标准GaN外延生长流程.ppt
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1、 标准GaN外延生长流程 高温除杂 反应室炉温升高1200,通入氢气,高温、燃烧除去衬底上的杂质,时间10min。蓝宝石衬底(4305m)高温、通H2 10min 标准GaN外延生长流程 :长缓冲层 炉温降底控制在530时,在蓝宝石衬底上生长一层300A厚的GaN缓冲层,时间3min。蓝宝石衬底(430m)GaN缓冲层300A 标准GaN外延生长流程 退火 炉温升至1150,时间7min,将低温长的非晶缓冲层通过高温形成多晶GaN 缓冲层。蓝宝石衬底(430m)GaN缓冲层300A1150 退火 标准GaN外延生长流程 长GaN单晶 将炉温控制至1160,在GaN缓冲层上生长一层0.5m厚的G
2、aN单晶。蓝宝石衬底(430m)GaN单晶 0.5m 标准GaN外延生长流程 长N型GaN 将炉温控制至1160,长GaN 的同时掺Si(浓度5108/cm3),时间1小时。蓝宝石衬底(430m)N型GaN 2.5ml 长多量子阱MQW 炉温降至750,先长一层InGaN(20A),接着长一层GaN(140A),连续长8个InGaN和 GaN势阱势垒pair(160A),整个MQW厚度1200A.调整掺In的浓度可调整波长,用时约80min.蓝宝石衬底(430m)MQW多量子阱 标准GaN外延生长流程 标准GaN外延生长流程l多量子阱结构l量子阱为LED的发光区GaN势垒140AInGaN势阱
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