沈阳碳化硅晶片项目申请报告模板参考.docx
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1、MACRO 泓域咨询 /沈阳碳化硅晶片项目申请报告沈阳碳化硅晶片项目申请报告xx(集团)有限公司目录第一章 项目背景分析8一、 影响行业发展的主要因素8二、 行业发展现状11第二章 市场预测13一、 行业竞争情况13二、 行业发展前景14三、 行业进入壁垒15第三章 总论17一、 项目名称及项目单位17二、 项目建设地点17三、 可行性研究范围17四、 编制依据和技术原则18五、 建设背景、规模19六、 项目建设进度20七、 原辅材料及设备20八、 环境影响20九、 建设投资估算21十、 项目主要技术经济指标21主要经济指标一览表22十一、 主要结论及建议23第四章 建筑工程方案25一、 项目
2、工程设计总体要求25二、 建设方案25三、 建筑工程建设指标27建筑工程投资一览表27第五章 选址分析29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 创新驱动发展32四、 社会经济发展目标32五、 产业发展方向33六、 项目选址综合评价35第六章 产品规划方案36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第七章 SWOT分析38一、 优势分析(S)38二、 劣势分析(W)39三、 机会分析(O)40四、 威胁分析(T)40第八章 法人治理48一、 股东权利及义务48二、 董事50三、 高级管理人员55四、 监事57第九章 发展规划分析58一、
3、 公司发展规划58二、 保障措施64第十章 进度规划方案66一、 项目进度安排66项目实施进度计划一览表66二、 项目实施保障措施67第十一章 组织架构分析68一、 人力资源配置68劳动定员一览表68二、 员工技能培训68第十二章 安全生产71一、 编制依据71二、 防范措施73三、 预期效果评价76第十三章 环保分析77一、 编制依据77二、 环境影响合理性分析78三、 建设期大气环境影响分析80四、 建设期水环境影响分析82五、 建设期固体废弃物环境影响分析83六、 建设期声环境影响分析83七、 营运期环境影响85八、 环境管理分析85九、 结论及建议87第十四章 投资方案89一、 投资估
4、算的依据和说明89二、 建设投资估算90建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表94固定资产投资估算表95四、 流动资金96流动资金估算表97五、 项目总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表99第十五章 项目经济效益分析101一、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表105二、 项目盈利能力分析106项目投资现金流量表108三、 偿债能力分析109借款还本付息计划表110第十六章 风险风险及应对措施112
5、一、 项目风险分析112二、 项目风险对策114第十七章 总结分析116第十八章 附表附录118建设投资估算表118建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表125项目投资现金流量表126本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目背景分析一
6、、 影响行业发展的主要因素1、有利因素针对碳化硅行业的终端应用,国际及国内市场投资及开发正在逐渐加大,碳化硅单晶材料行业的市场在快速增长,因此碳化硅单晶材料的市场将会在近5年有爆发式的增长。2012年5月30日,国务院通过了“十二五”国家战略性新兴产业发展规划,提出了节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车等七大战略性新兴产业的重点发展方向和主要任务,指出新一代信息技术的突破方向是“超高速光纤与无线通信、先进半导体和新型显示等新一代信息技术”。由此先进半导体历史性纳入国家重点发展战略,成为战略新兴产业的重点发展方向。2012年7月,科技部出台半导体照明科技发展“
7、十二五”专项规划中将“半导体照明用碳化硅衬底制备技术研究”明确列为“前沿技术研究”,并计划推出半导体照明应用产品中央财政补贴政策以及推进“十城万盏”试点示范工程应用。2012年7月,科技部出台智能电网重大科技产业化工程“十二五”专项规划中,将突破大规模间歇式新能源电源并网与储能、智能配用电、大电网智能调度与控制、智能装备等智能电网核心关键技术列为总目标。要实现该总目标,关键之一就是电网设备制造产业升级,如新型电力电子器件等。SiC基电力电子器件具有低能耗、高转换效率特征,将成为新型电力电子器件优先发展方向。2012年7月,国务院出台节能与新能源汽车发展规划(2011年至2020年)指出:“到2
8、020年,纯电动汽车和插电式混合动力汽车生产能力达200万辆、累计产销量超过500万辆”。规划要求加强新能源汽车关键零部件研发,重点支持驱动电机以及电动空调、电动转向、电动制动器等电动化附件的研发。由于SiC基功率器件(如整流器、转换器、逆变器等)在节能方面有着其他衬底材料不可比拟的优势,因此可以预见未来几年SiC基器件产业在国内也将迅速发展。2013年,科技部正式启动“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项,将“SiC电力电子器件集成制造技术研发与产业化”作为专项的主要任务之一。科技部在“国家高技术研究发展计划(863计划)、国家科技支撑计划制造领域2014年度备选项目征集指南
