华工半导体物理试卷B(共7页).doc
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1、精选优质文档-倾情为你奉上姓名 学号 学院 专业 座位号 ( 密 封 线 内 不 答 题 )密封线线_ _ 诚信应考,考试作弊将带来严重后果! 华南理工大学期末考试 半导体物理学 试卷B注意事项:1. 考前请将密封线内各项信息填写清楚; 2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上); 3考试形式:闭卷; 4. 本试卷共六大题,满分100分,考试时间120分钟。题 号一二三四五六总分得 分评卷人一、选择填空(10分,每题2分)1 本征半导体是指 的半导体。A不含杂质与缺陷 B电子密度与空穴密度相等C电阻率最高 D电子密度与本征载流子密度相等2 砷化镓的导带极值位于布里渊区 。A 中心 B方向近边
2、界处C方向近边界处D方向近边界处3 公式q/ m* 中的是载流子的 。A渡越时间 B寿命C平均自由时间 D扩散系数4 半导体中载流子扩散系数的大小决定于其中的 。A 复合机构 B 散射机构C 能带机构 D 晶体结构5. 在光电转换过程中,硅(Si)材料一般不如砷化镓(GaAs)量子效率高,因其 。A禁带较窄 B禁带是间接跃迁型C禁带较宽 D禁带是直接跃迁型二、解释下列概念(10分,每题2分)1、空穴 2、浅能级杂质 3、声子 4、迁移率5、光电导三、回答问题(共20分,每题10分)1、由三种元素的原子组成的二维晶体,如图所示。(1) 画出布拉菲格子。(2)画出两种不同形式的原胞,并指出每个原胞
3、中含的原子数。2、画出半导体GaAs的晶体结构示意图,并简述其能带结构的特点。四、计算题(20分)证明当,且载流子浓度,时,半导体材料的电导率最小,并求的表达式。五、计算题(20分)光照如图所示n型半导体样品,假设光被均匀吸收,电子-空穴对的产生率为G(小注入),试在下列两种情况下分别求出稳态的非平衡空穴浓度分布。(1)不考虑表面复合;(2)在x = 0的表面的表面复合速度为S。六、计算题(20分)由金属-SiO2-P型硅组成得MOS结构,当外加电压使半导体表面少数载流子浓度nS与内部多数载流子浓度pp0相等时作为临界强反型条件。(1)试证明临界强反型时,半导体表面势, 其中 (2)画出临界强反型时半导体的能带图,标明相关符号,并把反型、耗尽、中性区各部分用竖线分开,用文字指明。专心-专注-专业
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- 华工 半导体 物理 试卷
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