干法蚀刻机台简介.docx
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1、Probe withglass coverThermometerTeflon CoverHoles3.干法蚀刻机台简介20世纪60年代后期,湿法蚀刻曾是低本钱、大尺寸集成电路制造 的关键技术之一,然而它的各向同性等缺点严重阻碍了半导体制造器 件尺寸不断缩小的开展。70年代早期,平行板反响离子蚀刻(RIE )概 念被提出来,到了 80年代,德州仪器的技术逐渐成熟,大局部厂商都 使用RIE chamber ,即上部电极接地,下部电极接交流电压,通电产 生plasma ,基本满足蚀刻要求。Teflon Stirrer& Guide Plateafer Boat r nntrnlla*Generall
2、y Wet Etching is Isotropic功弊图 1 WETanodeplasmacathodeaferRF sourceIon sheath图 2 RIEBlocking capacitor至.功蟒按照摩尔定律”集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24 个月便会增加一倍,性能也将提升一倍的开展,半导体制造技术节点 从5微米急剧缩小到45纳米的过程中,需要更低气压环境的各向异性 等离子蚀刻,同时晶圆尺寸从4寸逐渐增加到8寸和12寸,蚀刻速率 和整个晶圆上均匀性遇到技术上的挑战。RIE产生等离子体需要超高电 压和低压环境,同时产生的等离子密度不高,以至于纵向蚀刻速率不 高,高能
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- 蚀刻 机台 简介
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