减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法.pdf
《减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法.pdf(1页珍藏版)》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法 王向武;陆春一;马利行【期刊名称】固体电子学研究与进展【年(卷),期】1995(15)3【摘 要】叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法:减压常压二步法。采用该方法所生长的外延层,其过渡区明显小于常规二步法的结果,和单纯减压方法所得的结果相当,外延层晶格质量明显优于单纯减压外延的结果。【总页数】3 页(P299-301)【关键词】自掺杂;减压;二步外延;硅;外延生长【作 者】王向武;陆春一;马利行【作者单位】南京电子器件研究所【正文语种】中 文【中图分类】TN304.12;TN304.054【相关文献】1.减小硅外延自掺杂的一种新方法 J,王向武;陆春一;等 2.自掺杂对硅外延片电阻率影响的计算机模拟 J,张储林;孙以材 3.多层硅外延中自掺杂现象研究 J,宋晓东 4.重掺衬底对硅外延过程中系统自掺杂的影响 J,杨帆;马梦杰;金龙;王银海 5.改进的二步法生长双层、异型硅外延材料 J,王向武;陆春一;赵仲镛 因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 减小 外延 掺杂 影响 改进
限制150内