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    • 高压MOSFET用200mm硅外延片(T-ZZB 28332022).pdf 高压MOSFET用200mm硅外延(T-ZZB 2833—2022).pdf

      高压用硅外延,发布,实施浙江省品牌建设联合会发布团体标准目次前言,范围,规范性引用文件,术语和定义,基本要求,技术要求,试验方法,检验规则,包装,标志,质量证明书,运输和贮存,质量承诺,前言本文件按.

      上传时间:2023-08-01   |   页数:11   |   格式:PDF   |   浏览:0

    • LED外延片行业前景预测与投资建议.doc LED外延行业前景预测与投资建议.doc

      LED外延行业前景预测与投资建议 1.1 外延行业发展趋势与前景预测 (1)行业发展因素分析 1)有利因素 (1)国家产业政策鼓励LED 产业发展 无论是 LED 显示产品,还是LED 照明产品.

      上传时间:2020-08-15   |   页数:17   |   格式:DOC   |   浏览:23

    • 最新LED外延片生产工艺流程.docx 最新LED外延生产工艺流程.docx

      Four short words sum up what has lifted most successful individuals above the crowd: a little bit mo.

      上传时间:2022-08-21   |   页数:11   |   格式:DOCX   |   浏览:0

    • 半导体硅外延片项目申报材料.docx 半导体硅外延项目申报材料.docx

      泓域咨询/半导体硅外延项目申报材料 半导体硅外延项目 申报材料 泓域咨询 MACRO 摘要说明 半导体硅外延主要由多晶硅原材料经过晶体生长、硅片成型和外延生长等工艺制备得到。由于掺杂工艺灵活,厚.

      上传时间:2021-01-11   |   页数:89   |   格式:DOCX   |   浏览:14

    • 半导体硅外延片行业实施方案.pdf 半导体硅外延行业实施方案.pdf

      半导体硅外延行业实施方案 20 xx 年20 xx 年 半导体硅外延主要由多晶硅原材料经过晶体生长硅片成型和外延生长等工艺制备得到.由于掺杂工艺灵活,厚度电阻率等器件参数便于调节,半导体硅外延具.

      上传时间:2023-04-13   |   页数:13   |   格式:PDF   |   浏览:0

    • 硅外延生长.ppt外延生长.ppt

      外延生长硅外延生长第五章硅第五章硅外延生长外延生长 5.15.1外延生长概述外延生长概述外延生长外延生长用来用来生长生长薄层单晶材料,即薄层单晶材料,即薄膜薄膜外延生长:外延生长:在一定条件下,在一.

      上传时间:2022-11-13   |   页数:77   |   格式:PPT   |   浏览:0

    • 外延技术a.ppt 外延技术a.ppt

      外延生长外延生长外延生长外延生长epitaxial growth在单晶衬底基片上生长一层有一定要求的与衬底晶向相同的一薄层单晶层的方法.外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初,为了制造高频大功.

      上传时间:2023-02-03   |   页数:44   |   格式:PPT   |   浏览:0

    • SJ 21534-2018 微波功率器件用氮化镓外延片规范电子.pdf SJ 21534-2018 微波功率器件用氮化镓外延规范[电子].pdf

      中华人民共和国电子行业标准FL 6134 SJ 215342018 微波功率器件用氮化嫁外延规范Specification of gallium nitride epitaxial wafer fo.

      上传时间:2022-11-23   |   页数:16   |   格式:PDF   |   浏览:0

    • MOCVD外延片项目策划方案【参考模板】.docx MOCVD外延项目策划方案【参考模板】.docx

      CMC.泓域咨询 MOCVD外延项目策划方案MOCVD外延项目策划方案xxx投资管理公司目录第一章 市场分析10一 瞄准技术制高点抢占先发优势。10二 瞄准人才制高点引育产业人才11第二章 绪论1.

      上传时间:2021-12-02   |   页数:136   |   格式:DOCX   |   浏览:1

    • 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法-编制说明.docx 碳化硅外延表面缺陷的测试激光散射法-编制说明.docx

      国家标准碳化硅外延表面缺陷的测试激光散射法编制说明送审稿一工作简况1立项目的和意义基于碳化硅材料的电力电子器件作为新兴的第三代半导体器件的杰出代表, 以其优越的综合性能表现正在受到越来越多的关注,在.

      上传时间:2023-01-05   |   页数:7   |   格式:DOCX   |   浏览:0

    • MOCVD外延片项目融资分析报告-参考模板.docx MOCVD外延项目融资分析报告-参考模板.docx

      CMC.泓域咨询 MOCVD外延项目融资分析报告报告说明围绕实现碳达峰碳中和目标,把绿色低碳理念融入战略性新兴产业发展全过程,加快构建科技含量高资源消耗低污染排放少的产业结构和生产方式,促进绿色低碳.

