2022年电路与电子技术复习题and答案 .pdf
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1、一、选择题1已知 u=10 sin(100t-30)V,i=10 sin(100t+30)mA。则电压与电流关系是()。A电压超前电流60B电压与电流同相C电压超前电流30D电压滞后电流602图 1 所示电路中,UBA=()。A、E+IR B、E-IR C、-E+IR D、-E-IR 图 1 3电流与电压为关联参考方向是指()。A、电流参考方向与电压降参考方向一致B、电流参考方向与电压升参考方向一致C、电流实际方向与电压升实际方向一致D、电流实际方向与电压降实际方向一致4.在图 2 所示电路中,网孔电流如图中所标,其中网孔方程为()。A 453iiIB 4105iiIC 12105iiID 4
2、105iiI图 2 5.一个具有 n 个节点、b 条支路的电路,对其所能列写相互独立的KVL 方程为()个。A b-n+1 B n-1 C b+n+1 D b-n 6.在计算戴维南定理求等效电阻时,应将原电路的电源置零,电源置零意味着()。A.电压源开路、电流源短路B.电压源短路、电流源开路C.电压源开路、电流源开路D.电压源短路、电流源短路7.当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时,该电流()名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 1 页,共 8 页 -A 一定为正值B 一定为负值C 不能肯定是正值或负值D 可能为负,也可能为正8.当电路中选择不同的节点为参考节点时,则()A
3、 各支路元件上的电压数值不变B 各节点上的电位数值不变C 各支路元件上的电压及节点上的电位数值都会改变9直流电路中,()。A、感抗为 0,容抗为无穷大B、感抗为无穷大,容抗为0 C、感抗和容抗均为0 D、感抗和容抗均为无穷大10已知工频电压有效值和初始值均为220V,则该电压的瞬时值表达式为()。A、tu314sin380V B、)45314sin(220tuVC、)90314sin(110tuV D、不能确定11已知电路复阻抗Z(3 j4),则该电路一定呈()A、感性B、容性C、阻性D、不能确定12图 3 所示电路,在开关S断开瞬间,电容C 两端的电压为()。A、10V B、0V C、按指数
4、规律增加D、5V 13在 N型半导体中,多数载流子是()。A、电子 B、空穴 C、离子 D、杂质14测得一放大电路中三极管各极电压如图4 所示:该管为()。A.PNP 型硅管B.NPN 型硅管C.PNP 型锗管D.NPN 型锗管15正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的()。A.正向特性工作区B.反向击穿区C.正向特性非工作区D.特性曲线所有区域16.本征半导体的载流子浓度随温度上升而变,其中()。A 自由电子浓度增加,而空穴浓度不变B 空穴浓度增加,而自由电子浓度不变C 空穴和自由电子浓度以同样的规律和倍数增加图 3 S(t=0)10mH 10V 510 F-2V-2.2V-8V
5、图 4 名师资料总结-精品资料欢迎下载-名师精心整理-第 2 页,共 8 页 -D 空穴和自由电子浓度不变17.杂质半导体中的少数载流子浓度()。A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度都有关18.硅二极管的死区电压约为V,锗二极管的死区电压约为V。A 0.5 B 1 C 1.5 D 0.1 19.测得晶体三极管AIB30时,mAIC4.2;AIB40时,mAIC3则该晶体三极管的交流电流放大系数为()。A 80 B 60 C 75 D 1 00 20.三极管工作在放大区时,发射结为A,集电结为B;工作在截止区时,发射结为B,集电结为B;工作在饱和区时,
6、发射结为A,集电结为A;A 正偏B 反偏C 零偏21.三极管的三管脚的对地电压分别为UA=12V、UB=4.7V、UC=4V,则此三极管是A材料C 型管,A 为E 极,B 为F 极,C 为G 极,该三极管处于H工作状态。A 硅B 锗C NPN D PNP E 集电F 基G 发射H 放大I 截止J 饱和22.PN 结加正向电压时,空间电荷区C,此时电流由A 形成;PN 结加反电压时,空间电荷区D,此时电流由B 形成。A 扩散运动B 漂移运动C 变宽D 变窄23.稳压二极管正常工作时应在特性曲线的C区。A 正向导通B 反向截止C 反向击穿24.温度升高时,二极管的反向电流将A。A 增大B 不变C
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