模拟电路课件 第一篇第3.4章(4).ppt
《模拟电路课件 第一篇第3.4章(4).ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《模拟电路课件 第一篇第3.4章(4).ppt(33页珍藏版)》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、第三章 场效应晶体管及其电路分析,集成电子技术基础教程,第一篇 电子器件与电子电路基础,FET的种类,增强型NMOS 管的输出特性,可变电阻区,放大区(恒流区,饱和区),截止区,增强型NMOS管转移特性的画法,VDS=5V,耗尽型MOSFET,制造过程中,人为地在栅极下方的SiO绝缘层中掺入了大量的K+(钾)或Na+(钠)正离子,VGS=0,靠正离子作用,使P型衬底表面感应出N型反型层,将两个N+区连通,形成原始的N型导电沟道,DS一定,外加正栅压(GS0),导电沟道变厚,沟道等效电阻下降,漏极电流iD增大;,外加负栅压(GS0)时,沟道变薄,沟道电阻增大,iD减小。,GS负到某一定值VGS(
2、off)(常以VP表示),导电沟道消失,整个沟道被夹断,iD0,管子截止,耗尽型MOSFET的伏安特性,IDSS为饱和漏极电流,是VGS=0时耗尽型MOSFET的漏极电流,结型场效应管(JFET),JFET结构与符号,JFET在VGS=0时,存在原始的导电沟道,属于耗尽型,JFET正常工作时,两个PN结必须反偏,JFET通过GS改变半导体内耗尽层厚度(沟道的截面积)控制iD, 称为体内场效应器件,结构展示,N沟道JFFT的伏安特性,JFET的工作原理,输出特性,转移特性,VDS=15V,场效应管的主要参数,直流参数,增强型管开启电压VGS(th)(VT),耗尽型管夹断电压VGS(off)(VP
3、),耗尽型管在VGS=0时的饱和漏极电流IDSS,VDS=0时,栅源电压VGS与栅极电流IG之比直流输入电阻RGS(DC),交流参数,低频跨导(互导)gm 转移特性曲线的斜率,交流输出电阻rds,极限参数,最大漏源电压V(BR)DS:漏极附近发生雪崩击 穿时的VDS,最大栅源电压V(BR)GS:栅极与源极间PN结的 反向击穿电压,最大耗散功率PDSM,1.3.2 场效应管放大电路,三种基本组态:共源(CS)、共漏(CD)和共栅(CG),场效应管正常工作,各电极间必须加上合适的偏置电压,为了实现不失真放大,也同样需要设置合适且稳定的静态工作点,场效应管是一种电压控制器件,只需提供栅极偏压,而不需
4、提供栅极电流,各类FET对偏置电压的要求,场效应管的偏置电路,适合N沟道耗尽型MOSFET 的自给栅偏压电路,Rg为栅极泄放电阻,泄放栅极感生电荷,通常取0.110M,Rs作用类似于共射电路的Re,具有直流负反馈作用,可以稳定电路的静态工作点Q,适合耗尽和增强型MOSFET 的分压式自给栅偏压电路,静态工作点的计算,例:VDD=18V,Rs=1K,Rd=3K,Rg=3M,耗尽型NMOS管 的VP=-5V,IDSS=10mA,试用估算法求电路的静态工作点。,估算法(公式法),例:分压式自偏压共源放大电路,设VDD=15V,Rd=5k,Rs=2.5k,R1=200k, R2=300k,Rg=10M
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟电路课件 第一篇第3.4章4 模拟 电路 课件 一篇 3.4
限制150内