节能灯电子镇流器工作原理.doc
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1、节能灯电子镇流器工作原理这几年来,电子镇流荧光灯行业持续大发展,产品水平不断提高,中国在世界上作为节能灯大国的地位已经确立;中国还要进一步成为节能灯强国,这就需要对产品技术和相应的技术基础理论进行进一步的探索。在对灯用三极管损坏机理的深入研讨中,笔者感到这以前对荧光灯电子镇流工作原理的描述越来越满足不了需要,甚至其中还有谬误之处,有必要对其进行更深入仔细的研究探讨。为避免复杂的数学推导,本文用较多的实测波形图加以说明。电子镇流器工作最基本的原理是把50HZ 的工频交流电,变成20-50KHZ 的较高频率的交流电,半桥串联谐振逆变电路中上下两个三极管在谐振回路电容、电感、灯管、磁环的配合下轮流导
2、通和截止,把工频交流电整流后的直流电变成较高频率的交流电。但是,具体工作过程中,不少书刊上把谐振回路电容充放电作为主要因素来描述,甚至认为“振荡电路的振荡频率是由振荡电路充放电的时间常数决定的”。我们感到谐振回路电容充电和放电是变流过程中的一个重要因素,但是,振荡电路的振荡频率却不能说就是由振荡电路的充放电时间常数决定的,电路工作状态下可饱和脉冲变压器(磁环)磁导率变化曲线的饱和点和三极管的存储时间ts 是工作周期的重要决定因素。三极管开关工作的具体过程中,不少书刊认为“基极电位转变为负电位”使导通三极管转变为截止,”T1(磁环)饱和后,各个绕组中的感应电势为零”“VT1 基极电位升高VT2
3、基极电位下降”;我们认为实际工作情况不是这样的。一、三极管开关工作的三个重要转折点:1、三极管怎样由导通转变为截止第一个转折点:不管是图1 用触发管DB3 产生三极管的起始基极电流Ib,还是基极回路带电容的半桥电路由基极偏置电阻产生三极管VT2 的起始基极电流Ib,三极管的Ib 产生集电极电流Ic,通过磁环绕组感应,强烈的正反馈使Ic 迅速增长,三极管导通,那么三极管是怎样由导通转变为截止的?图1 原理图图2 磁环磁化曲线与三极管Vce、Ic、Ib实践证明,三极管导通后其集电极电流Ic 增长,其导通转变为截止的过程有两个转折点,首先是可饱和脉冲变压器(磁环)磁导率的饱和点。图2 中上面为磁环磁
4、化曲线(B-H)及磁导率-H 变化曲线,=B/H,所以就是B-H 曲线的斜率,开始时随着外场H 的增加而增加,当H 增大到一定值时达到最大,其最大值为-H 曲线的峰值即可饱和脉冲变压器磁导率的峰值。此后,外场H 增加减小。在电子镇流荧光灯电路中,磁环工作在可饱和状态,它在每次磁化过程中其值必须过其峰值。在初期可饱和脉冲变压器(磁环)磁导率随着Ic 的增长而增长(图2);Ic增长到一定值,可饱和脉冲变压器的磁导率过图2 中峰值点,磁环绕组感应电压V 环=-Ldi/dt,而磁环绕组电感量(此公式还说明了磁环尺寸在这方面的作用),也就是说磁环绕组感应电压与可饱和脉冲变压器(磁环)磁导率成正比,磁环绕
5、组感应电压V 环过峰值(关于磁环绕组内电流的情况在本文后面说明,这里先以实测波形图说明),三极管基极电流Ib 同步过峰值(图2、图3),图2 下半部分为三极管Vce、Ic、Ib 波形图,图2 上半部分和下半部分有一根垂直的联线,把基极电流Ib 的峰值点和可饱和脉冲变压器的磁导率的峰值点联系到了一起,这是外部电路改变三极管工作状态的重要信号点,也就是三极管由导通转变为截止的第一个转折点。随着V 环的下降Ib 也下降,但这时基区内部的电压仍然是正的,当磁环绕组感应电压V 环低于基区内部的电压时(基区外电路所加电压下降到低于基区内部的电压但仍然是正的),少数的载流子就从基区流出.基极电流反向为负值I
6、b2(图3 红色曲线2);图3 显示了三极管基极电流Ib 峰值(红色曲线2)和磁环绕组感应电压峰值(兰色曲线1)是同步的,过峰值后基极电流反向为负值。在这期间,基区电流(称为IB2)是负,但是 VCE 维持在饱和压降VCEsat(图4 兰色曲线1),而IC 电流正常流动(图4 红色曲线2),这时期对应存储时间(Tsi)。在这段时间Vbe 始终是正的,但是基区电流(称为IB2)是负的。有的书上说导通管的关闭是因为其基极电位转变为负电位,也有的书上说“T1(磁环)饱和后,各个绕组中的感应电势为零”,这不符合实际情况,从波形图上我们可以清楚地看到这段时间Vbe 始终是正的。导通管的基极电位转变为负电
