IC原理习题电子教案.doc
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1、Good is good, but better carries it.精益求精,善益求善。IC原理习题-2007/2008学年第_二学期期末考试卷A一、填空(1分15=15分)1、 双极型半导体IC以()作为有源器件,MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为()工艺。2、 集成度提高的三个主要技术因素是器件尽寸缩小,()及芯片集成效率(结构和工艺设计改进)提高。3、 衡量一个TTL电路静态特性好坏的参数主要有噪声容限、负载能力、()。4、 增强型NMOS管其UGS(),则该管截止;增强型PMOS管其UGS(),则该管导通。5、 N沟器件的好处是电子表面迁移率
2、比空穴表面迁移率(),所以NMOS电路的工作速度比PMOS电路()6、 带缓冲级的CMOS门电路,输出驱动能力仅由该输出端的()决定,与各输入端所处的()。7、 在模拟IC的横向PNP管中,基区宽度减小会使(),使CE之间的穿通电压VPT(),基区宽度的选择要首先保证()对基区宽度的要求。8、 差模放大器放大有用的()信号,对各种共模信号具有良好的共模抑制作用。、VBE、,ICEO随温度的变化会造成零点漂移及噪声,这些变化均是()信号。二问答题(56分)1、图1为双极逻辑集成电路中NPN晶体管结构图,(1)简述寄生晶体管对NPN管的影响(4分)(3)工艺上如何减小有源寄生效应(5分)。(共9分
3、)图12、(1)画出标准TTL与非门逻辑电路图(3分)。(2)简述当输入为高电平时的工作原理(要说明各个管子的工作状态并标出每个基极和集电极的电位)(6分)。(3)5管单元TTL与非门电路比标准TTL与非门做了那些改进,提高了那些性能(5分)。(共14分)3、肖特基嵌位晶体管与普通晶体管相比有什么特点(5分)?STTL与非门电路比6管单元TTL与非门电路作了那些改进(2分)?提高了电路的什么性能(2分)?带来了那两个缺点(4分)?(共13分)4、(1)画出互补CMOS反相器电路图(2分)(2)简述其工作原理(6分)。(3)要使反相器噪容最大、输出波形对称需满足什么条件(2分)(共10分5、模拟
4、IC中对扩散电阻器的要求是什么?(3分)6、说出差分放大器输入失调电流的定义。(3分)三综合题(29分)1、设计一个互补CMOS逻辑电路,实现逻辑功能并设计每个器件的宽长比使输出波形对称。(14分)与之匹配的基本反相器器件尺寸为:n=NMOS(W/L)=1.5,p=NMOS(W/L)=32、写出图2电路的节点1和2的逻辑表达式F1和F2(6分),并填写下表(5分)。XYZF1F2=0001010=10111001013、图3为CMOS电流源电路,当(W/L)2::(W/L)12:1,计算Io:Ir(4分)图3MOS恒流源2008/2009学年第_一学期期末考试卷A一 填空(1分15=15分)1
5、、集成度提高的三个主要技术因素是器件尽寸缩小,()及芯片集成效率结构和工艺设计改进提高。2、衡量一个TTL电路静态特性好坏的参数主要有噪声容限、负载能力、()。3、 增强型NMOS管其UGS和UGD满足()时,则该管饱和。4、 带缓冲级的CMOS门电路,输出驱动能力仅由该输出端的MOS晶体管特性决定,与各输入端所处的()。5、 齐纳二极管反向击穿电压具有()温度系数。6、 在模拟IC的横向PNP管中,基区宽度减小会使增大,使CE之间的穿通电压VPT()。7、 差模放大器放大有用的()信号,对各种共模信号具有良好的共模抑制作用。、VBE、,ICEO随温度的变化会造成零点漂移及噪声,这些变化均是(
6、)信号。8、影响双极差模放大器的输入失调电压的主要因素是(),其输入失调电压的温漂与失调电压本身成()。二问答题(53分)1、图1为双极逻辑集成电路中NPN晶体管结构图,(1)简述寄生晶体管对NPN管的影响(4分)(3)工艺上如何减小有源寄生效应(5分)。(共9分)图12、(1)画出标准TTL与非门逻辑电路图(3分)。(2)简述当输入为高电平时的工作原理(要说明各个管子的工作状态并标出每个基极和集电极的电位)(6分)。(3)5管单元TTL与非门电路比标准TTL与非门做了那些改进,提高了那些性能(5分)。(共14分)3、肖特基嵌位晶体管与普通晶体管相比有什么特点(6分)?STTL与非门电路比6管
7、单元TTL与非门电路作了那些改进(2分)?提高了电路的什么性能(2分)?带来了那两个缺点(4分)?(共14分)4、(1)画出互补CMOS反相器电路图(2分)(2)简述其工作原理(6分)。(3)要使反相器噪容最大、输出波形对称需满足什么条件(2分)(共10分5、模拟IC中对扩散电阻器的要求是什么?(3分)6、说出差分放大器输入失调电流的定义。(3分)三综合题(32分)1、设计一个互补CMOS逻辑电路,实现逻辑功能并设计每个器件的宽长比使输出波形对称。(12分)与之匹配的基本反相器器件尺寸为:n=NMOS(W/L)=1.5,p=NMOS(W/L)=32、写出图2电路的节点1和2的逻辑表达式F1和F
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