最新多晶硅清洗工艺教学课件.ppt
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1、多晶硅清洗工艺多晶硅清洗工艺摘要摘要1 概述2 一次清洗(扩散前清洗)3二次清洗(去磷硅玻璃清洗)4 各溶液的浓度检测5 安全注意事项一次清洗设备的主要组成: 清洗主体、传送滚轮、抽风系统、冷却系统和PLC电控及操作系统。 设备所需动力及其他: 电源:380/220V,60Hz 控制电压:24V 直流电源 额定电流:29 A 冷却功率:10KW DI水:压力4 bar 工水:压力3 bar 压缩空气:压力4-6kg/cm2,流量50m3/h。 环境要求:空气温度5-40,相对湿度:80%。满足的工艺节拍要求: 正常速度(0.8m/min)且标准间距(15mm):1400片/小时。硅片检验上料i
2、nput下料output检验刻蚀槽etch bath一次清洗2.3一次清洗工艺流程:图8 一次清洗工艺流程 干燥1: dry 1漂洗槽1rinse 1碱洗槽alkaline bath漂洗2rinse 2 酸洗槽acidic bath 漂洗槽3 rinse 3 干燥2dry 2 2.4一次清洗各槽位腐蚀原理刻蚀槽:HF-HNO3溶液,去除表面油污、切割损伤层以及制 备绒面;反应如下: Si+2HNO3+6HF = H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF = 3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF = 3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2 5S
3、i+6HNO3+30HF =5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2 Si+2KOH+H2O =K2SiO3+2H2酸洗槽:HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层,反 应如下: SiO2+6HF = H2SiF6+2H2O HCl去除硅表面金属杂质,盐酸具有酸和络合剂的 双重作用,氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、 Cu+、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的 络合物。二次清洗设备的主要组成: 清洗主体、传送滚轮、抽风系统、冷却系统和PLC电控及操作系统。 设备所需动力及其他: 电源:230/400V,50Hz 控制电压:24V 直流电源 额定电流:
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