TVS用硅单晶研磨片(T-ZZB 2675—2022).pdf
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1、ICS 29.045 CCS H 82 T/ZZB 26752022 TVS 用硅单晶研磨片 Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS 2022-04-13 发布 2022-05-13 实施 浙江省品牌建设联合会 发 布 团体标准 T/ZZB 26752022 I 目 次 前言.II 1 范围.1 2 规范性引用文件.1 3 术语和定义.2 4 产品分类.2 5 基本要求.2 6 技术要求.2 7 试验方法.5 8 检验规则.6 9 标志、包装、贮存和运输.7 10 订货单(或合同)内容.8 11 质量承诺.8 T/ZZB 2675202
2、2 II 前 言 本文件按照GB/T 1.12020标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由浙江省品牌建设联合会提出并归口。本文件由浙江省质量合格评定协会牵头组织制定。本文件主要起草单位:浙江海纳半导体有限公司。本文件参与起草单位(排名不分先后):浙江旭盛电子有限公司、浙江众晶电子有限公司、浙江星宇能源科技有限公司、浙江华盛模具科技有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、浙江省质量合格评定协会、开化县检验检测研究院、衢州职业技术学院。本文件主要起草人:沈益军、肖世豪、潘金平、陈洪、饶伟星、张
3、立安、史少礼、黄云龙、詹玉峰、陈锋、牛小群、楼鸿飞、张超、汪新华、许琴、程富荣、苏文霞、冯小娟、梁奎、余天威。本文件评审专家组长:金勇。本文件由浙江省质量合格评定协会负责解释。T/ZZB 26752022 1 TVS 用硅单晶研磨片 1 范围 本文件规定了瞬态电压抑制二极管(TVS)用硅单晶研磨片(以下简称硅片)的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为100 mm、125 mm、150 mm的硅单晶研磨片。2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规
4、范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 2828.12012 计数抽样检验程
5、序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 129632014 电子级多晶硅 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径
6、测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 26068 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法 GB/T 26572 电子电气产品中限用物质的限量要求 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 T/ZZB 26752022 2 GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法 YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1 瞬态电压抑制二极管 transient voltage s
7、uppressor 是一种保护用的电子零件,可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏,简称TVS。4 产品分类 4.1 硅片按导电类型分为 N 型、P 型两种。4.2 硅片的掺杂剂类型分为硼(B)、磷(P)两种。4.3 硅片按表面取向可分为100、111。5 基本要求 5.1 设计研发 5.1.1 应具备产品全生命周期的设计能力和制程能力,包括产品设计、配方设计、生产流程设计、工艺设计以及设备和工装设计等。5.1.2 应具备关键技术研发能力,涉及直拉单晶硅生长技术、线切割加工技术、双面研磨加工技术、化学清洗技术研发等,包括基于 PLC 的温度自动控制、生长速度自动控制、转速自动控制、线速自动
8、控制、基于 CCD 的直径自动控制、以及基于红外感应的厚度自动控制等技术研发。5.2 原材料 5.2.1 原材料多晶硅应满足 GB/T 129632014 第 4.2 条中电子 2 级要求。5.2.2 原材料多晶硅应满足 GB/T 26572 对限用物质限量的要求。5.3 工艺及装备 5.3.1 应采用半导体硅单晶生长炉、金刚线切割机、双面研磨机、清洗机等自动化设备。5.3.2 应具备硅片自动分选仪,可实现硅片电阻率和厚度的精准分档和自动分片。5.4 检验检测 应具备少数载流子寿命、氧含量、碳含量、位错密度、表面取向、导电类型、电阻率、直径、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度等指标的检测能力。6
9、 技术要求 T/ZZB 26752022 3 6.1 理化性能 6.1.1 硅片的掺杂剂类型分为硼(B)、磷(P)两种。硅片的少数载流子寿命、氧含量、碳含量及晶体完整性应符合表 1 的规定。表1 理化性能 项目 指标要求 少数载流子寿命,s 100 氧含量,atoms/cm3 8.01017 碳含量,atoms/cm3 11016 位错密度,个/cm2 10 6.1.2 表面取向及其偏离度应符合下列要求:a)硅片的表面取向可分为100、111。b)硅片的表面取向偏离度可分为正晶向和偏晶向两种:正晶向:偏离度为 00.25。偏晶向:对111硅片,有主参考面的,硅片表面法线沿平行主参考面的平面向最
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