7、位是在Ic 存储结束,流过磁环绕组的电流达到峰值-Ldi/dt 等于零的时刻之后,而不是在Ic 存储刚开始的时刻。图3磁环绕组感应电压V环及三极管基极电流Ib图4三极管电压Vce及基极集电极电流IbIc不少书刊说导通管的关闭是因为其基极电位转变为负电位,这里多加几幅插图加以说明。从图5可以看到在整个三极管集电极电流Ic导通半周期内,其基极电压Vbe都是正的,一直到Ic退出饱和开始下降;从图6可以看到在整个三极管集电极电流Ic导通半周期内,其磁环绕组感应电压V环也都是正的,一直到Ic退出饱和开始下降才开始下降变负。图5三极管集电极电流Ic及基极电压Vbe图6三极管集电极电流Ic及磁环绕组感应电压
8、V环比较图5和图6可以看到在三极管集电极电流Ic接近最大值,也就是三极管进入存储工作阶段时VbeV环,这也可以用来解释IB2是负值的原因。基极电流反向为负值是因为三极管进入存储工作阶段时VbeV环,但是,由于V环是正的,而不是负的,所以基极电流反向电流是“流”出来的,而不是“抽”出来的。磁环次级绕组电压是由流经电感的电流-di/dt 所决定,过零点在峰值点,即电流平顶点(图7);经过电感流向灯管的电流IL,在磁环绕组和扼流电感上产生感应电压,其过零点为IL 的峰值顶点(di/dt=0)(图8),这里也可以看到V 环变负的真正时间。图7 磁环次级绕组电流及两端电压图8 电感电流及两端电压VL2、
9、三极管从存储结束退出饱和,到三极管被彻底关断(tf):第二个转折点及第三个转折点(1)、三极管进入存储时间阶段,Ib 变为负值并一直维持(图4 绿色曲线A);三极管存储结束退出饱和:当Ib 负电流绝对值开始减小的时刻(图4 绿色曲线A),也就是Ic 存储结束开始减小(图4 红色曲线2),Vce 离开饱和压降Vcesat开始上升的时刻(图4 兰色曲线1),这也就是三极管由导通转变为截止的第二个转折点。整个过程也由两部分组成,开始很快降低,后面还有很长一段电流很小的拖尾。当没有残余电荷在基区里面时,IB2衰减到零,而IC也为零,这是下降时间,三极管被彻底关断,BC结承担电路电源电压,一般应为310
10、V左右(图4绿色曲线A上毛刺对应的时刻兰色曲线1Vce值为314V)。也就是三极管由导通转变为截止的第三个转折点。在第二个转折点到第三个转折点之间这段时间,Vce离开饱和压降Vcesat,开始上升到电路电源电压。(图4兰色曲线1)(2)、电感电流IL 与上下两个三极管集电极电流Ic1、Ic2 的关系,C3R2 的作用(关断过程之二):在第二个转折点与第三个转折点之间Ic1Ic2 的波形有一个缺口,IL 波形没有缺口图9 上管集电极电流Ic1 与下管集电极电流Ic2 之间的缺口图10 流过R2C3 的电流和Vce 电压波形三极管Ic 存储结束,电流开始快速下降,后面还有很长一段电流很小的拖尾;在
11、这个时候另一个三极管仍然是截止的,还没有开始导通,这样就会造成一个电流缺口(图9)。但是电感L 上的电流是不可能中断的,这个缺口由上管CE之间的R2C3 的充放电电流来填补(图10)。上管从Ic 存储结束,Vce 开始上升,整个过程也有二部分组成,开始很快降低,后面还有很长一段电流很小的拖尾,Vce 从零上升到310V,C3 也得充电到310V,其充电电流即为填补缺口的那部分电流(图10),电感L 中的电流得以平滑过渡。Vce 从零上升到310V,C3 也得以充电到310V 的那一时刻,其充电电流被关断。VT1 从截止转为导通时,R2C3 放电,其放电电流填补电流缺口。对于这一点,有的书上是这
12、样说的:“C3R2 组成相位校正网络,使输出端产生的基频电压同相”说的应该就是这个意思。R2C3 的存在,实际上也避免了两个三极管电流的重叠,即一个三极管尚未关断,另一个三极管已经导通,所谓“共态导通”的问题,提供了一个“死区时间”。3、三极管是怎样由截止转变为导通的?有的书刊上说是三极管基极通过磁环次级绕组“得到正电位的激励信号电压而迅速导通”,实际上三极管Ic 存储结束的这一时刻开始,磁环次级绕组的电压即过零开始变为正电位,但是直到VT2被彻底关断那一刻以前VT1 一直没有开通(图5、图6)。图5、图6 中可以清楚地看到三极管产生集电极电流Ic 的时刻落后于基极电压Vbe(磁环绕组感应电压
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