《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结12463.pptx
《《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结12463.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结12463.pptx(77页珍藏版)》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、第二章第二章3 3场效应管放大电路场效应管放大电路单管放大器总结单管放大器总结单管放大器总结单管放大器总结场效应管的分类(场效应管的分类(P49)按工艺结构分两类:按工艺结构分两类:结型结型和绝缘栅型(和绝缘栅型(MOS)按沟道材料分两类:按沟道材料分两类:N沟沟道和道和P沟道沟道按导电方式分两类:按导电方式分两类:耗尽耗尽型与增强型。型与增强型。共有共有6类:类:结型管只有耗尽型:结型管只有耗尽型:1.结型耗尽型结型耗尽型N沟道沟道2.结型耗尽型结型耗尽型P沟道沟道绝缘栅型(绝缘栅型(MOS)既)既有耗尽型,又有增强有耗尽型,又有增强型:型:3.N沟道耗尽型沟道耗尽型4.N沟道增强型;沟道增
2、强型;5.P沟道耗尽型沟道耗尽型6.P沟道增强型沟道增强型1 12 23 34 45 56 6增强型增强型:UG=0,ID=0(类电子管类电子管)均为均为耗尽型耗尽型耗尽型耗尽型:UG=0,ID0(类类PN结结)类类PN结结场效应三极管型号命名方法场效应三极管型号命名方法(两种两种)第一种命名方法(与双极型三极管相同):第一种命名方法(与双极型三极管相同):第三位第三位字母字母J代表结型场效应管,代表结型场效应管,O代表代表绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,第二位字母代表材料,D是是P型硅型硅N沟道;沟道;C是是N型硅型硅P沟道。沟道。例如例如,3DJ6D是结型是结型P沟道场效
3、应三极管,沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型是绝缘栅型N沟道场效应三极管。沟道场效应三极管。第二种命名方法(第二种命名方法(CS#):):CS代表场效应管,代表场效应管,以数字代表以数字代表型号型号的序号,的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。用字母代表同一型号中的不同规格。例如例如CS14A、CS45G等等场效应管的参数场效应管的参数1、IDSS 饱和漏源电流:饱和漏源电流:栅极电压栅极电压UGS=0时的漏源电流(结型时的漏源电流(结型或耗尽型绝缘栅场效应管)或耗尽型绝缘栅场效应管)2、UP 夹断电压:夹断电压:漏漏-源间刚截止时的栅极电压(结型或耗源间刚截止时的栅极电压(结型或耗尽
4、型绝缘栅场效应管)尽型绝缘栅场效应管)3、UT 开启电压:开启电压:漏源间刚导通时的栅极电压(增强型绝缘漏源间刚导通时的栅极电压(增强型绝缘栅场效管)栅场效管)4、gM 跨导:跨导:栅源电压栅源电压UGS 对漏极电流对漏极电流ID的控制能力(即漏的控制能力(即漏极电流极电流ID变化量与栅源电压变化量与栅源电压UGS变化量的比值)。是衡量场效变化量的比值)。是衡量场效应管放大能力的重要参数。应管放大能力的重要参数。5、BUDS 漏源击穿电压(极限参数):漏源击穿电压(极限参数):栅源电压栅源电压UGS一定时,一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏场效应管正常工作所能承受的最大漏-源电压。(重要
5、极限参源电压。(重要极限参数:场效应管的工作电压必须小于数:场效应管的工作电压必须小于BUDS!)!)6、PDSM 最大耗散功率(极限参数):最大耗散功率(极限参数):令场效应管性能正常令场效应管性能正常所允许的最大漏所允许的最大漏-源耗散功率。(场效应管实际功耗应小于源耗散功率。(场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量!)并留有一定余量!)7、IDSM 最大漏源电流(极限参数):最大漏源电流(极限参数):场效应管正常工作时,场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流(场效应管的工作电流不允许漏源间所允许通过的最大电流(场效应管的工作电流不允许超过超过IDSM)。)。场效应管场效应管
