(1.21)--1.5.4 N沟道耗尽型MOSFETt的结构及特性曲线.ppt
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1、电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanN沟道耗尽型MOSFET的结构及特性曲线电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanN沟道耗尽型MOSFET的结构与N沟道增强型MOSFET的区别:在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了一定量的正离子。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan当UGS=0时,这些正离子感生出电子,形成耗尽层,N型导电沟道就已经生成。若施加漏源电压,则产生漏极电流。N沟道耗尽型MOSFET的结构电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan当UGS=0时,对应的漏极电流用IDSS表示。当UGS0时,ID进一步
2、增加。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线IDSS电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanIDSSN沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线UGS0时,随着UGS的减小ID逐渐减小,直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压,用符号UGS(off)或UP表示。夹断电压电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuanN沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线可变电阻区夹断区 恒流区预夹断曲线电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan场效应管符号的说明:N沟道增强型MOS管,衬底箭头向里。表示衬底在内部没有与源极连接。N沟道耗尽型MOS管。N沟道结型场效应管。没有绝缘层。如果是P沟道,箭头则向外。电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan要点01耗尽型MOSFET在制造时就已经生成了导电沟道。02耗尽型MOSFET的UGS可正可负。耗尽型与增强型MOSFET的特性曲线相似。03耗尽型MOSFET的结构及特性曲线电工电子学教学中心电工电子学教学中心-zhoulanjuan休息一会
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