硅工艺技术介绍ppt课件.ppt
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1、硅工艺加工技术硅工艺加工技术硅工艺加工技术硅工艺加工技术报告人:宁报告人:宁 瑾瑾内容内容工艺线概况工艺线概况1单项工艺介绍单项工艺介绍2Si nMOSFET 器件加工工艺器件加工工艺3小结小结4工艺线概况工艺线概况v2004年建立。24英寸硅加工工艺线,加工能力可达1微米。v具备完整的硅加工能力,可以制备微电子器件和电路、光电器件以及MEMS器件。可加工的衬底材料包括Si、SOI(Silicon on Insulator)、SOS(Silicon on sapphire)和SiC。v成功制备出SOI和SOS抗辐射MOS器件和电路,Si基JFET器件,SiC基MESFET器件,SiC谐振器和滤
2、波器等。Si nMOSFET器件加工工艺 p-Si栅氧SiO2LPCVD生长多晶硅nn离子注入形成源漏PECVD SiO2ICP刻蚀金属淀积Al,ICP刻蚀形成电极PECVD Si3N4单项工艺介绍v 清洗:清洗:C处理,有机溶剂超声清洗处理,有机溶剂超声清洗v 光刻光刻v 金属淀积金属淀积v 干法刻蚀干法刻蚀v 高温氧化高温氧化v LPCVDv PECVDv 离子注入及快速退火离子注入及快速退火v 激光划片激光划片清洗工艺v RCA清洗:清洗:H2SO4/H2O2/H2O 1号清洗液:号清洗液:NH4OH/H2O2/H2O 2号清洗液:号清洗液:HCL/H2O2/H2O v 有机溶剂超声清洗
3、:无水乙醇有机溶剂超声清洗:无水乙醇 丙酮丙酮v 清洗甩干机:清洗甩干机:2寸和寸和4寸标准样片寸标准样片光刻工艺介绍v EVG光刻机,光刻机,4英寸的标准衬底,正面光刻和背英寸的标准衬底,正面光刻和背面光刻,分辨率达到面光刻,分辨率达到1微米,对版精度微米,对版精度1微米。微米。v 卡尔休斯光刻机,衬底最大卡尔休斯光刻机,衬底最大2英寸,可完成非标英寸,可完成非标准尺寸衬底的光刻,正面光刻,分辨率准尺寸衬底的光刻,正面光刻,分辨率1微米,微米,对版精度对版精度1微米。微米。v 能完成能完成1微米细线条的剥离工艺。微米细线条的剥离工艺。v 光刻胶:普通光刻胶光刻胶:普通光刻胶(国产国产390)
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