(第六章)刻蚀课件.ppt
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1、Photoresist maskFilm to be etched(a) Photoresist-patterned substrate(b) Substrate after etchPhotoresist maskProtected filmTStart of etchEnd of etcht = elapsed time during etchT = change in thicknessSubstrateFilmResistResistSubstrateFilm(a)BiasResistFilmSubstrateWbWaUndercutSubstrateResistFilmOveretc
2、h(b) (a)0时刻 (b)t1时刻Emax:最大刻蚀速率Emin:最小刻蚀速率Eave:平均刻蚀速率 硅片的等离子体刻蚀过程图等离子体的电位相对于接地电极来说是正的,等离子体区域中的电势在系统中最大刻蚀机辉光放电区域原理图和电势分布图刻蚀机辉光放电区域原理图和电势分布图典型圆桶式反应器结构在等离子刻蚀中被激发的基团的特征波长Plasma-etchinga wafer人有了知识,就会具备各种分析能力,明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书,广泛阅读,古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识,培养逻辑思维能力;通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平,培养文学情趣;通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。有许多书籍还能培养我们的道德情操,给我们巨大的精神力量,鼓舞我们前进。63 结束语结束语
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- 关 键 词:
- 第六 刻蚀 课件
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