芯片制造基本工艺介绍.pptx
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1、目录晶圆主要制程简介 双极工艺流程简介 MOS工艺流程简介第1页/共32页 半导体产业链长电新顺第2页/共32页半导体制造环境要求主要污染源:微尘颗粒、重金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属例子。超净间:洁净等级主要由 微尘颗粒数/ft3 0.1um 0.2um 0.3um 0.5um 5.0umI级 35 7.5 3 1 NA10 级 350 75 30 10 NA100级 NA 750 300 100 NA1000级 NA NA NA 1000 7第3页/共32页 IC制程简图封装测试ImplantEtch图形LithoThin Film表面处理Raw WaferRaw WaferFin
2、ished Wafer循环X次DiffusionDiffusion:氧化扩散Thin Film:薄膜成长Litho:光刻(图形转移)Etch:刻蚀(图形形成)Implant:离子注入第4页/共32页 扩散氧化卧式炉管立式炉管扩散氧化工艺的设备是炉管,按圆片放置方式分为立式和卧式两种 按工艺时的工作压力分为常压炉管和低压炉管 常压炉管按工艺分一般有氧化,掺杂,推阱,退火,回流,合金等 低压炉管按工艺分一般有多晶(LPPoly),氮化硅(LPSiN),TEOS氧化层(LPTEOS),原位掺杂(In-suit Doping Poly),掺氧多晶硅(SIPOS)等第5页/共32页薄膜成长薄膜成长的主要
3、目的是在圆片表面以化学或物理方式淀积上所需要的膜层。薄膜沉积技术已发展为二个主要方向:(1)化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition),简称为CVD 按工艺条件分:1.APCVD(常压CVD)2.LPCVD(低压CVD)3.PECVD(等离子增强CVD)4.PCVD(光CVD)按生成膜的性质类型分:1.金属CVD 2.半导体CVD 3.介质CVD (2)物理气相沉积(Physical Vapor Deposition),简称为PVD 按工艺条件分:1.蒸镀(Evaporation Deposition)2.溅镀(Sputtering Deposition)PVD主要用于
4、金属层形成。第6页/共32页光刻前处理(PRIMING)涂胶(Coating)曝光(EXPOSURE)显影前烘焙(PreEx B)显影(DEVELOPING)坚膜(Hard Bake)显检(INSPECTION)测量(METROLOGY)下工序返工(REWORK)软烘(Soft Bake)光刻的目的是将设计图形转移到硅片上。光照光阻PR光罩第7页/共32页刻蚀PR刻蚀的目的是去除显影后裸露出来的物质,实现图形的转移。刻蚀主要分为使用化学溶液的湿法蚀刻和使用气体的干法蚀刻。湿法刻蚀一般使用湿法槽,主要分为氧化层刻蚀,SiN刻蚀,金属刻蚀,硅刻蚀等干法刻蚀一般有等离子刻蚀(PE)和反应离子刻蚀(R
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