      上传时间:2021-12-01   |   页数:125   |   格式:DOCX   |   浏览:1

    • MOCVD外延片项目投资分析报告_参考模板.docx MOCVD外延项目投资分析报告_参考模板.docx

      CMC.泓域咨询 MOCVD外延项目投资分析报告MOCVD外延项目投资分析报告xx有限责任公司目录第一章 项目背景分析10一 发展目标10二 发展基础11三 建设开放型经济新体制13四 项目实施的.

      上传时间:2021-12-02   |   页数:139   |   格式:DOCX   |   浏览:2

    • MOCVD外延片项目合作计划书(模板).docx MOCVD外延项目合作计划书(模板).docx

      CMC.泓域咨询 MOCVD外延项目合作计划书目录第一章 项目基本情况11一 项目概述11二 项目提出的理由13三 加快构建现代化产业体系,打造国家重要先进制造业高地13四 项目总投资及资金构成16.

      上传时间:2021-12-02   |   页数:144   |   格式:DOCX   |   浏览:3

    • MOCVD外延片项目企划书-(模板范文).docx MOCVD外延项目企划书-(模板范文).docx

      CMC.泓域咨询 MOCVD外延项目企划书报告说明把握数字化革命潮流,推动数字技术向战略性新兴产业各领域各环节广泛渗透,实现产业基础高级化产业链现代化,催生大量新模式新业态。高效释放数据资源的价值作.

      上传时间:2021-11-04   |   页数:134   |   格式:DOCX   |   浏览:4

    • MOCVD外延片项目可行性报告-(模板).docx MOCVD外延项目可行性报告-(模板).docx

      CMC.泓域咨询 MOCVD外延项目可行性报告MOCVD外延项目可行性报告xx集团有限公司目录第一章 项目概述10一 项目名称及项目单位10二 项目建设地点10三 可行性研究范围10四 编制依据和.

      上传时间:2021-12-02   |   页数:141   |   格式:DOCX   |   浏览:3

    • MOCVD外延片项目建议书(模板参考).docx MOCVD外延项目建议书(模板参考).docx

      CMC.泓域咨询 MOCVD外延项目建议书MOCVD外延项目建议书xxx集团有限公司报告说明我省战略性新兴产业发展也面临一系列突出问题。原创性技术成果较为欠缺,部分关键技术核心零部件受制于人,优势.

      上传时间:2021-12-02   |   页数:141   |   格式:DOCX   |   浏览:1

    • 中国半导体硅片外延片行业发展概述.doc 中国半导体硅片外延行业发展概述.doc

      中国半导体硅片外延行业发展概述 1.1 半导体硅片、外延行业概述 (1)半导体硅片、外延定义及分类 在半导体制造业中广泛使用各种不同尺寸与规格的硅片,目前12英寸硅片的出货量占比超过60%,是目.

      上传时间:2020-08-15   |   页数:7   |   格式:DOC   |   浏览:24

    • 语文的外延与生活的外延相等.doc 语文的外延与生活的外延相等.doc

      如有侵权,请联系网站删除,仅供学习与交流语文的外延与生活的外延相等精品文档第 3 页语文的外延与生活的外延相等作者:陈文来源:杂文月刊教育世界2015年第04期语文与生活同在,它的外延与生活外延相等。.

      上传时间:2022-08-16   |   页数:3   |   格式:DOC   |   浏览:0

    • MOCVD外延片项目商业策划书(模板范本).docx MOCVD外延项目商业策划书(模板范本).docx

      CMC.泓域咨询 MOCVD外延项目商业策划书MOCVD外延项目商业策划书xx投资管理公司目录第一章 项目概述10一 项目名称及项目单位10二 项目建设地点10三 可行性研究范围10四 编制依据和.

      上传时间:2021-12-02   |   页数:132   |   格式:DOCX   |   浏览:0

    • 硅外延片生产工艺技术研究.pdf外延生产工艺技术研究.pdf

      分类号;z f 碰密级:拙蜜孑,rU D C:学号:Q 鲤1 5 2东南大学工程硕士学位论文硅外延生产工艺技术研究研究生姓名:高溘导师姓名:啦垄送熬攫申请学位级别亟学科专业名称徽皇王堂刍固佳电壬堂论.

      上传时间:2023-03-23   |   页数:37   |   格式:PDF   |   浏览:0

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