缘栅场效应管符号，了解其工作原理，熟悉其参数 教学重点、难点： 符号和原理 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容2.2.1 结型场效应管结型场效应管一、结构和符号图 2.2.1 .N 沟道结型场效应管 特点：由两个 PN 结和一个导电沟道所组成。三个电极分 别为源极 S、漏极 D 和栅极 G。漏极和源极具有互换性工作条件：两个 PN 结加反向电压。/授授 课课 教教 案案 No:授课内容图 2.2.2 P 沟道结型场效应管二、工作原理 1 结型场效应管是一个电压控制电流的电压控制型器 件。 2 输入电阻很大。一般可达 107108。 三、结型场效应管的特性曲线和跨导 1转移特性曲线反映栅源电压对漏极电流的控制作用。如图 2.2.5GSVDI 所示，若漏源电压一定： 当栅源电压时，漏极电流，称为饱0GSVDSSDIIDSSI 和漏极电流； 当栅源电压向负值方向变化时，漏极电流逐渐减GSVDI 小；当栅源电压时，漏极电流，称为夹断电压。PGSVV0DIPV2输出特性曲线 表示在栅源电压一定条件下，漏极电流与漏源电压之间 的关系。如图 2.2.6 所示。(1) 可调电阻区(图中区) (2) 饱和区(图中区) (3) 击穿区(图中区) 3跨导(gm) 反映在线性放大区对的控制能力。单位是GSVDI A/V。GSD mVIg2.2.2 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管一、结构和工作原理/授授 课课 教教 案案 No:授课内容1N 沟道增强型绝缘栅场效应管 N 沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图 2.2.7 所示。二、绝缘栅场效应管的特性曲线和跨导 以 N 沟道 MOS 管为例。 1转移特性曲线 N 沟道 MOS 管的转移特性曲线如图 2.2.10 所示。增强型：当时，；当时，。0GSV0DITGSVV0DI耗尽型：当时，；当为负电压时减0GSV0DIGSVDI小；当时，。PGSVV0DI图 2.2.10 N 沟道转移特性曲线图 2.2.11 N 沟道输出特性/授授 课课 教教 案案 No:授课内容2输出特性曲线 N 沟道 MOS 管输出特性曲线如图 2.2.11 所 示。 有三个区：可调电阻区(区)、饱和区( 区)和击穿区(区)。其含义与结型管输出特性 曲线三个区相同。 3跨导GSD mVIg三、绝缘栅场效应管的图形符号符号如图 2.2.12 所示。N、P 沟道的区别在于图中箭头的指向相反2.2.3 场效应管的主要参数和特点场效应管的主要参数和特点一、主要参数 1直流参数(1) 开启电压 VT (2) 夹断电压 VP (3) 饱和漏极电流DSSI(4) 直流输入电阻GSR 3 交流参数 (1) 跨导mg(2) 极间电容 4极限参数(1) 漏极最大允许耗散功率DMP(2) 漏极击穿电压(BR)DSV江江苏苏省省技技工工院院校校图 2.2.12 MOS 管的图形符号/教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题： 放大器的基本概念 教学目的要求： 熟悉放大器的概念，掌握放大倍数 教学重点、难点： 放大倍数 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容3.1.1 放大器概述放大器概述 放大器：把微弱的电信号放大为较强电信号的电路。基 本特征是功率放大。 扩音机是一种常见的放大器，如图 3.1.1 所示。图 3.1.1 扩音机框图 图 3.1.2 放大器的框图/授授 课课 教教 案案 No:授课内容3.1.2 放大器的放大倍数放大器的放大倍数 一、放大倍数的分类 1电压放大倍数(3.1.1)io VVAv2电流放大倍数(3.1.2)io IIAi3功率放大倍数 (3.1.3)io PPAp三者关系为 (3.1.4)viPAAVIVI PPAiiooio二、放大器的增益 增益 G：用对数表示放大倍数。单位为分贝(dB)。 1功率增益GP10lgAP(dB) (3.1.5) 2电压增益Gv20lgAv(dB) (3.1.6) 3电流增益Gi20lgAi (dB) (3.1.7)增益为正值时，电路是放大器，增益为负值时，电路是衰减器。例如，放大器的电压增益为 20dB，则表示信号电压放大了 10 倍。又如，放大器的电压增益为-20dB，这表示信号电压衰减到 1/10，即放大倍数为 0.1。江江苏苏省省技技工工院院校校/教教 案案 首首 页页授课日期班 级课题： 单级低频小信号放大器单级低频小信号放大器 教学目的要求： 掌握静态工作点和交直流通路，熟悉放大和倒相 教学重点、难点： 静态工作点和交直流通路 授课方法： 讲授 教学参考及教具（含多媒体教学设备）： 多媒体 授课执行情况及分析：板书设计或授课提纲授课内容3.2.1 电路的说明电路的说明一、电路的组成和电路图的画法 1电路组成GB基极电源。通过偏置电阻 Rb，保证发射结正偏。 GC集电极电源。通过集电极电阻 RC，保证集电结 反偏。Rb偏置电阻。保证由基极电源 GB向基极提供一个 合适的基极电流。RC集电极电阻。将三极管集电极电流的变化转换为 集电极电压的变化。 C1、C2耦合电容。防止信号源以及负载对放大器直 流状态的影响；同时保证交流信号顺利地传输。即“隔直通 交” 。 2电路图的画法 如图 3.2.2 所示。课课 教教 案案 No:/授课内容图 3.2.2 单电源供电放大器的习惯画法 二、电路中电压和电流符号写法的规定 1直流分量：用大写字母和大写下标的符号，如 IB表 示基极的直流电流。 2交流分量瞬时值：用小写字母和小写下标的符号， 如 ib表示基极的交流电流。 3总量瞬时值：是直流分量和交流分量之和，用小写 字母和大写下标的符号，如 iBIBib，即表示基极电流的总 瞬时值。3.2.2 放大器的静态工作点放大器的静态工作点静态：无信号输入(vi0)时电路的工作状态。 1静态工作点 Q 如图 3.2.4 所示，静态时晶体管直流电压 VBE、VCE和对 应的 IB、IC值。分别记作 VBEQ、IBQ、VCEQ和 ICQ。(3.2.1)bBEQG BQRVVI(3.2.2)BQCQII(3.2.3)cCQGCEQRIVVVBEQ：硅管一般为 0.7V，锗管为 0.3V。3.2.3 共发射极电路的放大和反相作用共发射极电路的放大和反相作用1信号放大与反相ccceoRivv输入电压与输出电压频率相同，相位相反。 2直流通路和交流通路画法(1) 直流通路：电容视为开路，电感视为短路，其它不 变。课课 教教 案案 No:图 3.2.4 静态工作点/授课内容 (2) 交流通路：电容和电源视为短路。例：图 3.2.8(a)放大电路的直流通路和交流通路如图 3.2.8(b)、(c)所示。单级放大器的工作特点：(1) 为了不失真地放大信号，放大器必须设置合适的静 态工作点。(2) 共射极放大器对输入的信号电压具有放大和倒相作 用。(3) 在交流放大器中同时存在着直流分量和交流分量两 种成分。直流