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1、RF&MW 第第4 4章章 功率衰减器功率衰减器 4.1 4.1 功率衰减器的原理功率衰减器的原理4.2 4.2 集集总总参数衰减器参数衰减器4.3 4.3 分布参数衰减器分布参数衰减器4.4 PIN4.4 PIN二极管电调衰减器二极管电调衰减器4.5 4.5 步进式衰减器步进式衰减器RF&MW 4.14.1功率衰减器的原理功率衰减器的原理4.1.14.1.1衰减器的技术指标衰减器的技术指标工作频带、工作频带、工作频带、工作频带、衰减量、衰减量、衰减量、衰减量、功率容量、功率容量、功率容量、功率容量、回波损耗等回波损耗等回波损耗等回波损耗等(1)(1)工作频带。工作频带。现代同轴结构的衰减器使
2、用的现代同轴结构的衰减器使用的现代同轴结构的衰减器使用的现代同轴结构的衰减器使用的工作频带相当宽。工作频带相当宽。工作频带相当宽。工作频带相当宽。(2)(2)衰减量。衰减量。图衰减器的功率衰减量设为图衰减器的功率衰减量设为图衰减器的功率衰减量设为图衰减器的功率衰减量设为A A(dBdB)。若)。若)。若)。若P1P1、P2P2以分贝毫瓦(以分贝毫瓦(以分贝毫瓦(以分贝毫瓦(dBmdBm)表示表示表示表示,则则则则RF&MW (3)(3)功率容量。功率容量。衰减器是一种能量消耗元件衰减器是一种能量消耗元件,功率消耗后变功率消耗后变成热量。为免烧坏,设计和使用时成热量。为免烧坏,设计和使用时,必须
3、明确必须明确功率容量。功率容量。(4)(4)回波损耗。回波损耗。反映衰减器的驻波比。衰减器应与两端电反映衰减器的驻波比。衰减器应与两端电路都是匹配的。路都是匹配的。RF&MW 衰减量动态范围衰减量动态范围 在控制参量的变化范围内,衰减量的在控制参量的变化范围内,衰减量的在控制参量的变化范围内,衰减量的在控制参量的变化范围内,衰减量的 变化范围,针对可变衰减器变化范围,针对可变衰减器变化范围,针对可变衰减器变化范围,针对可变衰减器衰减量频带特性衰减量频带特性要求在宽的频率范围内,在控制参量一定要求在宽的频率范围内,在控制参量一定要求在宽的频率范围内,在控制参量一定要求在宽的频率范围内,在控制参量
4、一定时,衰减量变动很小时,衰减量变动很小时,衰减量变动很小时,衰减量变动很小其他指标:其他指标:RF&MW 4.1.24.1.2衰减器的基本构成衰减器的基本构成基本材料是电阻性材料。电阻衰减网络是衰基本材料是电阻性材料。电阻衰减网络是衰基本材料是电阻性材料。电阻衰减网络是衰基本材料是电阻性材料。电阻衰减网络是衰减器的一种基本形式减器的一种基本形式减器的一种基本形式减器的一种基本形式,也是集总参数衰减器。通也是集总参数衰减器。通也是集总参数衰减器。通也是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频
5、过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器果是大功率衰减器果是大功率衰减器果是大功率衰减器,体积要加大体积要加大体积要加大体积要加大,关键是散热设计。关键是散热设计。关键是散热设计。关键是散热设计。RF&MW 可快速调整的衰减器:可快速调整的衰减器:可快速调整的衰减器:可快速调整的衰减器:1 1、半导体小功率快调衰减器、半导体小功率快调衰减器、半导体小功率快调衰减器、半导体小功率快调衰减器,如如如如PINPIN
