国家标准《硅退火片规范》.doc
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1、1国家标准硅退火片规范 (讨论稿)编制说明 一、工作简况1. 立项目的与意义 集成电路产业是信息技术产业的核心,是国家重要的基础性、先导性和战略性产业,是推动国民经济和信息化发展的主要高新技术。近 10 年来,我国的集成电路产业发展迅猛,在家电、通信、汽车等行业,国内厂商获得不错的收获。但是我国集成电路在 CPU、存储器等高端通用芯片上与国外存在着不小的差距,目前线宽 65 纳米及以下的这部分高端产品几乎完全依赖进口。随着高端集成电路市场在国内的兴起,对硅抛光片的要求越来越高,除了几何参数、颗粒、金属等重要指标外,对抛光片的体微缺陷和晶体原生凹坑(COP)的要求越来越高,特别是对于线宽越小的器
2、件,硅片体内的微缺陷密度和 COP 的存在不仅会使栅氧化物的完整性(GOI)受到严重破坏,还会造成 PN 结漏电、槽型电容短路或绝缘失效等问题,从而降低集成电路的成品率,对后道集成电路制造产生严重的不良后果。目前主要有两类控制方法,即从单晶的生长过程中抑制和减少它的尺寸和数量,另一种方法就是通过后续工艺过程来减少或覆盖这些微小缺陷或 COP,比如退火工艺在硅片的近表面形成洁净区的方法或外延的方法,从而满足对越来越小线宽的集成电路要求。本方法将对不同线宽的要求对退火片提出从单晶到抛光片的基本要求和通过退火工艺之后抛光片的重要几何参数、表面金属。表面质量包括颗粒、cop 以及缺陷的要求。将有利于行
3、业的统一和对产品质量的把控,也有利于与国际先进水平产品接轨,该标准的制定与实施也将有助集成电路国有化的研究与发展。2.任务来源根据国标委综合号文件的要求,由有研半导体材料有限公司负责硅退火片规范的修订工作,项目计划编号为 201-T-469。3.项目承担单位概况有研半导体材料有限公司,原名有研半导体材料股份有限公司,是由北京有色金属研究总院(简称“有研总院” )作为独家发起人设立的股份有限公司,成立于 1999 年 3月,主营半导体材料。该公司的前身是有研总院下属的硅材料研究室,建国以来,一直致力于硅材料的研发、生产,并承担了“九五” 、 “十五” “十一五”期间国家硅材料领域2多项重大攻关任
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- 国家标准 退火 规范
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