电子技术场效应管.ppt
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_1.gif)
![资源得分’ title=](/images/score_05.gif)
《电子技术场效应管.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电子技术场效应管.ppt(36页珍藏版)》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、电子技术场效应管现在学习的是第1页,共36页3.3.掌握掌握掌握掌握场效应管的伏安特性及主要参数;场效应管的伏安特性及主要参数;本章要求:本章要求:1.1.了解了解了解了解场效应管的结构与类型;场效应管的结构与类型;场效应管的结构与类型;场效应管的结构与类型;2.2.理解理解理解理解场效应管的工作原理;场效应管的工作原理;4.4.掌握掌握场效应管放大电路的分析。场效应管放大电路的分析。现在学习的是第2页,共36页场效应管的特点场效应管的特点 1.1.它是利用改变外加它是利用改变外加电压电压产生的产生的电场强度电场强度来控制其来控制其导电能力的半导体器件。导电能力的半导体器件。2.2.它具有双极
2、型三极管的体积小、重量轻、耗电少、它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点,寿命长等优点,3.3.还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。4.4.在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。用。现在学习的是第3页,共36页N沟道沟道P沟道沟道增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道(耗尽型)(耗尽型)FET场效应管场效应管JFET结型结型MOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)分类:分类
3、:3.1 3.1 场效应晶体管场效应晶体管(FET(FET)现在学习的是第4页,共36页 源极,用S或s表示N型导电沟道漏极,用D或d表示 P型区P型区栅极,用G或g表示栅极,用G或g表示符号符号#符号中的箭头方向表示什么?符号中的箭头方向表示什么?符号中的箭头方向表示什么?符号中的箭头方向表示什么?3.1.1 3.1.1 结型场效应晶体管结型场效应晶体管JFETJFET现在学习的是第5页,共36页结型场效应管的结构如图所示。结型场效应管的结构如图所示。在一块在一块N N型半导体材料的两边各扩型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的散一个高杂质浓度的P+P+区区,就形就形成两个不对称的成两个不
4、对称的P+NP+N结,即耗尽结,即耗尽层。把两个层。把两个P+P+区并联在一起,引区并联在一起,引出一个电极出一个电极g g,称为栅极,在,称为栅极,在N N型型半导体的两端各引出一个电极,半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极分别称为源极s s和漏极和漏极d d。夹在两个夹在两个P+N结中间的区域称为导电沟结中间的区域称为导电沟道(简称沟道)。道(简称沟道)。图所示的管子的图所示的管子的N区是电流的通道,区是电流的通道,称为称为N沟道结型场效应管。沟道结型场效应管。现在学习的是第6页,共36页场效应管的三个电极与三极管的三个电极的对应关系场效应管的三个电极与三极管的三个电极的对应关系栅极栅
5、极g-基极基极b 源极源极s-发射极发射极e 漏极漏极d-集电极集电极c 1.P 1.P 沟道和沟道和N N沟道结构及电路符号沟道结构及电路符号P沟沟道道G门极门极D漏极S源极源极gdsP沟道结构及电路符号沟道结构及电路符号N沟道G门极门极D漏极S源极源极gdsN沟道结构及电路符号沟道结构及电路符号现在学习的是第7页,共36页2.工作等效(以工作等效(以P沟道为例)沟道为例)UgsIsId(1)PN结不加反向电压(Ugs)或加的电压不足以使沟道闭合时。沟道导通,电阻很小,并且阻值随沟道的截面积减少而增大。称可变电阻区 ;ID=UDs/RDsRDSPNNGIDIS=IDPN结结PN结结+-UGS
