一级结构工程师职业资格考试辅导资料模拟电子技术部分主要内容.ppt
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1、模拟电子技术部分主要内容半导体器件:了解二极管、稳压管和三极管的结构、原理及主要参数的定义方法。电力电子电路:整流、滤波电路及直流稳压电源的结构原理。基本放大电路:掌握双极型晶体管的共发射极、共集电极放大电路工作原理,会确定电路静态工作点和动态指标。集成运算放大器:了解集成运算放大器基本结构、主要参数。掌握运算电路的基本分析、设计方法。,模拟电子电路,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,1,、结构:在PN结上加上引线和封装,就成为一个二极管。二极管按结构分为点接触型、面接触型和平面型。,例如: 点接触型二极管,1、半导体二极管,8.5.1 半导体器件,2019/10/23,第三部分
2、模拟电子技术,2,开启电压Uon 硅管0.5V,锗管0.1V。,工作电压 UD: 硅管0.61V,锗管0.20.5V。,反向击穿电压U(BR),、伏安特性和主要参数,.最大反向工作电压UR,.反向饱和电流 IS,.最大整流电流IF,.反向击穿电压UBR,.开启电压Uon,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,3, 二极管电路分析举例,定性分析:判断二极管的工作状态,导通截止,分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。,若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 ),二极管导通若 V阳 V阴 二极管导通若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB = 6V非理想情况:
3、UAB低于6V一个管压降,为6.3或6.7V,例1:,取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,5,ui 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V ui 0 时,u2VE集电结反偏 VCVB,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,15,iB = F(uBE) UCE =常数,iB(A),uBE(V),20,40,60,80,0.4,0.8,输入特性,iC = F(uCE) IB =常数,iC(mA ),此区域满足IC=IB称为线性区(放大区)。,输出特性,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,16,、三极管工
4、作区及判定:,截止区,饱和区,放大区,截止区:,放大区:,饱和区:,Je 反偏,Je正偏,Je正偏,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,17,图示电路中的晶体管,当输入信号为3v 时, 工作状态是【 】,(a)饱和 (b)截止(c)放大(d)不确定,习题5,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,18,性能指标:,A、放大电路的组成。,电压放大倍数高,8.5.2. 单管放大电路,输入电阻大,输出电阻小,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,19,B 放大电路的分析方法,静态分析,动态分析,估算法 利用静态等效电路,图解法 利用晶体管特性曲线,微变等效电路法,图解法,IB
5、Q ,UBEQ ,ICQ ,UCEQ,Au, Ri, Ro,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,20,1、固定偏置放大电路,、放大电路的静态分析,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,21,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,22,晶体管微变等效模型,、放大电路的动态分析,、微变等效电路,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,23,微变等效电路,短路,短路,在中频信号的作用下,电容元件相当于短路。,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,24,、参数计算:,2019/10/23,第三部分 模拟电子技术,25,2、静态工作点稳定的放大电路,分析:,. 静
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