6、管或管或管或管或FETFET单片集成衰减器;单片集成衰减器;单片集成衰减器;单片集成衰减器;2 2、开关控制的电阻衰减网络、开关控制的电阻衰减网络、开关控制的电阻衰减网络、开关控制的电阻衰减网络,开关可以是电开关可以是电开关可以是电开关可以是电子开关子开关子开关子开关,也可以是射频继电器。也可以是射频继电器。也可以是射频继电器。也可以是射频继电器。RF&MW 4.1.34.1.3衰减器的主要用途衰减器的主要用途(1)(1)控制功率电平控制功率电平(2)(2)去耦元件去耦元件(3)(3)相对标准相对标准(4)(4)用于雷达抗干扰中的跳变衰减器用于雷达抗干扰中的跳变衰减器RF&MW 4.24.2
7、集总参数衰减器集总参数衰减器利用电阻构成的利用电阻构成的利用电阻构成的利用电阻构成的T T型或型或型或型或型网络实现集总参数型网络实现集总参数型网络实现集总参数型网络实现集总参数衰减器衰减器衰减器衰减器,通常衰减量是固定的通常衰减量是固定的通常衰减量是固定的通常衰减量是固定的,由三个电阻值决定。由三个电阻值决定。由三个电阻值决定。由三个电阻值决定。电阻网络兼有阻抗匹配或变换作用,可分为同阻电阻网络兼有阻抗匹配或变换作用,可分为同阻电阻网络兼有阻抗匹配或变换作用,可分为同阻电阻网络兼有阻抗匹配或变换作用,可分为同阻式和异阻式。式和异阻式。式和异阻式。式和异阻式。(a)T型功率衰减器;(b)型功率
8、衰减器 Z1、Z2为特性阻抗RF&MW 4.2.14.2.1同阻式集总参数衰减器同阻式集总参数衰减器同阻式衰减器两端的阻抗相同同阻式衰减器两端的阻抗相同同阻式衰减器两端的阻抗相同同阻式衰减器两端的阻抗相同,即即即即Z Z1 1Z Z2 2,不需不需不需不需要考虑阻抗变换要考虑阻抗变换要考虑阻抗变换要考虑阻抗变换,直接应用网络级联的办法求出衰直接应用网络级联的办法求出衰直接应用网络级联的办法求出衰直接应用网络级联的办法求出衰减量与各电阻值的关系。减量与各电阻值的关系。减量与各电阻值的关系。减量与各电阻值的关系。1.1.T型同阻式(型同阻式(Z1 1=Z2 2=Z0 0)如图如图如图如图4-24-
9、2(a a)所示所示所示所示,取取取取R Rs1s1=R=Rs2s2,利用三个,利用三个,利用三个,利用三个A A参数矩阵相乘的办法求出衰减器的参数矩阵相乘的办法求出衰减器的参数矩阵相乘的办法求出衰减器的参数矩阵相乘的办法求出衰减器的A A参参参参数矩阵数矩阵数矩阵数矩阵,再换算成再换算成再换算成再换算成S S矩阵矩阵矩阵矩阵,就能求出它的衰减量。就能求出它的衰减量。就能求出它的衰减量。就能求出它的衰减量。串联电阻和并联电阻的串联电阻和并联电阻的串联电阻和并联电阻的串联电阻和并联电阻的A A网络参数如下网络参数如下网络参数如下网络参数如下:RF&MW R Rs1s1的转移矩阵的转移矩阵的转移矩
10、阵的转移矩阵 R Rp p的转移矩阵的转移矩阵的转移矩阵的转移矩阵相乘得相乘得相乘得相乘得(4-2)(4-3)(4-4)RF&MW 转化为转化为转化为转化为S S矩阵为矩阵为矩阵为矩阵为RF&MW 对衰减器的要求是衰减量为对衰减器的要求是衰减量为对衰减器的要求是衰减量为对衰减器的要求是衰减量为20lg|s20lg|s2121|(dB),|(dB),端口匹配端口匹配端口匹配端口匹配10lg|s10lg|s1111|=-|=-。求解联立方程组就可解得各个阻值。求解联立方程组就可解得各个阻值。求解联立方程组就可解得各个阻值。求解联立方程组就可解得各个阻值。RF&MW 2.2.型同阻式(型同阻式(Z1