6、增大耗尽层加厚。UGS=0:ID=IDSS电路图电路图 等效图等效图现在学习的是第8页,共36页(2)恒流工作(电压控制电流源)恒流工作(电压控制电流源)GID+RDVDDDSPN结加结加反向反向电压(电压(Ugs)使使沟道沟道微微闭闭合合时电流时电流ID与与UDS无关,无关,称称恒流区。恒流区。ID=IDSS(1-)2ugsvPPNNGIDIS=IDPN结结PN结结+-耗尽层闭合时UGS=VPRDVDDUGS电路图电路图 等效图等效图现在学习的是第9页,共36页(3)(3)截止工作截止工作PNNGID=0IS=IDPN结结PN结结+-RDVDDUGS耗尽层完全闭合,沟道夹断,电子过不去栅极电
7、压栅极电压UGS大于等大于等夹断电压夹断电压UP时,时,ID=0相当一个很大的电阻相当一个很大的电阻现在学习的是第10页,共36页3.JFET3.JFET的主要参数的主要参数1)夹断电压)夹断电压VP:手册给出是手册给出是ID为一微小值时的为一微小值时的VGS2)饱和漏极电流)饱和漏极电流IDSS;VGS=0,时的,时的IDudsidvgs=常数常数vgsidUds=常数常数uGS id5)极限参数:极限参数:V(BR)DS、漏极的附近发生雪崩击穿。、漏极的附近发生雪崩击穿。V(BR)GS、栅源间的最高反向击穿。、栅源间的最高反向击穿。PDM 最大漏极允许功耗最大漏极允许功耗,与三极管类似。,
8、与三极管类似。3)、电压控制电流系数电压控制电流系数gm=4 4)交流输出)交流输出电阻电阻 rds=现在学习的是第11页,共36页4.特性曲线:特性曲线:与三极管相同,场效应管也有输入和输出的特性曲线。称为转与三极管相同,场效应管也有输入和输出的特性曲线。称为转移特性曲线和输出特性曲线。以移特性曲线和输出特性曲线。以N N型型JFETJFET为例:为例:0ugs(v)-4 -3 -2 -1idmA54321VPIDSSN型型JFET的转移曲线的转移曲线可变电阻区截止区IB0UDS=UGS-VPN型型JFET的的输出特性曲线输出特性曲线(V)UDS-4V-2.0V-1VUGS=0V Vma I
9、D放大区0击击穿穿区区现在学习的是第12页,共36页综上分析可知综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,所以场效应管也称为单极型三极管。所以场效应管也称为单极型三极管。JFETJFET是电压控制电流器件,是电压控制电流器件,i iD D受受v vGSGS控制控制预夹断前预夹断前i iD D与与v vDSDS呈近似线性关系;预夹断后,呈近似线性关系;预夹断后,i iD D趋于饱和。趋于饱和。#为什么为什么为什么为什么JFETJFET的输入电阻比的输入电阻比的输入电阻比的输入电阻比BJTBJT高得多?高得多?高得多?高得多?JFETJFET栅极
10、与沟道间的栅极与沟道间的PNPN结是反向偏置的,因结是反向偏置的,因 此此i iG G 0 0,输入电阻很高。,输入电阻很高。现在学习的是第13页,共36页Sect增强型增强型MOSFET耗尽型耗尽型MOSFET3.1.2 3.1.2 3.1.2 3.1.2 绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管 MOSFETMOSFETMOSFETMOSFET现在学习的是第14页,共36页1.N1.N沟道沟道增强型增强型MOSMOS场效应管结构场效应管结构漏极D集电极C源极S发射极E栅极G基极B衬底B电极金属绝缘层氧化物基体半导体因此称之为MOS管Sect现在学习的是第15页,共3
11、6页当当UGS较小较小时,虽然在时,虽然在P型衬底表型衬底表面形成一层面形成一层耗尽层耗尽层,但负离子不,但负离子不能导电。能导电。当当UGS=UT时时,在在P型衬底表面型衬底表面形成一层形成一层电子层电子层,形成,形成N型导电沟型导电沟道,在道,在UDS的作用下形成的作用下形成ID。UDSID+-+-+-UGS反型层反型层 当当UGS=0V时,漏源之间相当两个背靠背的时,漏源之间相当两个背靠背的PN结,无论结,无论UDS之间加之间加上电压不会在上电压不会在D、S间形成电流间形成电流ID,即即ID0.当当UGSUT时时,沟道加厚,沟道电阻减少,沟道加厚,沟道电阻减少,在相同在相同UDS的作用下
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 电子技术 场效应
![提示](https://www.deliwenku.com/images/bang_tan.gif)
限制150内