9、”中也提出要加强高端装备和关键技术的研制,完成面向高压电力电子器件的大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究,以及针对电网、机车、风电等领域的需求,开展高压SiC电力电子器件制造所需的4-6寸SiC单晶生长炉、外延炉等关键装备研制,并开展1200、1700、3300和8000V的相关器件制造工艺技术验证,2015年达到中试水平。2016年3月,第十二届全国人民代表大会表决通过了关于国民经济和社会发展第十三个五年规划纲要,提出国家将大力支持新一代信息技术、新能源汽车、生物技术、绿色低碳、高端装备与材料、数字创意等领域的产业发展壮大,并大力推进先进半导体、机器人、增材制造、智能系统、新一代航
10、空装备、空间技术综合服务系统、智能交通、精准医疗、高效储能与分布式能源系统、智能材料、高效节能环保、虚拟现实与互动影视等新兴前沿领域创新和产业化,形成一批新增长点。2、不利因素目前全球具备量产碳化硅晶体能力的只有Cree、Rohm、新日铁等少数几家公司,同时由于Cree在SiC领域注册了大量的专利,因此上述少数几家公司占据了SiC单晶市场较大份额,这在一定程度上会抑制国内相关行业的发展速度。另外,GaN与SiC材料都属于第三代半导体材料,两者在性能上各有千秋,处于竞争态势。目前,碳化硅单晶材料发展比GaN材料成熟,已正式实现产业化,GaN单晶材料处于研究开发阶段,未来GaN单晶材料行业的发展也
11、会在一定程度上制约碳化硅单晶材料行业的发展。二、 行业发展现状碳化硅(SiC)是继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)之后发展起来的第三代宽禁带半导体(即SiC、GaN、ZnO、AlN、金刚石等)的代表,也是目前发展最成熟的第三代宽禁带半导体。相比于第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs,第三代半导体SiC具有更高的热导率(热导率约是Si的3倍、GaAs的10倍),更高的击穿电场(击穿电场约是Si的10倍、GaAs的5倍)、更高的饱和电子漂移速率(饱和电子漂移速率约是Si和GaAs的2倍)、更宽的带隙(禁带宽度约是Si的3倍、GaAs的2倍)以及更好的热稳定
12、性和化学稳定性。由于SiC材料优异的物理电学性能,用SiC材料替代Si材料,将从根本上提升现有电力电子器件功率模块的工作效率、降低功率损耗、实现节能减排,减少散热装置、减小系统体积和重量,提高工作温度,实现集高功率、高温、高效率和高可靠性于一身的电力电子器件:(1)SiC的击穿电场强度比Si大一个数量级,可减薄器件中耐压层的厚度,使得通态电阻小于Si器件,达到降低功率损耗,实现节能减排;与Si基器件相比,SiC基器件可降低能耗约70%;(2)SiC的热导率优于Si,可大幅度减少Si基器件的庞大散热系统;(3)SiC的禁带宽度约是Si的3倍,并且熔点高,可在600以下温度长时间工作,远高于Si材
13、料的180工作温度。SiC材料被认为是制造高温、高频、大功率电子器件的理想半导体材料,在家用电器、风能光伏、汽车电子、智能电网、轨道交通、航天航空、石油勘探、微波通讯、军事等领域具有广阔应用前景。此外,SiC在制备高亮度发光二极管(LED)方面具有显著的优势。首先,SiC与氮化镓(GaN)的晶格失配率仅为3.5,并且两者的热膨胀系数非常接近;其次,SiC良好的导热性可有效解决大功率、高亮度LED的散热问题;再次,导电型SiC单晶衬底(电阻率小于0.03cm)可制作低功耗电极,大大降低LED的功率损耗。第二章 市场预测一、 行业竞争情况目前全球碳化硅行业企业主要有美国Cree公司、II-VI公司
14、、Dow-Corning公司,德国SiCrystal公司(2009年被日本Rohm公司收购),日本NipponSteel(新日铁)公司。目前国际碳化硅市场仍被美国Cree公司垄断,但其市场份额正在逐年下降,从2008年的75%下降到2015年的50%左右;包括II-VI公司、SiCrystal公司、天科合达和Dow-Corning公司的市场份额则逐年递增。国际碳化硅行业企业除美国Cree、II-VI公司、SiCrystal公司外,其他几家企业基本处于同一水平线上。行业龙头Cree公司的产品线涵盖了从SiC单晶晶片、外延以及器件制造整个产业链。Cree公司完整产业链布局的优势是在产品开发初期能够
15、有效缩短产品研发周期,但如此布局也面临着在整条产业链与上、下游各公司激烈竞争的弊端。SiCrystal公司已经被日本Rohm公司收购,产品将主要应用于Rohm公司的器件生产。其余几家公司包括美国II-VI公司、DowCorning公司以及日本NipponSteel公司的主营业务都不是SiC单晶晶片的生产与制造。我国SiC材料研发工作始于上世纪90年代末期,国内开展SiC晶体生长的研究单位主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。二、 行业发展前景1、全球行业发展前景碳化硅半导体是近年来国
