年产xxx万片碳化硅晶片项目商业计划书_范文模板.docx
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1、MACRO 泓域咨询 /年产xxx万片碳化硅晶片项目商业计划书年产xxx万片碳化硅晶片项目商业计划书xx有限责任公司报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资19595.94万元,其中:建设投资15787.32万元,占项目总投资的80.56%;建设期利息227.09万元,占项目总投资的1.16%;流动资金3581.53万元,占项目总投资的18.28%。项目正常运营每年营业收入32100.00万元,综合总成本费用26877.64万元,净利润3805.66万元,财务内部收益率13.38%,财务净现值-477.72万元,全部投资回收期6.63年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期
2、合理。2012年7月,国务院出台节能与新能源汽车发展规划(2011年至2020年)指出:“到2020年,纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆、累计产销量超过500万辆”。规划要求加强新能源汽车关键零部件研发,重点支持驱动电机以及电动空调、电动转向、电动制动器等电动化附件的研发。由于SiC基功率器件(如整流器、转换器、逆变器等)在节能方面有着其他衬底材料不可比拟的优势,因此可以预见未来几年SiC基器件产业在国内也将迅速发展。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目基本情况8一、 项目名
3、称及投资人8二、 项目建设背景8三、 结论分析8主要经济指标一览表10第二章 项目建设背景、必要性12一、 行业竞争情况12二、 行业进入壁垒13三、 行业发展现状13四、 项目实施的必要性14第三章 市场预测16一、 行业规模及现状16二、 行业发展前景17第四章 建设单位基本情况20一、 公司基本信息20二、 公司简介20三、 公司竞争优势21四、 公司主要财务数据22公司合并资产负债表主要数据22公司合并利润表主要数据22五、 核心人员介绍23六、 经营宗旨24七、 公司发展规划25第五章 创新发展27一、 创新驱动环境分析27二、 企业技术研发分析28三、 项目技术工艺分析31四、 质
4、量管理32五、 创新发展总结33第六章 法人治理结构35一、 股东权利及义务35二、 董事38三、 高级管理人员42四、 监事44第七章 运营管理46一、 公司经营宗旨46二、 公司的目标、主要职责46三、 各部门职责及权限47四、 财务会计制度50第八章 SWOT分析58一、 优势分析(S)58二、 劣势分析(W)59三、 机会分析(O)60四、 威胁分析(T)60第九章 发展规划68一、 公司发展规划68二、 保障措施69第十章 风险评估72一、 项目风险分析72二、 公司竞争劣势79第十一章 进度计划方案80一、 项目进度安排80项目实施进度计划一览表80二、 项目实施保障措施81第十二
5、章 产品规划方案82一、 建设规模及主要建设内容82二、 产品规划方案及生产纲领82产品规划方案一览表82第十三章 建筑工程技术方案84一、 项目工程设计总体要求84二、 建设方案85三、 建筑工程建设指标85建筑工程投资一览表86第十四章 投资方案分析87一、 投资估算的编制说明87二、 建设投资估算87建设投资估算表89三、 建设期利息89建设期利息估算表89四、 流动资金90流动资金估算表91五、 项目总投资92总投资及构成一览表92六、 资金筹措与投资计划93项目投资计划与资金筹措一览表93第十五章 经济收益分析95一、 经济评价财务测算95营业收入、税金及附加和增值税估算表95综合总
6、成本费用估算表96固定资产折旧费估算表97无形资产和其他资产摊销估算表98利润及利润分配表99二、 项目盈利能力分析100项目投资现金流量表102三、 偿债能力分析103借款还本付息计划表104第十六章 项目总结分析106第十七章 补充表格108营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表110项目投资现金流量表111借款还本付息计划表113建设投资估算表113建设投资估算表114建设期利息估算表114固定资产投资估算表115流动资金估算表116总投资及构成一览表117项目投资计划与资金筹措一览表
7、118第一章 项目基本情况一、 项目名称及投资人(一)项目名称年产xxx万片碳化硅晶片项目(二)项目投资人xx有限责任公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准)。二、 项目建设背景碳化硅晶体材料属于第三代半导体材料,属于资金密集型投资行业,具有一定的投资壁垒;同时行业属于新兴行业,技术积累较少,技术门槛很高,具有较高的技术壁垒。三、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约52.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx万片碳化硅晶片的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。(四)投资估算本期项目总投
