钝化刻蚀氮化硅.pptx
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1、多晶硅淀积多晶硅栅氧化层N阱第1页/共30页光刻4,刻NMOS管硅栅,磷离子注入形成NMOS管N阱NMOSNMOS管硅栅管硅栅用光刻胶做掩蔽用光刻胶做掩蔽第2页/共30页光刻5,刻PMOS管硅栅,硼离子注入及推进,形成PMOS管N阱PMOSPMOS管硅栅管硅栅用光刻胶做掩蔽用光刻胶做掩蔽第3页/共30页磷硅玻璃淀积N阱磷硅玻璃磷硅玻璃第4页/共30页光刻6,刻孔、磷硅玻璃淀积回流(图中有误,没刻出孔)N阱第5页/共30页蒸铝、光刻7,刻铝、光刻8,刻钝化孔(图中展示的是刻铝后的图形)N阱VoVinVSSVDDP-SUB磷注入硼注入磷硅玻璃PMOSPMOS管硅栅管硅栅NMOSNMOS管硅栅管硅栅
2、第6页/共30页离子注入的应用第7页/共30页第8页/共30页N阱硅栅CMOS工艺流程第9页/共30页形成N阱初始氧化,形成缓冲层,淀积氮化硅层光刻1,定义出N阱反应离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入,先注磷31P+,后注砷75As+3)双阱CMOS集成电路的工艺设计 P sub.100磷31P+砷75As+第10页/共30页形成P阱 在N阱区生长厚氧化层,其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉光刻胶及氮化硅层 P阱离子注入,注硼N阱P sub.100第11页/共30页推阱退火驱入,双阱深度约1.8m去掉N阱区的氧化层N阱P阱第12页/共30页形成场隔离区生长一层薄氧化层淀积一层氮化硅光刻2场隔离区
3、,非隔离区被光刻胶保护起来反应离子刻蚀氮化硅场区硼离子注入以防止场开启热生长厚的场氧化层去掉氮化硅层第13页/共30页阈值电压调整注入光刻3,VTP调整注入光刻4,VTN调整注入光刻胶31P+11B+第14页/共30页形成多晶硅栅(栅定义)生长栅氧化层 淀积多晶硅 光刻5,刻蚀多晶硅栅N阱P阱第15页/共30页形成硅化物淀积氧化层反应离子刻蚀氧化层,形成侧壁氧化层(spacer,sidewall)淀积难熔金属Ti或Co等低温退火,形成C-47相的TiSi2或CoSi去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co高温退火,形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2第16页/共30页形成N管源漏区光刻6,利
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- 钝化 刻蚀 氮化
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