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1、(完好版)半导体器件基础测试题第一章半导体器件基础测试题高三姓名班次分数一、选择题1、N型半导体是在本征半导体中参加下列物质而构成的。A、电子;B、空穴;C、三价元素;D、五价元素。2、在掺杂后的半导体中,其导电能力的大小的讲法正确的是。A、掺杂的工艺;B、杂质的浓度:C、温度;D、晶体的缺陷。3、晶体三极管用于放大的条件,下列讲法正确的是。A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结反偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;4、晶体三极管的截止条件,下列讲法正确的是。A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结反偏、集电结正偏;D、发射结反偏、
2、集电结反偏;5、晶体三极管的饱和条件,下列讲法正确的是。A、发射结正偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结反偏、集电结正偏;D、发射结反偏、集电结反偏;6、理想二极管组成的电路如下列图所示,其AB两端的电压是。A、12V;B、6V;C、+6V;D、+12V。7、要使普通二极管导通,下列讲法正确的是。A、运用它的反向特性;B、锗管使用在反向击穿区;C、硅管使用反向区域,而锗管使用正向区域;D、都使用正向区域。8、对于用万用表测量二极管时,下列做法正确的是。A、用万用表的R100或R1000的欧姆,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转;B、用万用表的R10K的欧姆,黑棒接正极,红棒接负
3、极,指针偏转;C、用万用表的R100或R1000的欧姆,红棒接正极,黑棒接负极,指针偏转;D、用万用表的R10,黑棒接正极,红棒接负极,指针偏转;9、电路如下列图所示,则A、B两点的电压正确的是。A、UA=3.5V,UB=3.5V,D截止;B、UA=3.5V,UB=1.0V,D截止;C、UA=1.0V,UB=3.5V,D导通;D、UA=1.0V,UB=1.0V,D截止。10、稳压二极管在电路中的接法,正确的讲法是。A、稳压管是正向并接在电路中,即稳压管正极接电路中电源的正极,负极接电源的负极;B、稳压管是反向并接在电路中,即稳压管正极接电路中电源的负极,负极接电源的正极;C、稳压管是正向串接在
4、电路中,即稳压管正极串接电路中电源的高电位,负极接电源的低电位。D、稳压管是反向串接在电路中,即稳压管正极串接电路中电源的低电位,负极接电源的高电位。11、电路如下列图所示,当电路输入端的电压发生变化时,会引起输出电压的变化,则下列四种变化中正确的是。A、UIU0IWIRURU0;B、UIU0IWIRURU0;C、UIU0IWIRURU0;D、UIU0IWIRURU0。12、对于三极管放大作用来讲,下列讲法中最确切的是。A、三极管具有电压放大作用;B、三极管具有功率放大作用;C、三极管具有电放逐大作用;D、三极管具有能量放大作用。13、对于二极管来讲,下列讲法中错误的是。A、二极管具有单向导电
5、性;B、二极管同样具有放大作用;C、二极管具有箝位功能;D、二极管具有开关等功能。14、对于三极管的输入特性,下列讲法正确的是。A、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ube之间的关系;B、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Uce之间的关系;C、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ic之间的关系;D、三极管的输入特性是指三极管的基极电流与Ie之间的关系;15、下列图中两只二极管的导通状态是。A、D1、D2导通;B、D1、D2截止;C、D1导通、D2截止;D、D1截止、D2导通。16、下列图中二极管为理想二极管,则输出电压是。A、UAO=15V;B、UAO=12V;C、UAO=-15V;
6、D、UAO=-12V。17、下列图中二极管为理想二极管,则输出电压是。A、UAO=15V;B、UAO=12V;C、UAO=-12V;D、UAO=0V。18、下列图中二极管为理想二极管,则输出电压是。A、UAO=6V;B、UAO=6V;C、UAO=-12V;D、UAO=12V。19、金属导体的电阻率随温度升高而,半导体的导电能力随温度的升高而。A、升高/升高;B、降低/降低;C、升高/降低;D、降低/升高。20、下列是PN结两端的电位值,使PN结导通的是。A、P端接+5V,N端通过一电阻接+7V;B、N端接+2V,P端通过一电阻接+7V;C、P端接3V,N端通过一电阻接+7V;D、P端接+1V,
7、N端通过一电阻接+6V。21、电路如下图,R=1K,设二管导通时的管压降为0.5V,则电压表的读数是。A、0.5V;B、15V;C、3V;D、以上答案都不对。22、如下图,设输入信号ui为正弦波,幅值为1V,二极管导通时正向电压降为0.6V,关于输出信号u0波形的讲法,正确的是。A、输出电压值的范围介于-0.6V+0.6V之间;B、输出电压值的范围介于-0V+0.6V之间;C、输出电压值的范围介于-0.6V0V之间;D、输出电压值的范围介于0V1V之间。23、对于3AG11C三极管的型号,下列讲法正确的是。A、锗管PNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;C、硅管NPN型高频
8、小功率晶体管;D、硅管NPN型低频大功率晶体管;24、对于3DD80C三极管的型号,下列讲法正确的是。A、锗管PNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管NPN型低频大功率晶体管;25、对于3DG12C三极管的型号,下列讲法正确的是。A、锗管PNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管NPN型低频大功率晶体管26、对于3AD30B三极管的型号,下列讲法正确的是。A、锗管PNP型高频小功率晶体管;B、锗管PNP型低频大功率晶体管;C、硅管NPN型高频小功率晶体管;D、硅管NPN型低
9、频大功率晶体管27、场效应管属于控制型器件,晶体三极管则属于控制器件。A、电压/电流;B、电流/电压;C、电压/电压;D、电流/电流28、电路其如下图,D为理想二极管,则u0为。A、3V;B、6V;C、-3V;D、-6V。29、电路如下列图所示,已知Rb=10K,Rc=1K,Ec=10V,晶体管的=50,Ube=0.7V,当Ui=0V时,三极管处于。A、截止状态;B、放大状态;C、饱和状态;D、击穿状态。二、判定下列讲法能否正确,用“和“表示判定结果填入空内。1在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。2由于N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。3PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。4处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动构成的。5结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。6若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。当前位置:文档视界(完好版)半导体器件基础测试题(完好版)半导体器件基础测试题当前位置:文档视界(完好版)半导体器件基础测试题(完好版)半导体器件基础测试题
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