西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题.docx
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1、西南科技大学模拟电子技术基础期末考试_试题1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的()内。每一小题分,共分)1杂质半导体中的少数载流子浓度取决于AA.掺杂浓度B.工艺C.温度D.晶体缺陷(2)硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于(B)A.正向导通状态B.反向电击穿状态C.反向截止状态D.反向热击穿状态(3)测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为()A.PNP型硅管B.NPN型锗管C.PNP型锗管D.PNP型硅管(4)温度上升时,半导体三极管的(A)A.和ICEO增大,uBE下降B.和uBE增大,ICEO减小C.减小,ICEO和
2、uBE增大D.、ICEO和uBE均增大(5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|1的只可能是()A.共集电极放大电路B.共基极放大电路C.共漏极放大电路D.共射极放大电路(6)在四种反应组态中,能够使输出电压稳定,并提高输入电阻的负反应是()A.电压并联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电流串联负反应(7)关于多级放大电路下列讲法中错误的是()A.Au等于各级电压放大倍数之积B.Ri等于输入级的输入电阻C.Ro等于输出级的输出电阻D.Au等于各级电压放大倍数之和(8)用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻RE,能够提高电路的(
3、)A.|Aud|B.|Auc|C.RidD.KCMR(9)电路如图2所示,其中U2=20V,C=100f。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略,该电路的输出电压Uo()。A.24VB.28VC.-28VD.-18V (10)在下列四种比拟器中,抗干扰能力强的是()。A.迟滞比拟器B.零比拟器C.三态比拟器D.窗口比拟器2.填充题(每格1分,共20分)(11)当放大电路输入非正弦信号时,由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真为失真,由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为失真,这两种失真统称为失真或失真。(12)半导体三极管属控制器件,而场效应管
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