11、 1=Z2 2=Z0 0)如图如图如图如图4-24-2(b b),取取取取R Rp1p1=R=Rp2p2,利用三个利用三个利用三个利用三个A A参参参参数矩阵相乘的办法求出衰减器的数矩阵相乘的办法求出衰减器的数矩阵相乘的办法求出衰减器的数矩阵相乘的办法求出衰减器的A A参数矩阵参数矩阵参数矩阵参数矩阵,再再再再换算成换算成换算成换算成S S矩阵矩阵矩阵矩阵,就能求出它的衰减量。就能求出它的衰减量。就能求出它的衰减量。就能求出它的衰减量。(4-7)RF&MW 4.2.24.2.2异阻式集总参数衰减器异阻式集总参数衰减器设计异阻式集总参数衰减器时设计异阻式集总参数衰减器时设计异阻式集总参数衰减器时
12、设计异阻式集总参数衰减器时,级联后要考级联后要考级联后要考级联后要考虑阻抗变换。虑阻抗变换。虑阻抗变换。虑阻抗变换。1.1.T型异阻式型异阻式(4-8)RF&MW 2.2.型异阻式型异阻式(4-9)RF&MW 4.2.34.2.3集总参数衰减器设计实例集总参数衰减器设计实例设计实例一:设计实例一:设计一个设计一个设计一个设计一个5dBT5dBT型同阻式(型同阻式(型同阻式(型同阻式(Z Z1 1=Z=Z2 2=50=50)固固固固定衰减器。定衰减器。定衰减器。定衰减器。步骤一步骤一步骤一步骤一:同阻式集总参数衰减器同阻式集总参数衰减器同阻式集总参数衰减器同阻式集总参数衰减器A=-5dB,A=-
13、5dB,由由由由公式公式公式公式(4-6)(4-6)计算元件参数计算元件参数计算元件参数计算元件参数:RF&MW 步骤二步骤二步骤二步骤二:利用利用利用利用ADSADS仿真衰减器特性。仿真衰减器特性。仿真衰减器特性。仿真衰减器特性。RF&MW 设计实例二:设计实例二:设计设计设计设计10dB10dB型同阻式(型同阻式(型同阻式(型同阻式(Z Z1 1=Z=Z2 2=50=50)固固固固定衰减器。定衰减器。定衰减器。定衰减器。步骤一:同阻式集总参数衰减器步骤一:同阻式集总参数衰减器步骤一:同阻式集总参数衰减器步骤一:同阻式集总参数衰减器A=-A=-10dB,10dB,由公式由公式由公式由公式(4
14、-7)(4-7)(4-7)(4-7)计算元件参数计算元件参数计算元件参数计算元件参数:RF&MW 步骤二步骤二步骤二步骤二:利用利用利用利用ADSADS仿真衰减器特性。仿真衰减器特性。仿真衰减器特性。仿真衰减器特性。图4-5 型同阻式固定衰减器电路图RF&MW 图 4-6仿真结果RF&MW 设计实例三:设计实例三:设计设计设计设计10dB10dB型异阻式(型异阻式(型异阻式(型异阻式(Z Z1 1=50,Z=50,Z2 2=75=75)固固固固定衰减器。定衰减器。定衰减器。定衰减器。步骤一步骤一步骤一步骤一:异阻式集总参数衰减器异阻式集总参数衰减器异阻式集总参数衰减器异阻式集总参数衰减器A=-
