《晶闸管和场效应管》课件.pptx
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1、晶闸管和场效应管ppt课件晶闸管简介场效应管简介晶闸管与场效应管的比较晶闸管和场效应管的典型应用晶闸管和场效应管的未来发展目录CONTENTS01晶闸管简介总结词:电子元件详细描述:晶闸管是一种电子元件,通常由硅材料制成,具有单向导电性。晶闸管定义总结词半导体的开关作用详细描述晶闸管的工作原理基于半导体的开关作用,通过控制其内部电流来实现对外部电路的控制。晶闸管工作原理可控整流器件总结词晶闸管主要分为单向晶闸管、双向晶闸管和可关断晶闸管等类型,作为可控整流器件广泛应用于电力电子领域。详细描述晶闸管分类与特点02场效应管简介0102场效应管定义场效应管通过改变半导体表面的电场分布,实现对电流的控
2、制。场效应管(Field-EffectTransistor,简称FET):是一种利用电场效应来控制半导体导电性能的电子器件。场效应管工作原理当外加电压施加到场效应管的栅极时,会在半导体表面产生电场,改变半导体的导电性能,从而控制源极和漏极之间的电流。场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗低等特点。场效应管分类与特点结型场效应管(JFET)分为N沟道和P沟道两种类型,具有高输入阻抗、低噪声等特点。绝缘栅型场效应管(MOSFET)分为N沟道和P沟道两种类型,具有高开关速度、低驱动电流等特点。横向场效应管(LateralFET)具有高跨导、低噪声等特点,适用于放大器和振荡器等应用。高电子迁
3、移率晶体管(HEMT)具有高频、高速、高温等特点,适用于微波和毫米波等高频领域。03晶闸管与场效应管的比较工作电压比较晶闸管的工作电压较高,通常在几百伏特以上,而场效应管的工作电压较低,一般在几十伏特以下。总结词晶闸管是一种大功率半导体器件,通常用于高电压、大电流的应用场景,如电力控制、电机驱动等。其工作电压通常在几百伏特以上,有时甚至达到几千伏特。相比之下,场效应管是一种电压控制型半导体器件,其工作电压一般在几十伏特以下,适用于较低电压的应用,如电子开关、信号放大等。详细描述总结词晶闸管的工作电流较大,适用于大电流的应用场景,而场效应管的工作电流较小,适用于小电流的应用场景。详细描述由于晶闸
4、管是一种大功率半导体器件,其工作电流较大,通常在几安培到几百安培之间,适用于大电流的应用场景,如电机驱动、电力控制等。而场效应管的工作电流较小,一般在几毫安到几百毫安之间,适用于小电流的应用场景,如电子开关、信号放大等。工作电流比较场效应管的开关速度较快,而晶闸管的开关速度较慢。总结词场效应管是电压控制型半导体器件,其开关速度较快,一般可以在几纳秒到几十纳秒之间完成开关动作。这使得场效应管适用于高频应用场景,如通信、雷达等。相比之下,晶闸管是电流控制型半导体器件,其开关速度较慢,一般在几百微秒到几毫秒之间完成开关动作。这使得晶闸管不太适用于高频应用场景,但其在低频和直流应用场景中表现出色。详细
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