6、放大电路放大电路3.场效应管的分类工作在恒流区时工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性间的电压极性耗尽型耗尽型栅极可反偏栅极可反偏(可正偏可正偏)均均有有ID:UG=0,ID0漏极加正电压漏极加正电压漏极加负电压漏极加负电压类类NPN管管类类PNP管管增强型增强型栅极须正偏栅极须正偏反偏无反偏无ID:UG=0,ID=0二、场效应管静态工作点的设置方法场效应管工作在恒流区场效应管工作在恒流区在栅在栅g-源源s间间加栅偏压加栅偏压VGS在漏在漏d-源源s间加正电压间加正电压VDS栅极输入的信号电压栅极输入的信号电压ui将会将会被放大被放大gm倍(跨导)倍(跨导)即漏极输出电压即漏极输出电压VDS
7、和电流和电流ID被栅极电压被栅极电压VGS控制控制1.基本共源放大电路 原理VGSVDSgmIDg-s电压控电压控制制d-s的等的等效电阻效电阻即即饱和区饱和区输出特性预夹断轨迹,预夹断轨迹,uGDUGS(off)可可变变电电阻阻区区恒恒流流区区iD几乎仅决定于几乎仅决定于uGS即放大区即放大区击击穿穿区区夹断区(夹断区(夹断区(夹断区(截止区截止区截止区截止区)夹断电压夹断电压IDSSiD 不同型号的管子不同型号的管子UGS(off)、IDSS将不同。将不同。跨导(放大倍数):跨导(放大倍数):跨导乃电阻的倒数,单位:毫安/伏(mA/V)(又称:毫西(mS),表示相同的量纲)MOS管的特性1
8、)增强型增强型MOS管管2)耗尽型耗尽型MOS管管开启开启电压电压夹断夹断电压电压MOS管的特性2)耗尽型耗尽型MOS管管夹断夹断电压电压QQiDUGSUDS2.自给偏压电路漏极电流漏极电流ID在源极电在源极电阻阻RS的压降是栅的压降是栅-源源之间的负偏压之间的负偏压URS称为自给偏压称为自给偏压自给偏压自给偏压URE具有稳具有稳定工作点的作用定工作点的作用IDURs+-3.分压式偏置电路A点电压点电压UA即为栅即为栅-源电压源电压UGS因为没有栅极电流,因为没有栅极电流,Rg3上便上便没有电压降没有电压降故:故:UGS=URg1所以所以Rg3的阻值可以很大,以的阻值可以很大,以提高输入阻抗(
9、从而提高电压提高输入阻抗(从而提高电压放大倍数)放大倍数)UGS=VDDRg1/(Rg1+Rg2)即典型的即典型的Q点稳定电路点稳定电路UAUGSCMOSCMOS放大器放大器授课结束授课结束单管单管放大器放大器总结总结1.1.放大倍数放大倍数:输出量与输入量之比输出量与输入量之比最常用参数(常测)最常用参数(常测)输入电压:输入电压:输入信号输入信号源源Us在放大电路内在放大电路内阻阻Ri上的电压降上的电压降输入电流输入电流电压放大倍数电压放大倍数电流放大倍数电流放大倍数互阻放大倍数互阻放大倍数互导放大倍数互导放大倍数阻抗阻抗电导电导信号源信号源信号源信号源内阻内阻输入电压:输入电压:输入信号
10、源输入信号源Us在放在放大电路内阻大电路内阻Ri上的电压降上的电压降输入电流输入电流2.输入电阻和输出电阻输出电阻:输出电阻:将输出将输出信号等效成有内阻信号等效成有内阻的电压源,的电压源,内阻内阻Ro就是输出电阻就是输出电阻。输入等效电阻:输入等效电阻:输入输入电压与输入电流有效电压与输入电流有效值之比:值之比:输入电阻:输入电阻:从输入端看从输入端看进去的等效电阻进去的等效电阻输出等效电阻:输出等效电阻:空载电压空载电压UO减去有载电压减去有载电压UO除以除以输出电流输出电流iO:输出电流输出电流io3.通频带:原理:原理:由于寄生电感、电容(布线电感、电容及放大管由于寄生电感、电容(布线
11、电感、电容及放大管PN结的结的电容效应等)使放大电路在较低电容效应等)使放大电路在较低频率频率和较高和较高频率频率时电压放大倍时电压放大倍数均会下降,并会产生相移。放大量较大的是中间频率。数均会下降,并会产生相移。放大量较大的是中间频率。不低于中间频率放大倍数不低于中间频率放大倍数0.707倍的频率带,称通频带。倍的频率带,称通频带。功能:功能:衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。下限频率下限频率上限频率上限频率电路的串联电路的串联电容影响电容影响电路的并联电路的并联电容影响电容影响通频带通频带4.最大不失真输出电压Uom:交流有效值。交流有效值。5.最
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模拟电子技术 模拟 电子技术 场效应 放大器 放大 总结 12463
限制150内