15、10dB:A=-10dB:RF&MW 步骤二步骤二步骤二步骤二:利用利用利用利用ADSADS仿真。仿真。仿真。仿真。图4-7 型同阻式固定衰减器电路图RF&MW 图4-8 仿真结果RF&MW 4.34.3 分布参数衰减器分布参数衰减器4.3.14.3.1同轴型衰减器同轴型衰减器1.1.吸收式衰减器吸收式衰减器在同轴系统中在同轴系统中在同轴系统中在同轴系统中,吸收式衰减器的结构有三种形吸收式衰减器的结构有三种形吸收式衰减器的结构有三种形吸收式衰减器的结构有三种形式:内外导体间电阻性介质填充、内导体串联电式:内外导体间电阻性介质填充、内导体串联电式:内外导体间电阻性介质填充、内导体串联电式:内外导
16、体间电阻性介质填充、内导体串联电阻和带状线衰减器转换为同轴形式。衰减量的大阻和带状线衰减器转换为同轴形式。衰减量的大阻和带状线衰减器转换为同轴形式。衰减量的大阻和带状线衰减器转换为同轴形式。衰减量的大小与电阻材料的性质和体积有关。小与电阻材料的性质和体积有关。小与电阻材料的性质和体积有关。小与电阻材料的性质和体积有关。n n优缺点:优点是频带宽,功率容量大,优缺点:优点是频带宽,功率容量大,起始衰减量小,稳定性好,缺点是精度起始衰减量小,稳定性好,缺点是精度较差。较差。RF&MW 图 4-9 三种同轴结构吸收式衰减器(a)填充;(b)串联;(c)带状线RF&MW 2.2.截止式衰减器截止式衰减
17、器 又称又称又称又称“过极限衰减器过极限衰减器过极限衰减器过极限衰减器”,用截止波导制成,用截止波导制成,用截止波导制成,用截止波导制成,根据当工作波长远大于截止波长根据当工作波长远大于截止波长根据当工作波长远大于截止波长根据当工作波长远大于截止波长cc时时时时,电磁波的电磁波的电磁波的电磁波的幅度在波导中按指数规律衰减的特性来实现。幅度在波导中按指数规律衰减的特性来实现。幅度在波导中按指数规律衰减的特性来实现。幅度在波导中按指数规律衰减的特性来实现。工作波长范围工作波长范围衰减量衰减量优缺点:优点是频带宽,精度高,可用作标准衰减优缺点:优点是频带宽,精度高,可用作标准衰减器。缺点是起始衰减量
18、太大。器。缺点是起始衰减量太大。dBRF&MW 图 4-10截止式衰减器RF&MW 4.3.24.3.2波导型衰减器波导型衰减器1.1.吸收式衰减器吸收式衰减器图 4-11 吸收式衰减器结构示意图 (a)固定式;(b)可变式RF&MW 2.2.极化吸收式衰减器极化吸收式衰减器圆柱波导旋转的角度圆柱波导旋转的角度圆柱波导旋转的角度圆柱波导旋转的角度 可以用精密传动系统测量可以用精密传动系统测量可以用精密传动系统测量可以用精密传动系统测量并显示出来,角度的变化也就是极化面的变化。并显示出来,角度的变化也就是极化面的变化。并显示出来,角度的变化也就是极化面的变化。并显示出来,角度的变化也就是极化面的
19、变化。极化衰减器的衰减量为极化衰减器的衰减量为极化衰减器的衰减量为极化衰减器的衰减量为A=20A=20lglg(coscos)(4-104-10)优缺点:优点是频带宽,精度高,起始衰减量小,优缺点:优点是频带宽,精度高,起始衰减量小,优缺点:优点是频带宽,精度高,起始衰减量小,优缺点:优点是频带宽,精度高,起始衰减量小,缺点是结构复杂,较昂贵。缺点是结构复杂,较昂贵。缺点是结构复杂,较昂贵。缺点是结构复杂,较昂贵。RF&MW 图 4-12 极化吸收式衰减器原理图RF&MW 4.3.34.3.3微带型衰减器微带型衰减器4.3.44.3.4匹配负载匹配负载同同同同轴轴轴轴和和和和微微微微带带带带中