8、资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资19595.94万元,其中:建设投资15787.32万元,占项目总投资的80.56%;建设期利息227.09万元,占项目总投资的1.16%;流动资金3581.53万元,占项目总投资的18.28%。(五)资金筹措项目总投资19595.94万元,根据资金筹措方案,xx有限责任公司计划自筹资金(资本金)10327.11万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额9268.83万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):32100.00万元。2、年综合总成本费用(TC):26877.64万元。3、项目达产年净利润(N
9、P):3805.66万元。4、财务内部收益率(FIRR):13.38%。5、全部投资回收期(Pt):6.63年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):14628.74万元(产值)。(七)社会效益综上所述,该项目属于国家鼓励支持的项目,项目的经济和社会效益客观,项目的投产将改善优化当地产业结构,实现高质量发展的目标。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积
10、34667.00约52.00亩1.1总建筑面积58486.711.2基底面积22186.881.3投资强度万元/亩296.482总投资万元19595.942.1建设投资万元15787.322.1.1工程费用万元14013.722.1.2其他费用万元1339.582.1.3预备费万元434.022.2建设期利息万元227.092.3流动资金万元3581.533资金筹措万元19595.943.1自筹资金万元10327.113.2银行贷款万元9268.834营业收入万元32100.00正常运营年份5总成本费用万元26877.646利润总额万元5074.217净利润万元3805.668所得税万元126
11、8.559增值税万元1234.5610税金及附加万元148.1511纳税总额万元2651.2612工业增加值万元9510.2113盈亏平衡点万元14628.74产值14回收期年6.6315内部收益率13.38%所得税后16财务净现值万元-477.72所得税后第二章 项目建设背景、必要性一、 行业竞争情况目前全球碳化硅行业企业主要有美国Cree公司、II-VI公司、Dow-Corning公司,德国SiCrystal公司(2009年被日本Rohm公司收购),日本NipponSteel(新日铁)公司。目前国际碳化硅市场仍被美国Cree公司垄断,但其市场份额正在逐年下降,从2008年的75%下降到20
12、15年的50%左右;包括II-VI公司、SiCrystal公司、天科合达和Dow-Corning公司的市场份额则逐年递增。国际碳化硅行业企业除美国Cree、II-VI公司、SiCrystal公司外,其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够有效缩短产品研发周期,但如此布局也面临着在整条产业链与上、下游各公司激烈竞争的弊端。SiCrystal公司已经被日本Rohm公司收购,产品将主要应用于Rohm公司的器件生产。其余几家公司包括美国II-VI公司、DowCorning公司以
13、及日本NipponSteel公司的主营业务都不是SiC单晶晶片的生产与制造。我国SiC材料研发工作始于上世纪90年代末期,国内开展SiC晶体生长的研究单位主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。二、 行业进入壁垒碳化硅晶体材料属于第三代半导体材料,属于资金密集型投资行业,具有一定的投资壁垒;同时行业属于新兴行业,技术积累较少,技术门槛很高,具有较高的技术壁垒。三、 行业发展现状碳化硅(SiC)是继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)之后发展起来的第三代宽禁带
14、半导体(即SiC、GaN、ZnO、AlN、金刚石等)的代表,也是目前发展最成熟的第三代宽禁带半导体。相比于第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs,第三代半导体SiC具有更高的热导率(热导率约是Si的3倍、GaAs的10倍),更高的击穿电场(击穿电场约是Si的10倍、GaAs的5倍)、更高的饱和电子漂移速率(饱和电子漂移速率约是Si和GaAs的2倍)、更宽的带隙(禁带宽度约是Si的3倍、GaAs的2倍)以及更好的热稳定性和化学稳定性。由于SiC材料优异的物理电学性能,用SiC材料替代Si材料,将从根本上提升现有电力电子器件功率模块的工作效率、降低功率损耗、实现节能减排,减少散热装置、减小
15、系统体积和重量,提高工作温度,实现集高功率、高温、高效率和高可靠性于一身的电力电子器件:(1)SiC的击穿电场强度比Si大一个数量级,可减薄器件中耐压层的厚度,使得通态电阻小于Si器件,达到降低功率损耗,实现节能减排;与Si基器件相比,SiC基器件可降低能耗约70%;(2)SiC的热导率优于Si,可大幅度减少Si基器件的庞大散热系统;(3)SiC的禁带宽度约是Si的3倍,并且熔点高,可在600以下温度长时间工作,远高于Si材料的180工作温度。SiC材料被认为是制造高温、高频、大功率电子器件的理想半导体材料,在家用电器、风能光伏、汽车电子、智能电网、轨道交通、航天航空、石油勘探、微波通讯、军事
