2014年电子科技大学考研专业课试题电力电子技术.pdf
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1、 电力电子技术试题第 1 页 共 6 页 电子科技大学电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目:考试科目:814 电力电子技术电力电子技术 注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上无效。注:所有答案必须写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上无效。 一、单项选择题。(每小题 2 分,共 24 分) 1.当晶闸管承受反向阳极电压时,不论门极加何种极性触发电压,管子都将工作在( ) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 2. 若增大 SPWM 逆变器的输出电压基波频率,可采用的控制方法是( ) A.增大三角波幅度 B.增大三角
2、波频率 C.增大正弦调制波频率 D.增大正弦调制波幅度 3. 采用多重化电压源型逆变器的目的,主要是为( ) A.减小输出幅值 B.增大输出幅值 C.减小输出谐波 D.减小输出功率 4.单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角 的最大移相范围是( ) A.90 B.120 C.150 D.180 5.星型连接的三相三线交流调压电路,带电阻负载情况下,触发角 的移相范围为( ) A.90 B.120 C.150 D.180 6.升降压斩波电路呈现升压状态的条件为( )(其中 为导通比)。 A. 00.5 B. 0.51 C. 01 D.=0.5 7.三相半波可控整流电路带电阻性负载,触发角 的移
3、相范围是( ) A、30150 B、0120 C、15125 D、0150 8.IGBT 是一个复合型的器件,它是( ) A、GTR 驱动的 MOSFET B、MOSFET 驱动的 GTR C、MOSFET 驱动的晶闸管 D、MOSFET 驱动的 GTO 电力电子技术试题第 2 页 共 6 页 9.降压斩波电路中,电源电压 Ud=16V,负载电压 Uo=12V,斩波周期 T=4ms,则开通时 Ton=( ) A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms 10.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( ) A.大功率三极管 B.逆阻型晶闸管 C.双向晶闸管 D.可关断晶闸管
4、11.功率晶体管 GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 ( ) A一次击穿 B二次击穿 C临界饱和 D反向截止 12.可工作在第一象限和第四象限的变流电路是 ( ) A三相半波可控变流电路 B单相半控桥 C接有续流二极管的三相半控桥 D接有续流二极管的单相半波可控变流电路 二、 英文名词缩写解释题。 (每题 2 分,共 18 分,不写英文单词,只需写出中文解释) 1、 SMPS 2、PFC 3、PIC 4、 GTR 5、IPM 6、TCR 7、 CVCF 8、SHEPWM 9、PFM 三、填空题。 ( 每空 1 分,共计 30 分) 1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端
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