20、中中中,匹匹匹匹配配配配负负负负载载载载的的的的电电电电阻阻阻阻通通通通常常常常是是是是5050,可可可可以以以以用用用用电电电电阻阻阻阻表表表表测测测测量量量量。集集集集总总总总元元元元件件件件电电电电阻阻阻阻可可可可以以以以用用用用来来来来实实实实现现现现窄窄窄窄带带带带匹匹匹匹配配配配负负负负载载载载。微微微微波波波波工工工工程程程程中中中中,用用用用5151贴贴贴贴片片片片电电电电阻阻阻阻实实实实现微带匹配负载。现微带匹配负载。现微带匹配负载。现微带匹配负载。RF&MW 4.44.4 PIN PIN二极管电调衰减器二极管电调衰减器 4.4.14.4.1PIN二极管二极管PINPIN二极
21、管是在重掺杂二极管是在重掺杂二极管是在重掺杂二极管是在重掺杂P+P+、N+N+之间夹之间夹之间夹之间夹一段较长的本征半导体所形成的半导体器件,一段较长的本征半导体所形成的半导体器件,一段较长的本征半导体所形成的半导体器件,一段较长的本征半导体所形成的半导体器件,中间中间中间中间I I层长度为几到几十微米。层长度为几到几十微米。层长度为几到几十微米。层长度为几到几十微米。图 4-14 PIN二极管结构示意RF&MW 1.1.直流特性直流特性在零偏与反偏下,在零偏与反偏下,在零偏与反偏下,在零偏与反偏下,PINPIN管均不能导通,呈现大电阻;管均不能导通,呈现大电阻;管均不能导通,呈现大电阻;管均
22、不能导通,呈现大电阻;正偏时,正偏时,正偏时,正偏时,P+P+、N+N+分别从两端向分别从两端向分别从两端向分别从两端向I I区注入载流子,它区注入载流子,它区注入载流子,它区注入载流子,它们到达中间区域复合。们到达中间区域复合。们到达中间区域复合。们到达中间区域复合。PINPIN管一直呈现导通状态,管一直呈现导通状态,管一直呈现导通状态,管一直呈现导通状态,偏压(流)越大,载流子数目越多,正向电阻越小。偏压(流)越大,载流子数目越多,正向电阻越小。偏压(流)越大,载流子数目越多,正向电阻越小。偏压(流)越大,载流子数目越多,正向电阻越小。2 2.交流信号作用下的阻抗特性交流信号作用下的阻抗特
23、性频率较低时,正向导电,反向截止,频率较低时,正向导电,反向截止,频率较低时,正向导电,反向截止,频率较低时,正向导电,反向截止,具有整流具有整流具有整流具有整流特性。特性。特性。特性。频率较高时,正半周来不及复合,负半周不能完频率较高时,正半周来不及复合,负半周不能完频率较高时,正半周来不及复合,负半周不能完频率较高时,正半周来不及复合,负半周不能完全抽空,全抽空,全抽空,全抽空,I I区总有一定的载流子维持导通。区总有一定的载流子维持导通。区总有一定的载流子维持导通。区总有一定的载流子维持导通。RF&MW 3.3.PIN二极管的特性二极管的特性(1)(1)直流反偏时,对微波信号呈现很高的阻
24、抗,直流反偏时,对微波信号呈现很高的阻抗,直流反偏时,对微波信号呈现很高的阻抗,直流反偏时,对微波信号呈现很高的阻抗,正偏时呈现很低的阻抗。可用小的直流(低频)功正偏时呈现很低的阻抗。可用小的直流(低频)功正偏时呈现很低的阻抗。可用小的直流(低频)功正偏时呈现很低的阻抗。可用小的直流(低频)功率控制微波信号的通断,用作开关、率控制微波信号的通断,用作开关、率控制微波信号的通断,用作开关、率控制微波信号的通断,用作开关、数字移相等。数字移相等。数字移相等。数字移相等。(2)(2)直流从零到正偏连续增加时,对微波信号呈直流从零到正偏连续增加时,对微波信号呈直流从零到正偏连续增加时,对微波信号呈直流