16、等领域具有广阔应用前景。此外,SiC在制备高亮度发光二极管(LED)方面具有显著的优势。首先,SiC与氮化镓(GaN)的晶格失配率仅为3.5,并且两者的热膨胀系数非常接近;其次,SiC良好的导热性可有效解决大功率、高亮度LED的散热问题;再次,导电型SiC单晶衬底(电阻率小于0.03cm)可制作低功耗电极,大大降低LED的功率损耗。四、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的
17、市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第三章 市场预测一、 行业规模及现状SiC晶片作为第三代半导体基础材料,在全球高端半导
18、体市场上已经呈现出高速发展态势,2012年到2015年全球市场年均递增速率不低于30%,2015年后全球市场将会出现爆发式增长。目前SiC单晶晶片工业化应用领域包括高亮度LED(以美国Cree、德国欧司朗等公司为代表),家用电器如空调、冰箱、微波炉等(以东芝、松下、日立等公司为代表),风力发电(以三菱、住友等公司为代表),混合动力汽车(以日产、丰田等公司为代表)。在美国,采用SiC晶片的射频微波器件已经在通讯基站、军用通讯市场大规模使用。清洁能源汽车是未来汽车的发展方向,其中相关的功率器件将绝大部分采用SiC功率器件,仅全球汽车业年需要SiC晶片将超过100万片。在智能电网方面,日本和美国已经
19、制定SiC功率器件研发计划,预计在3-5年内可以投入实际应用,届时可以极大地降低电力传输过程损耗,无疑将对全球节能减排计划起到关键性作用。在LED照明领域,高亮度LED照明市场将以30左右的年增长率快速递增。在军用应用领域,SiC微波通讯器件已经应用于美国军方的雷达、通讯领域;在俄罗斯,军事用途的研究正在大范围开展;我国也在积极进行SiC射频微波器件研发。由于军用领域应用研发周期相对较长,且对价格不敏感,因此在民用领域不断拓展的情况下,一旦军用领域大规模采购,高端SiC单晶晶片的需求将出现爆发式增长。国内市场方面,SiC产业链发展也正在趋于成熟。下游的外延企业有东莞天域半导体科技有限公司、瀚天
20、天成电子科技(厦门)有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所等;器件企业有中车株洲电力机车有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、南京银茂微电子制造有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院微电子研究所、中国科学院半导体研究所等;模块集成企业有中车株洲电力机车有限公司、中兴通讯股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司等。另外国家电网公司、原中国南车股份有限公司以及华为技术有限公司近期也已投入巨资从事研发、生产碳化硅器件,积极开拓S
21、iC基器件在电网、机车以及通讯等领域的应用。可以预计在未来几年,国内碳化硅晶片的需求将大幅增加。二、 行业发展前景1、全球行业发展前景碳化硅半导体是近年来国际研究的热点。2013年日本政府将碳化硅纳入了“首相战略”,认为未来50%的节能要通过它来实现;2014年1月,美国总统奥巴马也亲自主导成立了由18家企业和6所大学共同组成的美国碳化硅产业联盟,协同美国联邦政府共同提升美国制造业。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体获得联邦和地方政府的合力支持,1.4亿美元的总支持额将用于提升美国在该新兴产业方面的国际竞争力。第一代元素半导体材料Si晶体一直以来都在半导体领域占据统治地位。随着电子技术的
22、发展,人们对超高频光电子器件的要求越来越高,但由于Si本身的性质导致了其很难在高频、高温、大功率和强辐射环境等极端条件下正常工作。以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显优势。目前,碳化硅产品已经成功应用在电力电子器件领域、微波通信领域、LED照明领域。如今,人们正在研究基于碳化硅单晶的石墨烯材料制备、非线性光学晶体开发,未来碳化硅晶体的应用领域将进一步扩大。2、国内行业发展前景我国在SiC单晶生长方面的研究起步较晚,但国内几家科研发
23、力量很强的单位在SiC单晶材料制备研究已具有一定的基础,并取得了较大的突破。国内开展SiC晶体生长研究的单位有中国科学院物理研究所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有天科合达、山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。天科合达在国内首次建立了一条完整的从生长、切割、研磨到化学机械抛光(CMP)的SiC晶片中试加工线,建成了百级超净室,开发出SiC晶片表面处理、清洗封装工艺技术。目前,中国制造2025以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业,国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、
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