光刻操作教材.ppt
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1、光刻基本操作一、认真核对随工单,检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符,如果正确,将其倒入黑盒中,用倒边器检查片子是否有崩边,若有则查对随工单上是否有标明,若无,退回上步工序。确定无误后,按照随工单上的要求制作。二、光刻的主要步骤:匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查匀胶:目的:在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的 光刻胶准备工作:、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片 、检查胶瓶内光刻胶(胶液面 距瓶底5厘米,及时更换新 胶,并填写“换胶记录表”)、按随工单加工工步、匀胶程序 确定表,选择正确的匀胶程序 l注意:在匀胶过程中,如发 生不明原因的报警应 通知设备人员;停用5分钟以上应先匀3个 陪片,方可进行正式
2、片的匀胶所有胶类型加工步类型程序号负胶氧化层及氮化硅层用5#(0.8um1.1um)铝层及钝化层用4#(1.3um1.6um)正胶氧化层及氮化硅层用1#(0.9um1.2um)铝层及钝化层用3#(2.2um2.5um)前烘目的:将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发,增强抗显影能力主要步骤:、将匀完胶的硅片从黑色的片架 中倒入白色的四氟片架中 、将硅片放入烘箱中,负胶烘15 分钟,正胶25分钟 、将烘好的硅片取出,倒入黑色 聚乙烯片架中l注意:操作时必须带上手套操作曝光目的:将掩膜版上的图形复印到硅片上主要步骤:、检查光刻版:将光刻版放在UV灯下检查,照射背面检查是否有颗粒,若有用氮气吹 掉,切忌不
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