25、从零到正偏连续增加时,对微波信号呈现一个线性电阻,变化范围从几兆欧到几欧姆,用现一个线性电阻,变化范围从几兆欧到几欧姆,用现一个线性电阻,变化范围从几兆欧到几欧姆,用现一个线性电阻,变化范围从几兆欧到几欧姆,用作可调衰减器。作可调衰减器。作可调衰减器。作可调衰减器。RF&MW 4.4.24.4.2电调衰减器电调衰减器利用利用利用利用PINPIN管正偏电阻随电流变化这一特点,管正偏电阻随电流变化这一特点,管正偏电阻随电流变化这一特点,管正偏电阻随电流变化这一特点,调节偏流改变电阻,实现电调衰减器。调节偏流改变电阻,实现电调衰减器。调节偏流改变电阻,实现电调衰减器。调节偏流改变电阻,实现电调衰减器
26、。1.1.单管电调衰减器单管电调衰减器在微带线中打孔接一个在微带线中打孔接一个在微带线中打孔接一个在微带线中打孔接一个PINPIN管,改变控制管,改变控制管,改变控制管,改变控制信号就可改变输出功率的大小。这种结构的衰信号就可改变输出功率的大小。这种结构的衰信号就可改变输出功率的大小。这种结构的衰信号就可改变输出功率的大小。这种结构的衰减器输入电压驻波比大。减器输入电压驻波比大。减器输入电压驻波比大。减器输入电压驻波比大。RF&MW 图 4-15微带单管电调衰减器RF&MW 2.2.型衰减器型衰减器可变衰减器的一个重要特性是可变衰减器的一个重要特性是可变衰减器的一个重要特性是可变衰减器的一个重
27、要特性是 它的输入阻抗它的输入阻抗它的输入阻抗它的输入阻抗可保持不变,使得衰减器在整个工作频率范围内可保持不变,使得衰减器在整个工作频率范围内可保持不变,使得衰减器在整个工作频率范围内可保持不变,使得衰减器在整个工作频率范围内保持匹配。保持匹配。保持匹配。保持匹配。可由可由pin管的特性产生需要的电阻值管的特性产生需要的电阻值RF&MW 2.2.3dB定向耦合器型衰减器定向耦合器型衰减器图4-16 3dB定向耦合器型衰减器的原理和微带结构RF&MW 3.3.吸收阵列式电调衰减器吸收阵列式电调衰减器 多个多个多个多个PINPIN管合理布置可制成频带宽、管合理布置可制成频带宽、管合理布置可制成频带
28、宽、管合理布置可制成频带宽、动态动态动态动态范围大、驻波比小、功率容量大的阵列式电调范围大、驻波比小、功率容量大的阵列式电调范围大、驻波比小、功率容量大的阵列式电调范围大、驻波比小、功率容量大的阵列式电调衰减器。衰减器。衰减器。衰减器。PINPIN管等距排列,但偏流不同。单节管等距排列,但偏流不同。单节管等距排列,但偏流不同。单节管等距排列,但偏流不同。单节衰减器的反射系数和衰减分别为衰减器的反射系数和衰减分别为衰减器的反射系数和衰减分别为衰减器的反射系数和衰减分别为RF&MW 图 4-17 阵列式电调衰减器(a)PIN二极管阵列;(b)反偏或零偏;(c)正偏RF&MW 4.54.5 步进式衰
29、减器步进式衰减器 1.1.固定衰减器开关固定衰减器开关开关可用开关可用开关可用开关可用PINPIN二极管实现或使用二极管实现或使用二极管实现或使用二极管实现或使用FETFET单片集单片集单片集单片集成开关。特点是速度快,寿命长。缺点是承受成开关。特点是速度快,寿命长。缺点是承受成开关。特点是速度快,寿命长。缺点是承受成开关。特点是速度快,寿命长。缺点是承受功率小。功率小。功率小。功率小。数字程控衰减器,需要把数字信号进行功数字程控衰减器,需要把数字信号进行功数字程控衰减器,需要把数字信号进行功数字程控衰减器,需要把数字信号进行功率放大,以推动继电器或率放大,以推动继电器或率放大,以推动继电器或
