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1、10.2 随机存取存储器(RAM)1 静态随机存取存储器(SRAM)2同步静态随机存取存储器同步静态随机存取存储器(SSRAMSSRAM)4 存储器容量的扩展3动态随机存取存储器动态随机存取存储器10.2 10.2 随机存取存储器(随机存取存储器(RAMRAM)1.静态随机存取存储器静态随机存取存储器(SRAM)(SRAM)(1)SRAM(1)SRAM的基本结构的基本结构CE OEWE=100高阻高阻CEOEWE=00X输入输入CEOEWE=010输出输出CEOEWE=011高阻高阻SRAM SRAM 的工作模式的工作模式工作模式工作模式 CE WE OE I/O0I/Om-1保持保持(微功耗
2、微功耗)1XX高阻高阻读读010数据输出数据输出 写写00X数据输入数据输入 输出无效输出无效 011高阻高阻(2).同步静态随机存取存储器同步静态随机存取存储器(SSRAMSSRAM)SSRAMSSRAM是一种高速是一种高速RAMRAM。与。与SRAMSRAM不同不同,SSRAM,SSRAM的的读写操作是在时钟脉冲节拍控制下完成的。读写操作是在时钟脉冲节拍控制下完成的。在由在由SSRAMSSRAM构成的计算机系统中,由于读写构成的计算机系统中,由于读写过程的延时等待均在时钟作用下,由过程的延时等待均在时钟作用下,由SSRAMSSRAM内部内部控制完成。此时,系统中的微处理器在读写控制完成。此
3、时,系统中的微处理器在读写SSRAMSSRAM的同时,可以处理其他任务,从而提高了的同时,可以处理其他任务,从而提高了整个系统的工作速度。整个系统的工作速度。2.2.存储器容量的扩展存储器容量的扩展位扩展可以利用芯片的并联方式实现。位扩展可以利用芯片的并联方式实现。CE A11A0WED0D1D2D3WECEA0A114K4位位I/O0I/O1I/O2I/O3D12D13D14D15CEA0A114K4位位I/O0I/O1I/O2I/O3WE1.字长(位数)的扩展字长(位数)的扩展-用用4KX4位的芯片组成位的芯片组成4KX16位的位的存储系统。存储系统。4RAM存储容量的扩展存储容量的扩展2
4、.2.字数的扩展字数的扩展用用8KX8位的芯片组成位的芯片组成32KX8位的存储系统。位的存储系统。RAM1D D0 0D D7 7A A0 0A A1212CE1芯片数芯片数=4=4RAM1D D0 0D D7 7A A0 0A A1212CE1RAM1D D0 0D D7 7A A0 0A A1212CE1RAM1D D0 0D D7 7A A0 0A A1212CE1系统地址线数系统地址线数=15=15系统系统:A0A14A13A14?2000H2001H2002H 3FFFH4000H400H4002H 5FFFH6000H6001H6002H 7FFFH0000H0001H0002H
5、 1FFFH芯片芯片:A0A1232K8位存储器系统的地址分配表位存储器系统的地址分配表各各RAM芯片芯片译码器译码器有效输有效输出端出端扩展的地扩展的地址输入端址输入端A14A138K8位位RAM芯片地址输入端芯片地址输入端A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0对应的十对应的十六进制地六进制地址码址码00000000000000000000000000010000000000010 11111111111110000H0001H0002H 1FFFH01000000000000000000000000010000000000010 11111111111112000H2001H2002H 3FFFH10000000000000000000000000010000000000010 11111111111114000H400H4002H 5FFFHY0Y1Y2Y311000000000000000000000000010000000000010 11111111111116000H6001H6002H 7FFFH 字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选输入字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片选输入端来实现。端来实现。
限制150内