16、际研究的热点。2013年日本政府将碳化硅纳入了“首相战略”,认为未来50%的节能要通过它来实现;2014年1月,美国总统奥巴马也亲自主导成立了由18家企业和6所大学共同组成的美国碳化硅产业联盟,协同美国联邦政府共同提升美国制造业。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体获得联邦和地方政府的合力支持,1.4亿美元的总支持额将用于提升美国在该新兴产业方面的国际竞争力。第一代元素半导体材料Si晶体一直以来都在半导体领域占据统治地位。随着电子技术的发展,人们对超高频光电子器件的要求越来越高,但由于Si本身的性质导致了其很难在高频、高温、大功率和强辐射环境等极端条件下正常工作。以碳化硅(SiC)为代表的
17、宽禁带半导体材料,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代宽禁带半导体。与Si和GaAs为代表的传统半导体材料相比,SiC在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方面具有明显优势。目前,碳化硅产品已经成功应用在电力电子器件领域、微波通信领域、LED照明领域。如今,人们正在研究基于碳化硅单晶的石墨烯材料制备、非线性光学晶体开发,未来碳化硅晶体的应用领域将进一步扩大。2、国内行业发展前景我国在SiC单晶生长方面的研究起步较晚,但国内几家科研发力量很强的单位在SiC单晶材料制备研究已具有一定的基础,并取得了较大的突破。国内开展SiC晶体生长研究的单位有中国科学院物理研究所、上海硅酸盐研究所、山东大
18、学、中电集团46所、西安理工大学等。产业化公司主要有天科合达、山东天岳先进材料科技有限公司、河北同光晶体有限公司等。天科合达在国内首次建立了一条完整的从生长、切割、研磨到化学机械抛光(CMP)的SiC晶片中试加工线,建成了百级超净室,开发出SiC晶片表面处理、清洗封装工艺技术。目前,中国制造2025以及“十三五规划”都明确将碳化硅行业定位为重点支持行业,国内的国家电网、中国中车、比亚迪、华为等公司都针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域的应用开始陆续加大投资,碳化硅行业在国内方兴未艾。三、 行业进入壁垒碳化硅晶体材料属于第三代半导体材料,属于资金密集型投资行业,具有一定的
19、投资壁垒;同时行业属于新兴行业,技术积累较少,技术门槛很高,具有较高的技术壁垒。第三章 总论一、 项目名称及项目单位项目名称:沈阳碳化硅晶片项目项目单位:xx(集团)有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约82.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安全、卫生与消防;7、组织机构与人力资源配置;8、项目招标方案;9、投资估算和资金筹措;10、财务
20、分析。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托;2、国家和地方有关政策、法规、规划;3、现行有关技术规范、标准和规定;4、相关产业发展规划、政策;5、项目承办单位提供的基础资料。(二)技术原则1、政策符合性原则:报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则:树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础,通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划,提高资源利用率,减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链,减少生产过程的污染排放,走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分
21、发挥的新型工业化路子,实现可持续发展。3、工艺先进性原则:按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则,积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术,能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则:近一步提高信息化水平,切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则:认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点,来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求,以此来扩大市场占有率,寻求经济效益最大化,提高企业在国内外的知名度。五、
22、建设背景、规模(一)项目背景目前SiC单晶晶片工业化应用领域包括高亮度LED(以美国Cree、德国欧司朗等公司为代表),家用电器如空调、冰箱、微波炉等(以东芝、松下、日立等公司为代表),风力发电(以三菱、住友等公司为代表),混合动力汽车(以日产、丰田等公司为代表)。在美国,采用SiC晶片的射频微波器件已经在通讯基站、军用通讯市场大规模使用。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积54667.00(折合约82.00亩),预计场区规划总建筑面积95885.70。其中:生产工程59217.49,仓储工程18984.42,行政办公及生活服务设施11604.00,公共工程6079.79。项目建成后,形成
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