30、率放大,以推动继电器或PINPIN管。开关的驱动管。开关的驱动管。开关的驱动管。开关的驱动电路是程控衰减器的一个重要组成部分。电路是程控衰减器的一个重要组成部分。电路是程控衰减器的一个重要组成部分。电路是程控衰减器的一个重要组成部分。RF&MW 2.2.PIN二极管步进衰减器二极管步进衰减器PIN二极管电调衰减器的控制电流的二极管电调衰减器的控制电流的改变,能够连续地改变衰减量,将这一控改变,能够连续地改变衰减量,将这一控制信号按照一定的规律离散化,可实现衰制信号按照一定的规律离散化,可实现衰减量的步进调整。减量的步进调整。RF&MW FETFET电调衰减器电调衰减器利用栅极电压控制来改变利用
31、栅极电压控制来改变FETFET的电阻,的电阻,实现对衰减量的控制实现对衰减量的控制PINPIN二极管在耐功率性能、低损耗等方面有二极管在耐功率性能、低损耗等方面有显著的优点,特别是显著的优点,特别是PINPIN二极管由于其具有二极管由于其具有极小的寄生电参数,在微波低损耗电路中更极小的寄生电参数,在微波低损耗电路中更显优势,但显优势,但PINPIN管构成的电调衰减器在频带管构成的电调衰减器在频带范围和衰减量动态范围的调节上远不如范围和衰减量动态范围的调节上远不如GaAsGaAs MESFETMESFET管构成的有源衰减器。管构成的有源衰减器。RF&MW 图图1T型型图图2型型RF&MW 电容可
32、认为相当好地不随栅极电压变化电容可认为相当好地不随栅极电压变化T T型结构损耗相对较低,而在动态范围上,型结构损耗相对较低,而在动态范围上,型结构占优型结构占优 RF&MW RF&MW 218GHz218GHz,衰减量动态范围,衰减量动态范围12dB;12dB;212GHz212GHz衰减量动态范围衰减量动态范围17dB;17dB;输入信号达输入信号达600mV600mV时,时,性能不变坏。性能不变坏。RF&MW 限幅器限幅器技术指标技术指标工作频带、工作频带、工作频带、工作频带、限幅电平、限幅电平、限幅电平、限幅电平、功率容量、功率容量、功率容量、功率容量、回波损耗、频带特性回波损耗、频带特
33、性回波损耗、频带特性回波损耗、频带特性适用范围适用范围接收机的混频器接收机的混频器接收机的混频器接收机的混频器之前、扫频信号之前、扫频信号之前、扫频信号之前、扫频信号源中源中源中源中RF&MW 肖特基二极管肖特基二极管变容二极管变容二极管高功率时限幅高功率时限幅高功率时限幅高功率时限幅RF&MW PIN管限幅器管限幅器由于由于PIN在信号很强时,在信号很强时,Rj j很大,对信很大,对信号的衰减也很大,可起自动限幅作用。限幅号的衰减也很大,可起自动限幅作用。限幅用的用的PIN管本征层较薄(约管本征层较薄(约1m),对功率),对功率反应灵敏。当输入功率达到限幅功率时,输反应灵敏。当输入功率达到限幅功率时,输入功率再大,输出功率也不会增加。在微波入功率再大,输出功率也不会增加。在微波接收机的前端都放置有接收机的前端都放置有PIN限幅器,以保护限幅器,以保护低噪放不被意外信号烧毁。低噪放不被意外信号烧毁。RF&MW
限制150内